Torex Semiconductor Ltd. · TSE:6616

Torex Semiconductor — Q1 FY2026 Earnings Presentation

50 slides from Torex Semiconductor's earnings presentation, Aug 12, 2025

  1. Slide 1: 2026年3月期 第1四半期 決算説明資料

    6616 2026年3月期 第1四半期 決算説明資料 世界は「アナログ」でできている あらゆるフィールドで活躍するトレックスの電源IC 2025年 8月12日 トレックス・セミコンダクター株式会社

  2. Slide 2: 目次

    目次 1 2026年3月期 第1四半期業績 2 2026年3月期 業績予想 3 株主還元 4 トピックス Appendix 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 1 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  3. Slide 3: サマリー

    サマリー トレックスは、日本市場と北米市場の売上は回復したが、 為替の影響と原価上昇の影響により、増収減益 フェニテックは、アジア市場は回復するも、北米市場の 売上が大きく減少し、減収減益 2026年3月期の業績予想は、期初の予想から変更なし 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 2 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  4. Slide 4: 2026年3月期 第1四半期業績

    2026年3月期 第1四半期業績 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  5. Slide 5: 2026年3月期 第1四半期業績概要（連結）

    2026年3月期 第1四半期業績概要（連結） (単位：百万円) 25.3期 26.3期 対前年同期比 1Q実績 1Q実績 増減率 売上高 6,251 5,865 ▲6.2% 営業利益 365 165 ▲54.8% 営業利益率 5.8% 2.8% ▲3pt 経常利益 340 64 ▲81.1% 親会社株主に 帰属する四半期純利益 83 35 ▲56.9% EPS（円） 7.57 3.38 ▲4.19 海外売上高比率（*1） 70.6％ 70.6％ ±0pt 平均為替レート（1$=） ¥156.5 ¥145.1 - 減価償却費 498 486 ▲2.4% 設備投資 1,221 341 ▲72.1%

  6. Slide 6: 第1四半期業績 売上高

    2026年3月期 第1四半期業績 売上高 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分  トレックス - 日本市場と北米市場が回復し 若干の増収 6,251 5,865 - 産業機器分野と医療機器分野 が増加 3,777 3,352  フェニテック 2,474 3,002 2,513 - 北米市場の減少に伴い、減収 - 産業機器分野が減少 25.3期1Q 26.3期1Q (単位：百万円) 25.3期1Q 実績 26.3期1Q 実績 対前年同期比増減率 売上高 6,251 5,865 ▲6.2% 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 5 Copyright

  7. Slide 7: 第1四半期業績 営業利益

    2026年3月期 第1四半期業績 営業利益 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分  トレックス 365 - 為替の影響と原価の上昇により 減益 186 165 114  フェニテック 179 51 - 売上の減少に伴い減益 25.3期1Q 26.3期1Q (単位：百万円) 25.3期1Q 実績 26.3期1Q 実績 対前年同期比増減率 営業利益 365 165 ▲54.8% 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 6 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  8. Slide 8: 親会社株主に帰属する四半期純利益

    2026年3月期 第1四半期業績 親会社株主に帰属する四半期純利益 (単位：百万円) 営業利益の減少と、為替差損の 83 増加により、減少 35 25.3期1Q 26.3期1Q (単位：百万円) 25.3期1Q 実績 26.3期1Q 実績 対前年同期比増減率 四半期純利益 70 35 ▲56.9% 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 7 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  9. Slide 9: 売上高・営業利益の四半期推移

    売上高・営業利益の四半期推移 (左軸：売上高) トレックス ： (右軸：営業利益) (単位：百万円) フェニテック： (単位：百万円) 10,000 2,000 8,593 8,791 9,000 1,743 1,667 YoYでは減収減益となるも、QoQでは増収増益 1,800 863 8,000 726 7,699 1,600 売上高 7,000 6,873 6,848 1,400 6,404 6,304 6,195 6,251 6,272 4,672 4,565 6,000 5,781 5,652 5,865 1,200 営業利益 4,230 5,000 1,000 3,795 879

