Torex Semiconductor Ltd. · TSE:6616

Torex Semiconductor — FY2025 Earnings Presentation

42 slides from Torex Semiconductor's earnings presentation, May 20, 2025

  1. Slide 1: 2025年3月期 通期 決算説明資料

    6616 2025年3月期 通期 決算説明資料 世界は「アナログ」でできている あらゆるフィールドで活躍するトレックスの電源IC 2025年 5月20日 トレックス・セミコンダクター株式会社

  2. Slide 2: 目次

    目次 1 2025年3月期 通期業績 2 2026年3月期 業績予想 3 株主還元 4 トピックス Appendix 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 1 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  3. Slide 3: 2025年3月期 通期業績

    2025年3月期 通期業績 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  4. Slide 4: サマリー

    サマリー トレックスは、日本・欧州市場の停滞により売上が減少したが、 前期に生じた棚卸評価損について、今期に一部の戻りが発生 したことも収益要因となり、減収増益 フェニテックは、アジア市場は回復するも、北米市場の売上が 大きく減少し、減収減益 特別損失として、減損損失が発生。対業績予想は親会社 株主に帰属する当期純損益が大きく未達 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 3 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  5. Slide 5: 2025年3月期 業績概要（連結）

    2025年3月期 業績概要（連結） (単位：百万円) 24.3期通期 25.3期通期 対前年同期比 科目 実績 実績 増減率 売上高 25,751 23,957 ▲7.0% 営業損益 ▲1,778 ▲632 - 営業利益率 - ▲2.7% - 経常損益 ▲2,452 ▲820 - 親会社株主に帰属する 当期純損益 ▲4,297 ▲2,358 - EPS（円） ▲390.73 ▲214.62 - 海外売上高比率（*1） 66.5% 69.4% 2.9pt 平均為替レート（1$=） ¥144.4 ¥152.4 - 減価償却費 2,350 2,468 5.0% 設備投資 5,284 2,950 ▲4

  6. Slide 6: 2025年3月期 売上高

    2025年3月期 売上高 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分  トレックス （前年同期比▲1.4％） - 中国市場は回復しているが、日本・欧州 25,751 市場が落ち込み、減収 23,957 - 産業機器、一般民生機器分野で減少 15,735 14,086  フェニテック （前年同期比▲10.5％） - 北米市場が大きく減少し、減収 - 産業機器分野が大きく減少 10,016 9,871 24.3期 25.3期 (単位：百万円) 24.3期 実績 25.3期 実績 対前年同期比増減率 売上高 25,751 23,957 ▲7.0% 本資料の全部または一部についての無断複

  7. Slide 7: 2025年3月期 営業損益

    2025年3月期 営業損益 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分  トレックス （前年より23億17百万円増） - 前期に発生した棚卸評価損※が 今期において戻り、益要因に ※前期：棚卸評価損の発生(損) 23.3億円 544 ▲5 当期：棚卸評価損の戻り (益) 2.5億円 ▲627 ▲2,322 ▲ 632  フェニテック（前年より11億71百万円減） ▲ 1,778 - 売上の減少に伴い、減益 24.3期 25.3期 (単位：百万円) 24.3期 実績 25.3期 実績 前年との差 営業損益 ▲1,778 ▲632 +1,146 本資料の全部または一部についての無断複

  8. Slide 8: 2025年3月期 親会社株主に帰属する当期純損益

    2025年3月期 親会社株主に帰属する当期純損益 (単位：百万円) 損失額は減少したが、今期においても 11億の減損損失が発生。 ※主な昨年度との差異の内訳 営業損失の改善：11.4億円 ▲ 2,358 為替差損の減少： 3.7億円 減損損失の減少： 5.9億円 ▲ 4,297 24.3期 25.3期 (単位：百万円) 24.3期 実績 25.3期 実績 前年との差 当期純損益 ▲4,297 ▲2,358 +1,939 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 7 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved

  9. Slide 9: 減損損失の発生について

    減損損失の発生について ●半導体市場の急成長と当社の売上 ●フェニテック鹿児島工場への投資 鹿児島工場5号館3階をクリーンルーム化 ３号館 １号館 ５号館 次ページ より 当社 2024年3月期 通期決算説明資料より 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 8 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  10. Slide 10: 売上高・営業利益の四半期推移

    売上高・営業利益の四半期推移 (左軸：売上高) トレックス ： (右軸：営業利益) (単位：百万円) フェニテック： (単位：百万円) 10,000 2,000 9,000 8,593 8,791 1,800 1,743 7,970 7,9377,944 863 1,667 8,000 7267,699 1,600 7,013 6,873 7,000 6,848 1,400 6,404 6,304 4,672 6,195 6,251 6,272 4,565 6,000 1,147 1,114 5,781 5,652 1,200 4,395 4,217 売上高 655 4,117 4,230 5

  11. Slide 11: 2025年3月期 資産・負債・純資産の状況

    2025年3月期 資産・負債・純資産の状況 (単位：百万円) 科目 24年3月期末 25年3月期末 対前期末増減 資産 36,636 33,607 ▲3,029 負債 16,083 16,207 124 純資産 20,552 17,400 ▲3,152 ＜参考＞キャッシュ・フロー関連指標の推移 科目 24年3月期末 25年3月期末 対前期末増減 有利子負債 11,314 12,984 1,670 自己資本比率 56.1% 51.8% ▲4.3pt D/Eレシオ 0.55 0.74 0.19 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 10 Copyright TOREX S

  12. Slide 12: トレックス／フェニテック 各単体

    トレックス／フェニテック 各単体 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  13. Slide 13: アプリケーション別売上高（トレックス）

    2025年3月期 ～アプリケーション別売上高（トレックス）：参考値 IND IND OTHER OTHER IND 39.3% 37.3% 42.9% 売上高 42.9% 売上高 38.9% 10,014 9,871 WEA WEA CAR MED CAR MED CAR 2.3% MED 13.5% 3.2% 2.4% 13.1% 14.0% 2.4%2.6% 24.3期実績 25.3期実績 (単位：百万円) 24.3期 25.3期 対前年同期比 アプリケーション 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 IND 産業機器 3,934 39.3% 3,686 37.3% ▲6.3% CAR 車

  14. Slide 14: 地域別売上高（トレックス）

    2025年3月期 ～地域別売上高（トレックス） 北米 北米 7.0% 8.7% 欧州 欧州 日本 日本 19.4% 17.8% 33.6% 売上高 38.9% 売上高 10,014 9,871 アジア アジア 34.7% 39.9% 24.3期実績 25.3期実績 (単位：百万円) 24.3期 25.3期 対前年同期比 地域（D-in） D-in 売上高 構成比 D-in 売上高 構成比 増減率 日本 3,892 38.9% 3,317 33.6% ▲14.8% アジア 3,477 34.7% 3,942 39.9% 13.4% 欧州 1,942 19.4% 1,754 17.8% ▲9.7%

  15. Slide 15: アプリケーション別売上高（フェニテック）

    2025年3月期 ～アプリケーション別売上高（フェニテック）：参考値 For Further Growth Together IND IND 25.3% 23.3% OTHER 売上高 OTHER 売上高 44.4% アプリ別 46.3% アプリ別 構成比 構成比 CAR CAR MED MED 28.6% 28.1% 2.2% 1.8% 24.3期実績 25.3期実績 (単位：百万円) 24.3期 25.3期 対前年同期比 アプリケーション 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 IND 産業機器 4,287 25.3% 3,553 23.3% ▲17.1％ CAR 車載機器 4,757 2