  10. Slide 10: 資産・負債・純資産の状況

    2026年3月期 第1四半期業績 資産・負債・純資産の状況 (単位：百万円) 25年3月期末 26年3月期 1Q末 対前期末増減 資産 33,607 33,513 ▲94 負債 16,207 16,544 337 純資産 17,400 16,969 ▲431 ＜参考＞キャッシュ・フロー関連指標の推移 25年3月期末 26年3月期 1Q末 対前期末増減 有利子負債 12,984 13,755 771 自己資本比率 51.8% 50.6％ ▲1.2pt D/Eレシオ 0.74 0.81 0.07pt 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 9 Copyright TOREX

  11. Slide 11: トレックス／フェニテック 各単体

    トレックス／フェニテック 各単体 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  12. Slide 12: アプリケーション別売上高（トレックス）

    2026年3月期 第1四半期業績 ～アプリケーション別売上高（トレックス）：参考値 IND IND OTHER OTHER 36.6% 38.3% 43.6% 売上高 41.4% 売上高 2,474 2,513 WEA CAR WEA MED MED CAR 3.2% 14.3% 3.6% 2.3% 3.8% 12.9% 25.3期 1Q実績 26.3期 1Q実績 (単位：百万円) 25.3期 1Q 26.3期 1Q 対前年同期比 アプリケーション 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 IND 産業機器 905 36.6% 963 38.3% 6.4% CAR 車載機器 355 14.3%

  13. Slide 13: 地域別売上高（トレックス）

    2026年3月期 第1四半期業績 ～地域別売上高（トレックス） 北米 北米 9.7% 10.2% 日本 欧州 日本 31.0% 欧州 19.0% 35.2% 売上高 17.9% 売上高 2,474 2,513 アジア アジア 40.3% 36.7% 25.3期 1Q実績 26.3期 1Q実績 (単位：百万円) 25.3期 1Q 26.3期 1Q 対前年同期比 地域（D-in） D-in 売上高 構成比 D-in 売上高 構成比 増減率 日本 767 31.0% 885 35.2% 15.4% アジア 997 40.3% 921 36.7% ▲7.6% 欧州 470 19.0% 451 17.9

  14. Slide 14: アプリケーション別売上高（フェニテック）

    2026年3月期 第1四半期業績 ～アプリケーション別売上高（フェニテック）：参考値 IND For Further Growth Together IND 21.0% 27.0% OTHER OTHER 売上高 売上高 43.6% アプリ別 43.7% アプリ別 構成比 構成比 CAR MED CAR MED 32.4% 0.8% 28.6% 2.9% 25.3期 1Q実績 26.3期 1Q実績 (単位：百万円) 25.3期 1Q 26.3期 1Q 対前年同期比 アプリケーション 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 IND 産業機器 1,097 27% 796 21.0% ▲27.4%

  15. Slide 15: 地域別売上高（フェニテック）

    2026年3月期 第1四半期業績 ～地域別売上高（フェニテック） For Further Growth Together 北米 北米 27.6% 日本 日本 35.3% 売上高 売上高 39.0% 40.1% 地域別 地域別 構成比 欧州 構成比 9.2% 欧州 アジア アジア 8.2% 17.5% 23.1% 25.3期 1Q実績 26.3期 1Q実績 ※ 顧客の所在地別に区分しています。 (単位：百万円) 25.3期 1Q 26.3期 1Q 対前年同期比 地域（顧客） 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 日本 1,583 39.0% 1,517 40.1% ▲4.2% アジア 711

  16. Slide 16: 2026年3月期 業績予想

    2026年3月期 業績予想 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  17. Slide 17: 2026年3月期 業績予想 P/L概要及び主要指標

    2026年3月期 業績予想 P/L概要及び主要指標 26年３月期の業績予想に変更はありません (単位：百万円) 対前年 25.3期 26.3期 同期比 備考 通期実績 業績予想 増減率 売上高 23,957 25,500 ＋6.4％ 営業損益 ▲632 400 - 営業利益率 ▲2.7% 1.6% - 経常損益 ▲820 400 - 親会社株主に 帰属する当期純損益 ▲2,358 300 - EPS（円） ▲215.75 28.32 - 平均為替レート（1$=） ¥152.4 ¥145.0 - 減価償却費 2,468 2,000 ▲19.0% 設備投資 2,964 2,740 ▲7.6％ 本資