  16. Slide 16: 地域別売上高（フェニテック）

    2025年3月期 ～地域別売上高（フェニテック） For Further Growth Together 北米 北米 日本 30.2% 日本 35.8% 売上高 売上高 40.9% 39.8% 地域別 地域別 構成比 構成比 欧州 欧州 7.7% アジア アジア 8.8% 14.5% 22.3% 24.3期実績 25.3期実績 ※ 顧客の所在地別に区分しています。 (単位：百万円) 24.3期 25.3期 対前年同期比 地域（顧客） 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 日本 6,936 40.9% 6,073 39.8% ▲12.4％ アジア 2,462 14.5% 3,398 22.3%

  17. Slide 17: 2026年3月期 業績予想

    2026年3月期 業績予想 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  18. Slide 18: 2026年3月期 業績予想 P/L概要及び主要指標

    2026年3月期 業績予想 P/L概要及び主要指標 (単位：百万円) 対前年 25.3期 26.3期 同期比 備考 通期実績 業績予想 増減率 売上高 23,957 25,500 ＋6.4％ 営業損益 ▲632 400 - 営業利益率 ▲2.7% 1.6% - 経常損益 ▲820 400 - 親会社株主に 帰属する当期純損益 ▲2,358 300 - EPS（円） ▲215.75 27.87 - 平均為替レート（1$=） ¥152.4 ¥145.0 - 減価償却費 2,468 2,000 ▲19.0% 設備投資 2,950 2,740 ▲7.1％ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断

  19. Slide 19: 2026年3月期 業績予想 売上高

    2026年3月期 業績予想 売上高 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分 23,957 25,500 年後半からの半導体市況の回復を 想定し、増収と予想 14,086 9,871 14,124 2025/3期 2026/3期 実績 業績予想 (単位：百万円) 2025年3月期 実績 2026年3月期 業績予想 対前年増減率 売上高 23,957 25,500 ＋6.4％ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 18 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  20. Slide 20: 2026年3月期 業績向上に向けた施策

    2026年3月期 業績向上に向けた施策 売上向上に関する施策 ・ 高付加価値製品の拡販 ⇒ 高耐圧 コイル一体型DC/DCコンバータ ⇒ 高耐圧 DC/DCコンバータ ・ FAEによる新規顧客開拓 ・ CV充電リチウム二次電池用 リファレンス回路 ⇒ 日本ガイシ株式会社のLTO電池 “EnerCera” ETシリーズ 14,124 ⇒ ニチコン株式会社 “SLB” シリーズ リファレンス回路 ・ 化合物半導体 ⇒ SiC ファウンドリ ／ SBD、MOSFET、カスタマイズ ・ チャイナプラスワン 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 19 Copyright TOR

  21. Slide 21: 2026年3月期 業績予想 営業損益

    2026年3月期 業績予想 営業損益 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分 売上の増加とそれに伴う粗利率の 400 改善と社内改善活動による経費 ▲5 の低減により、増益と予想 ▲627 ▲ 632 2025/3期 2026/3期 実績 業績予想 (単位：百万円) 2025年3月期 実績 2026年3月期 業績予想 対前年増減率 営業損益 ▲632 400 ー 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 20 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  22. Slide 22: 株主還元

    株主還元 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  23. Slide 23: 配当方針

    配当方針 配当につきましては、業績水準を反映した利益配分として 連結配当性向20％以上、安定的かつ継続的な株主還元 の拡充として株主資本配当率（ＤＯＥ）3％程度を当面 の目標として実施しております。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 22 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  24. Slide 24: 配当方針

    配当方針 連結配当性向20％以上、ＤＯＥ3％程度を目標として還元 配当金：円 ＤＯＥ：％ 配当性向：％ 3.6% 250 3.6 3.2% 200.9％ 3 200 2.7% 2.4 150 1.8 100 1.2 56円 56円 56円 50 0.6 ー ー 0 0 2024/3（実績） 2025/3（実績） 2026/3（予想） 年間配当金（左軸） 配当性向（左軸） DOE（右軸） 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 23 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  25. Slide 25: トピックス

    トピックス 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  26. Slide 26: PANJIT社への子会社持分に係る基本合意書締結について