  18. Slide 18: 株主還元

    株主還元 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  19. Slide 19: 配当方針

    配当方針 配当につきましては、業績水準を反映した利益配分として 連結配当性向20％以上、安定的かつ継続的な株主還元 の拡充として株主資本配当率（ＤＯＥ）3％程度を当面 の目標として実施しております。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 18 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  20. Slide 20: 配当方針 配当性向20％以上、DOE3％程度

    配当方針 連結配当性向20％以上、ＤＯＥ3％程度を目標として還元 配当金：円 ＤＯＥ：％ 配当性向：％ 250 3.5% 3.6 3.2% 197.7% 3 200 2.7% 2.4 150 1.8 100 1.2 56円 56円 56円 50 0.6 ー ー 0 0 2024/3（実績） 2025/3（実績） 2026/3（予想） 年間配当金（左軸） 配当性向（左軸） DOE（右軸） 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 19 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  21. Slide 21: トピックス

    トピックス 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  22. Slide 22: 太陽電池搭載のEnerCera充電モジュールのデモ機を開発

    太陽電池搭載のEnerCera®充電モジュールのデモ機を開発 日本ガイシとトレックスは、有機薄膜太陽電池やペロブスカイト太陽電 池などの次世代の太陽電池を搭載したEnerCera®充電モジュール を開発しました。 ・ 発電電力をEnerCera®に充電しシステムへ供給 ⇒ 100μW程度の弱い電力も無駄にしない Solaires 搭載基板 「EnerCera」 シリーズ Powerfilm 搭載基板 ターゲットアプリケーション ・ウェアラブルデバイス ・IoTエッジデバイス ・工場／オフィスエッジデバイス ・室内環境モニタ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 21

  23. Slide 23: CV充電リチウム二次電池用 電圧検出器

    【CV充電リチウム二次電池用 電圧検出器】 新製品紹介 動作温度105℃ 定電圧充電リチウム二次電池用 電圧検出器 XC6142シリーズ 製品の特長 ・ 2.3V系 小型リチウム二次電池に最適化 ・ 動作周囲温度： -40℃～105℃ ターゲットアプリケーション CV充電対応二次電池の電圧監視 代表標準回路 電気二重層コンデンサの電圧監視 採用 リファレンス回路例 NGK EnerCeraシリーズ Nichicon SLBシリーズ Nichicon SLB シリーズ用 評価ボード NGK INSULATORS “EnerCera” ET シリーズ用 評価ボード 本資料の全部または一部についての

  24. Slide 24: 400nA超低消費電流 コイル一体型DC/DCコンバータ

    【400nA 超低消費電流 コイル一体型DC/DCコンバータ】 400nA 超低消費電流 PWM/PFM制御 コイル一体型 昇圧DC/DCコンバータ XCL108 シリーズ ・ PWM/PFM自動切換制御 ・ 同期整流 ドライバ FET内蔵 ・ CL-2025‐02 パッケージ 製品の特長 XCL108シリーズ 実装基板 ・ 400nA 超低消費電流 ・ 発信周波数：1.2MHz XCL108シリーズ 電力変換効率グラフ ・ 入力電圧範囲：0.65V ～ 5.5V ・ 動作温度：‐40℃ ～ 105℃ ・ 機能：電流制限、 負荷切断、ソフトスタート 用途 ・ 低電力無線通信機器、IoTモジュー

  25. Slide 25: 同期整流 降圧DC/DCコンバータ

    【同期整流 降圧DC/DCコンバータ】 PWM/PFM制御 36V高耐圧 600mA 降圧DC/DCコンバータ XC9704/XC9705 シリーズ ・ F-PWM、PWM/PFM自動切換制御 ・ 同期整流 ドライバ FET内蔵 ・ 入力電圧範囲 3.0V ～ 36V ・ SOT-89-5、 USP-6C 36V 600mA 降圧DC/DC 製品の特長 小型／低消費ソリューション ・ 高効率、低リップル電圧 ＜＜ 商談・採用事例 ＞＞ ・ 発信周波数：1.2MHz、 2.2MHz ・ 家庭用 エアコン ・ パワーグッド、UVLO、 ソフトスタート外調 ・ 業務用 エアコン、 リモコン／コントロ

  26. Slide 26: 高耐圧 コイル一体型DC/DCコンバータ

    【高耐圧 コイル一体型DC/DCコンバータ】 新製品リリース PWM/PFM制御 36V高耐圧 600mA 降圧DC/DCコンバータ XCL247/XCL248 シリーズ ・ F-PWM、PWM/PFM自動切換制御 ・ 同期整流 ドライバ FET内蔵 ・ 入力電圧範囲 3.0V ～ 36V ・ 動作温度範囲 ‐40℃～105℃ 製品の特長 ・ 徹底した小型化で約41％縮小（右図） ・ 電力変換の高効率化で発熱を大幅低減（右図） ・ ICの上部にコイルを実装する、トレックス独自の パッケージ採用で、超小型化を実現 ターゲットアプリケーション ・ 12V/24Vラインからの小型/低消費が必要な機器

  27. Slide 27: 深圳JETSEMIとトレックスが戦略的販売提携

    深圳JETSEMIとトレックスが戦略的販売提携 中国におけるサプライチェーンの現地化に対する顧客の需要の高まりに 対応するため、トレックスはJETSEMIをパートナーとして選定しました。 名称 深圳JET Semiconductor Technology Co., Ltd. URL http://www.jetsemi.com/ トレックスグループのメリット トレックスの高信頼性電源管理IC製品ラインの中 国における現地化を推進し、民生用電子機器、新 エネルギー、産業オートメーション などを含む中国 市場におけるトレックス製品の採用を加速させます。 本資料の全部または一部についての無断複製・無

  28. Slide 28: PANJIT社への子会社持分に係る基本合意書締結について

    PANJIT社への子会社持分に係る基本合意書締結について 2月7日に半導体製品の世界的IDMメーカーであるPANJIT社と、 当社の後工程を行うTVS社の持分の全部または一部を譲渡すること を目的とする基本合意書を締結したことを発表。 名称 PANJIT INTERNATIONAL INC. No. 24, Gangshan N. Rd., Gangshan 所在地 Dist., Kaohsiung City , Taiwan 売上高 12,707,319千台湾ドル (2023年12月期) （597億24百万円 / 1台湾ドル=4.7円換算） 資本金 3,821,149千台湾ドル 設立年月日

  29. Slide 29: フェニテックセミコンダクター

    フェニテックセミコンダクター 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  30. Slide 30: 化合物 ファウンドリ受託状況

    化合物 ファウンドリ受託状況 ファウンドリ受託 SiC GaN GaAs Ga2O3 主要化合物半導体(SiC・GaN・GaAs・Ga2O3) デバイスの ファウンドリをフレキシブルに受託できるのが、当社の“強み”です Ga2O3(酸化ガリウム)とは ファウンドリ 酸化ガリウム半導体は、従来のシリコン半導体と比較して、より高 Ga2O3 い耐圧と低い電力損失を実現できます。ワイドバンドギャップである ため、高温や高周波環境下での動作にも優れています。  広いバンドギャップ また、他の次世代半導体材料に比べて、基板の製造コストを大幅  高い絶縁破壊電界強度 に削減できる可能性があり、電力変換

  31. Slide 31: 化合物 ファウンドリ受託状況 SiC

    化合物 ファウンドリ受託状況 SiC(炭化ケイ素)とは ファウンドリ SiC半導体は、シリコンに対し高耐圧・高耐熱性、低損失、高速動 SiC 作に優れます。これにより、電力変換効率が向上し、デバイスの小型 化・軽量化が可能です。  広いバンドギャップ 応用分野は多岐に渡り、特に電気自動車のインバータやオンボード  高い絶縁破壊電界強度 チャージャー、鉄道車両の駆動システム、産業機器のパワーコンディ  高い電子移動度 ショナ、再生可能エネルギー分野などで実用化が進んでいます。高効  高い熱伝導率 率な電力制御を実現し、省エネルギー化に貢献する次世代パワー半  低いオン抵抗 導体として注