    PANJIT社への子会社持分に係る基本合意書締結について 2月7日に半導体製品の世界的IDMメーカーであるPANJIT社と、 当社の後工程を行うTVS社の持分の全部または一部を譲渡すること を目的とする基本合意書を締結したことを発表。 名称 PANJIT INTERNATIONAL INC. No. 24, Gangshan N. Rd., Gangshan 所在地 Dist., Kaohsiung City , Taiwan 売上高 12,707,319千台湾ドル (2023年12月期) （597億24百万円 / 1台湾ドル=4.7円換算） 資本金 3,821,149千台湾ドル 設立年月日

  27. Slide 27: サステナビリティ基本方針、マテリアリティの特定

    サステナビリティ基本方針、マテリアリティの特定 サステナビリティ基本方針 トレックスグループは、「価値ある製品を通じた豊かな社会の実現と地球環境の保全」を掲げ、 環境・社会に貢献するという考えを経営の中心に据え、共存・共栄の精神で、すべてのステーク ホルダーとともにサステナビリティ推進に取り組んでまいります。 マテリアリティ マテリアリティ 基本方針 社会課題解決に向けた高 トレックスグループの製品は、世界中のあらゆる分野で使用される電子機器に広く採用されています。 持続可能な 付加価値製品の提供 社会の実現に向け、高付加価値な半導体製品を提供することで、社会課題の解決と事業の成長の両立を目指

  28. Slide 28: 同期整流 降圧DC/DCコンバータ XC9704/XC9705

    【同期整流 降圧DC/DCコンバータ】 PWM/PFM制御 36V高耐圧 600mA 降圧DC/DCコンバータ XC9704/XC9705 シリーズ ・ F-PWM、PWM/PFM自動切換制御 ・ 同期整流 ドライバ FET内蔵 ・ 入力電圧範囲 3.0V ～ 36V ・ SOT-89-5、 DFN1820-6G 36V 600mA 降圧DC/DC 小型／低消費ソリューション 製品の特長 ・ 高効率、低リップル電圧 ＜＜ 商談・採用事例 ＞＞ ・ 発信周波数：1.2MHz、 2.2MHz ・ 家庭用 エアコン ・ パワーグッド、UVLO、 ソフトスタート外調 ・ 業務用 エアコン、 リモコン／

  29. Slide 29: 高耐圧 コイル一体型DC/DCコンバータ XCL247/XCL248

    【高耐圧 コイル一体型DC/DCコンバータ】 新製品リリース PWM/PFM制御 36V高耐圧 600mA 降圧DC/DCコンバータ XCL247/XCL248 シリーズ ・ F-PWM、PWM/PFM自動切換制御 ・ 同期整流 ドライバ FET内蔵 ・ 入力電圧範囲 3.0V ～ 36V ・ 動作温度範囲 ‐40℃～105℃ 製品の特長 ・ 徹底した小型化で約41％縮小（右図） ・ 電力変換の高効率化で発熱を大幅低減（右図） ・ ICの上部にコイルを実装する、トレックス独自の パッケージ採用で、超小型化を実現 ターゲットアプリケーション ・ 12V/24Vラインからの小型/低消費が必要な機器

  30. Slide 30: CV充電リチウム二次電池用 電圧検出器 XC6142

    【CV充電リチウム二次電池用 電圧検出器】 新製品紹介 動作温度105℃ 定電圧充電リチウム二次電池用 電圧検出器 XC6142シリーズ 製品の特長 ・ 2.3V系 小型リチウム二次電池に最適化 ・ 動作周囲温度： -40℃～105℃ ターゲットアプリケーション CV充電対応二次電池の電圧監視 代表標準回路 電気二重層コンデンサの電圧監視 採用 リファレンス回路例 NGK EnerCeraシリーズ Nichicon SLBシリーズ Nichicon SLB シリーズ用 評価ボード NGK INSULATORS “EnerCera” ET シリーズ用 評価ボード 本資料の全部または一部についての