  32. Slide 32: シリコン ファウンドリ受託状況

    シリコン ファウンドリ受託状況 ファウンドリ受託 新規受注案件 ✓ 小信号ディスクリート,TVS,パワーデバイスを中心に多種製品の受注があり、幅 広い製品受託が可能な当社の”強み”が市場に支持されています ✓ 中華圏企業のチャイナプラスワン戦略や、不安定な市場環境の中、30年以上の 歴史を誇る当社ファウンドリ事業の安定性が支持され、受注が増加しています 新規受注案件 売上高見込み 「チャイナプラスワン」関連比率 新規受注案件製品比率 当社は、中国一極集中を避け生産拠点を分散する各社のリスクヘッジ戦略は続 くと見込み、チャイナプラスワン戦略関連案件を積極的に取り込みます 受託可能な幅広い製品受託

  33. Slide 33: Siパワーデバイス製品開発

    Siパワーデバイス製品開発 Si製品開発 新たなパワーデバイス開発により更なる売上アップを目指す Low Vth MOSFET 量産中 ・製品ラインナップ拡充を継続 スプリットゲート型MOSFET 60V プロセス開発成功し、狙い特性獲得 ・26.3期Q3 量産予定 ・製品ラインナップ拡充を継続 100V 150V 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 32 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  34. Slide 34: SiCパワーデバイス製品開発

    SiCパワーデバイス製品開発 SiC製品開発 新たなパワーデバイス開発により更なる売上アップを目指す SBD 自社開発品 量産フェーズ 650V 10A Gen.2,3 650V 20A Gen.2,3 1200V 10A Gen.2,3 650V 6,8,10A Gen.4 ✓ 今後も市場要望にスピーディなシリーズ拡充で対応 ・第2,3,4世代 サンプル提供中/顧客評価中 26.3期Q3量産予定 ・目標耐圧2200V,3300V品を開発中 MOS FET 自社開発品 1200V 20A Planar/Trench 1200V 40A Planar 1200V 80A Planar ✓電流ライ

  35. Slide 35: SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造

    SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造 広島大学 学長定例記者会見 2025.04.24 会見概要 当社は、広島大学との共同研究により、高温や高 放射線環境下で動作する半導体チップを鹿児島 工場で試作製造し、広島大学行われた記者会見 で、共同研究の成果として発表しました。 この半導体チップは、SiC(炭化ケイ素)を使用した 集積回路で、SiC集積回路の量産ファブでの試作 製造は、世界初の取組みとなります。 広島大学学長定例記者会見の様子 左は広島大学 黒木副所長 デバイス設計は主に広島大学が担当し、製造プロ 右は当社代表取締役 石井(陪席者として登壇) セス検討を合同で行い、鹿児島工場6インチ

  36. Slide 36: SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造

    SiC集積回路 鹿児島工場での試作製造 成果の内容 合同チームにより、新たにSiC集積回路専用の 製造プロセスを新たに構築 試作製造したSiC集積回路は、500℃の高温 や高い放射線量の中でも動作 シリコン半導体チップの一般的制限 最大温度 左は試作製造された集積回路などの図面 150℃、耐放射線性1kGry(キロ・グレイ)程度 右は試作製造されたSiCウェハー を越え、半導体の利用領域を大幅に拡げる 応用分野はシリコン半導体が使用できない領域 EV、原発の廃炉作業、粒子線医療、宇宙開発、 次世代原子炉・核融合炉など 今後は・・・ ✓ SiC集積回路設計・製造の環境整備 ✓ SiC集積回路の大

  37. Slide 37: セミコンジャパン・ネプコンジャパン 出展

    セミコンジャパン・ネプコンジャパン 出展 SEMICOM Japan 2025 中四国パビリオン 初出展  次回セミコンジャパン2025 中四国パビリオン に出展します 開催日 2025年12月17日(水) ～ 19日(金) 会場 東京ビッグサイト 西1ホール 第40回 ネプコン ジャパン 第40回インターネプコン ジャパン - エレクトロニクス開発・実装展 - - エレクトロニクス製造・実装展 -  次回ネプコンジャパン EMS/製造受託ゾーン に出展します 開催日 2026年1月21日(水) ～ 23日(金) 会場 東京ビッグサイト 東5ホール E8-38 今期は、継続出展となるネプコ

  38. Slide 38: Powerfully Small !

    Powerfully Small ! 常に豊かな知性と感性を磨き、 市場に適応した価値ある製品を創出し、 豊かな社会の実現と 地球環境の保全に貢献するとともに、 私たちの事業に携わるすべての人々が 共に繁栄すること 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 37 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  39. Slide 39: Appendix 会社紹介

    Appendix 会社紹介 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  40. Slide 40: 会社概要

    会社概要 1995年に設立。2014年にJASDAQスタンダード市場に上場、東証二部、一部を 経て、2022年4月に東証プライム市場に移行した半導体メーカーです。 所在地 東京都中央区新川1-24-1 DAIHO ANNEX 3F 常に豊かな知性と感性を磨き、市場 代表者 代表取締役社長 木村 岳史 に適応した価値ある製品を創出し、 資本金 29億6793万円（2025年6月30日現在） 豊かな社会の実現と地球環境の保 1.半導体デバイスの開発、設計製造 全に貢献するとともに、私たちの事業 事業内容 2.半導体デバイスの販売 に携わるすべての人々が共に繁栄する 従業員数 当社：188名 / グ

  41. Slide 41: 沿革

    沿革 電源IC一筋、省電力・小型化の技術でエレクトロニクス産業の発展に貢献してきました。 岡山に設立 1995 東京に本社を設置 TOREX SEMICONDUCTOR（S）PTE LTD 設立 2000 TOREX USA Corp. 設立 本社を茅場町に移転 TOREX SEMICONDUCTOR EUROPE LIMITED 設立 関西支社設立 TOREX SEMICONDUCTOR DEVICE 札幌技術センター開設 2005 （Shanghai）CO., LTD. 設立 東京都中央区茅場町に本店登録移転 TOREX （HONG KONG） LIMITED 設立 TOREX SEMIC

  42. Slide 42: トレックス・セミコンダクターグループの構成

    トレックス・セミコンダクターグループの構成 トレックス・ フェニテック セミコンダクター セミコンダクター ファブレスメーカー アナログ電源IC専業 × 半導体受託専業(ファウンドリ) ディスクリート、 パワーデバイス、 トレックス・ CMOSアナログ プロセス ・省電力／小型化の技術 ・高品質を支える生産ノウハウ セミコンダクター ・蓄積されたアナログ回路ノウハウ ・長期安定供給のJapanFab グループ 強み 強み ・マーケティングと製品企画力 ・車載 IATF16949取得工場 ・フレキシブルな生産工場 ・専門性の高い製造対応力 ・高品質をキープするQC ・オリジナルデバイスの開発力

  43. Slide 43: 拠点

    拠点 • 国内に東京本社を含む８拠点、海外に9つの拠点を設け、世界の需要に対応しています。 中国 イギリス  TOREX Shanghai  TOREX EUROPE  TOREX Shanghai/SHENZHEN OFFICE  TOREX HONG KONG アメリカ  TOREX USA 日本  TOREX USA R&D Center  東京本社  関西技術センター  札幌技術センター  中日本支社  フェニテック 岡山第1工場（本社）  フェニテック 岡山第2工場  フェニテック 鹿児島工場  フェニテック 京都営業部 台湾 シンガポール  TOREX

  44. Slide 44: トレックスの事業内容

    トレックスの事業内容 • 世界トップクラスの小型・省電力電源ICを開発・販売しています。 電源ICの役割 TOREXの電源IC 入出力 メモリ 制御回路 5V 1.5V CPU 100V 電源半導体 3V 小型 省電力 電圧 整流 変換 液晶パネル USB ﾊｰﾄﾞﾃﾞｨｽｸ ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ ﾄﾞﾗｲﾌﾞ 電子機器の様々な機能を動かすために 独自の技術で電子機器の 電圧を制御し安定供給する 小型化、省電力化に貢献 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 43 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  45. Slide 45: トレックスグループのターゲット市場