  31. Slide 31: プライム上場維持基準 適合状況

    プライム上場維持基準 適合状況 プライム市場の上場維持基準への適合状況 当社は、2025年3月31日時点において、東京証券取引所プライム市場における上場維持基準 について、下記のとおり不適合が生じておりますことをお知らせいたします。 上場維持基準6項目のうち5項目は充たしているものの、「流通株式時価総額」 が81.2億円と基 準値100億円以上を充たしておりません。 当社は、流通株式時価総額の基準に関し、上場維持基準を充たすべく、各種取組みを進めて参 ります。 流通株式 流通株式 流通株式 1日平均 株主数 純資産の額 数 時価総額 比率 売買代金 当社の状況 66,611 3,842人 81

  32. Slide 32: プライム上場維持基準の適合に向けた取り組みの基本方針

    プライム上場維持基準の適合に向けた取り組みの基本方針 時価総額 × 流通株式比率 ＝ 流通株式時価総額 上場維持基準の未達項目である 「流通株式時価総額」 の充足に向けて、収益性を改 善することを背景として株価を上昇させ、「時価総額」を向上させることで、2026年3月期末 日までに未達項目の適合を目指します。 主要製品である電源ICの売上及びディスクリート製品のファウンドリ売上拡大による収入の 拡大に注力するとともに、高付加価値製品の販売強化による収益率の改善、社内改善 活動による経費の低減を進め、収益性の向上を行います。 また、今年度中には2026年度から始まる新たな中期経営計画を策定し、中

  33. Slide 33: フェニテックセミコンダクター

    フェニテックセミコンダクター 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  34. Slide 34: 化合物 ファウンドリ受託状況

    化合物 ファウンドリ受託状況 ファウンドリ受託 SiC GaN GaAs Ga2O3 主要化合物半導体(SiC・GaN・GaAs・Ga2O3) デバイスの ファウンドリをフレキシブルに受託できるのが、当社の“強み”です Ga2O3(酸化ガリウム)とは ファウンドリ 酸化ガリウム半導体は、従来のシリコン半導体と比較して、より高 Ga2O3 い耐圧と低い電力損失を実現できます。ワイドバンドギャップである ため、高温や高周波環境下での動作にも優れています。  広いバンドギャップ また、他の次世代半導体材料に比べて、基板の製造コストを大幅  高い絶縁破壊電界強度 に削減できる可能性があり、電力変換

  35. Slide 35: 化合物 ファウンドリ受託状況 SiC

    化合物 ファウンドリ受託状況 SiC(炭化ケイ素)とは ファウンドリ SiC半導体は、シリコンに対し高耐圧・高耐熱性、低損失、高速動 SiC 作に優れます。これにより、電力変換効率が向上し、デバイスの小型 化・軽量化が可能です。  広いバンドギャップ 応用分野は多岐に渡り、特に電気自動車のインバータやオンボード  高い絶縁破壊電界強度 チャージャー、鉄道車両の駆動システム、産業機器のパワーコンディ  高い電子移動度 ショナ、再生可能エネルギー分野などで実用化が進んでいます。高効  高い熱伝導率 率な電力制御を実現し、省エネルギー化に貢献する次世代パワー半  低いオン抵抗 導体として注

  36. Slide 36: シリコン ファウンドリ受託状況

    シリコン ファウンドリ受託状況 ファウンドリ受託 新規受注案件 ✓ 当社主力の一つである小信号ディスクリートを中心に、新規ファウンドリ 受託案件が好調です ✓ 中華圏の企業がチャイナプラスワン戦略により、ファウンドリ先を国外に 移す流れがあり、当社に受託する案件も増加しています 新規受注案件売上高見込み 新規受注案件製品比率 「チャイナプラスワン」関連比率 ✓ 当社は、地政学的リスク分散、中国におけるコスト上昇、サプライチェーン 強靭化などを背景に、各企業のチャイナプラスワン戦略の継続を見込んで おり、今後も成長戦略として関連案件を積極的に取り込んでいきます 本資料の全部または一部についての無