    トレックスグループのターゲット市場 トレックス・セミコンダクター フェニテックセミコンダクター 事業形態 ファブレス ファウンドリ 省エネに貢献するキーデバイスを提供 主な製品 電源IC ディスクリート パワー半導体 （SiC、GaN、酸化ガリウム） 産業機器 産業機器 5G、IoTモジュール 産業用ロボット、鉄道、インバータ 今後の 全固体電池モジュール 発電施設（風力・太陽光）、パワーコンディショナー 重点市場 車載機器 車載機器 自動運転、ADAS、車載カメラ EV向けパワー半導体 電子ミラー他、様々なECU 電装品 5G IoT 自動運転 EV 本資料の全部または一部についての無断複製

  46. Slide 46: パワー半導体 製品開発／製品ラインナップを強化

    パワー半導体 製品開発／製品ラインナップを強化 ●トレックス 電源ICに加え、パワー半導体製品も強化 パワー半導体事業拡大の専任組織を設置し、強力に推進 ・ MOS-FETラインナップ拡充（低Vth製品、中耐圧大電流製品、低リーク） ・ IGBT 製品開発の検討 ・ SiC 製品開発推進、製品の具体化 ⇒ フェニテック製 SiC-SBD トレックスよりPKG品サンプル提供中 ⇒ 順次、製品ラインナップを拡大 ・ 酸化ガリウム製品開発 ⇒ ノベルクリスタルテクノロジー社と共同開発 トレックスでは、フェニテックセミコンダクターが開発した、SiC ショットキーバリアダイオード 850V／10A品のサ

  47. Slide 47: トレックス製品の受賞歴

    トレックス製品の受賞歴 トレックスの電源ICは、省電力/小型のスペックが評価されています。 2023年度 日刊工業新聞主催 XC9145シリーズ：昇圧DC/DCコンバータ XC8110/8111シリーズ：ロードスイッチIC 回路の消費電流を400nAまで低減したPWM/PFM制 理想的なダイオードを再現し、チップイネーブル(CE)、過 御方式を採用することで、軽負荷時、特に 数μA の出力 電流制限、突入電流制限、サーマルシャットダウン機能 電流における電力効率を50～60％改善しました。 等を搭載したロードスイッチICです。 2022年度 2020年度 2019年度 2018年度 2018年

  48. Slide 48: プライム上場維持基準 適合状況

    プライム上場維持基準 適合状況 プライム市場の上場維持基準への適合状況 当社は、2025年3月31日時点において、東京証券取引所プライム市場における上場維持基準 について、下記のとおり不適合が生じておりますことをお知らせいたします。 上場維持基準6項目のうち5項目は充たしているものの、「流通株式時価総額」 が81.2億円と基 準値100億円以上を充たしておりません。 当社は、流通株式時価総額の基準に関し、上場維持基準を充たすべく、各種取組みを進めて参 ります。 流通株式 流通株式 流通株式 1日平均 株主数 純資産の額 数 時価総額 比率 売買代金 当社の状況 66,611 3,842人 81

  49. Slide 49: プライム上場維持基準の適合に向けた取り組みの基本方針

    プライム上場維持基準の適合に向けた取り組みの基本方針 時価総額 × 流通株式比率 ＝ 流通株式時価総額 上場維持基準の未達項目である 「流通株式時価総額」 の充足に向けて、収益性を改 善することを背景として株価を上昇させ、「時価総額」を向上させることで、2026年3月期末 日までに未達項目の適合を目指します。 主要製品である電源ICの売上及びディスクリート製品のファウンドリ売上拡大による収入の 拡大に注力するとともに、高付加価値製品の販売強化による収益率の改善、社内改善 活動による経費の低減を進め、収益性の向上を行います。 また、今年度中には2026年度から始まる新たな中期経営計画を策定し、中

  50. Slide 50: 免責事項

    免責事項 本資料に記載された内容は、2025年8月12日現在において一般的に入手可能な 情報と、合理的と判断する一定の前提に基づき、当社が作成したものです。 本資料に記載されている当社の中期計画、見通し等に関する記述は、将来の業績 を保証するものではなく、リスクと不確実性を内包するものです。 実際の業績は、これらの要素により本資料の記載内容と大きく異なる可能性があり ます。 投資に関するご決定をされる際、本資料のみに全面的に依拠することはお控えいた だき、みなさまご自身のご判断でなされるようお願い致します。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 49 Copyrigh

Torex Semiconductor — Q1 FY2026 Earnings Presentation on 6ix