  37. Slide 37: Siパワーデバイス製品開発

    Siパワーデバイス製品開発 Si製品開発 新たなパワーデバイス開発により更なる売上アップを目指す Low Vth MOSFET 量産中 ・製品ラインナップ拡充を継続 スプリットゲート型MOSFET 60V プロセス開発成功し、狙い特性獲得 ・26.3期Q3 量産予定 ・製品ラインナップ拡充を継続 100V 150V フィールドストップ型IGBT 650V/40A プロセス開発成功し、狙い特性獲得 ・26.3期Q2 量産予定 ・製品ラインナップ拡充を継続 1200V/75A 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 36 Copyright TOREX SEMICONDUC

  38. Slide 38: SiCパワーデバイス製品開発

    SiCパワーデバイス製品開発 SiC製品開発 新たなパワーデバイス開発により更なる売上アップを目指す SBD 自社開発品 量産フェーズ 650V 10A Gen.2,3 650V 20A Gen.2,3 1200V 10A Gen.2,3 650V 6,8,10A Gen.4 ✓ 今後も市場要望にスピーディなシリーズ拡充で対応 ・第2,3,4世代 サンプル提供中/顧客評価中 26.3期Q1量産予定 ・目標耐圧2200V,3300V品を開発中 MOS FET 自社開発品 1200V 20A Planar/Trench 1200V 40A Planar 1200V 80A Planar ✓電流ライ

  39. Slide 39: SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造

    SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造 広島大学 学長定例記者会見 2025.04.24 会見概要 当社は、広島大学との共同研究により、高温や高 放射線環境下で動作する半導体チップを鹿児島 工場で試作製造し、広島大学行われた記者会見 で、共同研究の成果として発表しました。 この半導体チップは、SiC(炭化ケイ素)を使用した 集積回路で、SiC集積回路の量産ファブでの試作 製造は、世界初の取組みとなります。 広島大学学長定例記者会見の様子 左は広島大学 黒木副所長 デバイス設計は主に広島大学が担当し、製造プロ 右は当社代表取締役 石井(陪席者として登壇) セス検討を合同で行い、鹿児島工場6インチ

  40. Slide 40: SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造

    SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造 成果の内容 合同チームにより、新たにSiC集積回路専用の 製造プロセスを新たに構築 試作製造したSiC集積回路は、500℃の高温 や高い放射線量の中でも動作 シリコン半導体チップの一般的制限 最大温度 左は試作製造された集積回路などの図面 150℃、耐放射線性1kGry(キロ・グレイ)程度 右は試作製造されたSiCウェハー を越え、半導体の利用領域を大幅に拡げる 応用分野はシリコン半導体が使用できない領域 EV、原発の廃炉作業、粒子線医療、宇宙開発、 次世代原子炉・核融合炉など 今後は・・・ ✓ SiC集積回路設計・製造の環境整備 ✓ SiC集積回路の大

  41. Slide 41: Powerfully Small !

    Powerfully Small ! 常に豊かな知性と感性を磨き、 市場に適応した価値ある製品を創出し、 豊かな社会の実現と 地球環境の保全に貢献するとともに、 私たちの事業に携わるすべての人々が 共に繁栄すること 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 40 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  42. Slide 42: 免責事項

    免責事項 本資料に記載された内容は、2025年5月20日現在において一般的に入手可能な 情報と、合理的と判断する一定の前提に基づき、当社が作成したものです。 本資料に記載されている当社の中期計画、見通し等に関する記述は、将来の業績 を保証するものではなく、リスクと不確実性を内包するものです。 実際の業績は、これらの要素により本資料の記載内容と大きく異なる可能性があり ます。 投資に関するご決定をされる際、本資料のみに全面的に依拠することはお控えいた だき、みなさまご自身のご判断でなされるようお願い致します。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 41 Copyrigh

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