Torex Semiconductor Ltd. · TSE:6616

Torex Semiconductor — Q3 FY2026.3 Earnings Presentation

47 slides from Torex Semiconductor's earnings presentation, Feb 13, 2026

Slide 1: 2026年3月期第3四半期決算説明資料
6616 2026年3月期第3四半期決算説明資料世界は「アナログ」でできているあらゆるフィールドで活躍するトレックスの電源IC 2026年 2月13日トレックス・セミコンダクター株式会社
Slide 3: サマリー
サマリートレックスは、アジア以外の全ての地域が回復し、増収増益フェニテックは、北米市場の売上が減少するも、経費抑制の取組みにより、減収増益 3Qまでの実績と足元の事業環境を踏まえ、2/9に 2026年3月期の業績予想の修正を発表本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 2 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 5: 2026年3月期第3四半期業績概要（連結）
2026年3月期第3四半期業績概要（連結） (単位：百万円) 25.3期 26.3期対前年同期比 3Q累計実績 3Q累計実績増減率売上高 18,305 18,226 ▲0.4% 営業利益 ▲104 695 - 営業利益率 ▲0.6% 3.8% 4.4pt 経常利益 ▲173 757 - 親会社株主に帰属する四半期純利益 ▲234 580 - EPS（円） ▲21.30 54.73 - 海外売上高比率（*1） 69.7％ 71.1% 1.4pt 平均為替レート（1$=） ¥152.8 ¥149.3 - 減価償却費 1,760 1,473 ▲16.3% 設備投資 2,487 2,120
Slide 6: 第3四半期業績売上高
2026年3月期第3四半期業績売上高 (単位：百万円) ：トレックス：フェニテック寄与分  トレックス 18,305 18,226 - アジア以外の全ての地域が回復し、増収 10,956 10,763 - 産業機器、医療機器、ウェアラブル機器分野が増加  フェニテック 7,349 7,463 - 北米市場の減少に伴い、減収 3,002 25.3期 3Q累計 26.3期 3Q累計 - 産業機器分野が減少 (単位：百万円) 25.3期 3Ｑ累計実績 26.3期 3Ｑ累計実績対前年同期比増減率売上高 18,305 18,226 ▲0.4% 本資料の全部または一部についての無断複製・
Slide 7: 第3四半期業績営業利益
2026年3月期第3四半期業績営業利益 (単位：百万円) ：トレックス：フェニテック寄与分 695  トレックス 480 - 売上増加の影響により増益  フェニテック 191 215 - 経費抑制の取組みの効果に ▲295 より増益 ▲104 25.3期 3Q累計 26.3期 3Q累計 (単位：百万円) 25.3期 3Q累計実績 26.3期 3Q累計実績対前年同期比増減率営業利益 ▲104 695 - 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 6 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 8: 親会社株主に帰属する四半期純利益
2026年3月期第3四半期業績親会社株主に帰属する四半期純利益 (単位：百万円) 580 営業利益の増加と、為替差損の減少により、増収 ▲234 25.3期 26.3期 3Q累計 3Q累計 (単位：百万円) 25.3期 3Q累計実績 26.3期 3Q累計実績対前年同期比増減率四半期純利益 ▲234 580 - 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 7 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 9: 売上高・営業利益の四半期推移
売上高・営業利益の四半期推移 (左軸：売上高) トレックス： (右軸：営業利益) (単位：百万円) フェニテック： (単位：百万円) 10,000 2,000 9,000 QoQでは増収が続く 1,800 7,699 8,000 1,600 売上高 6,873 6,848 7,000 1,400 6,404 6,347 6,305 6,194 6,251 6,273 6,014 6,000 営業利益 5,781 5,652 5,865 1,200 4,230 5,000 3,795 3,789 1,000 3,623 879 4,266 3,873 3,777 3,931 3,248 3,1
Slide 10: 資産・負債・純資産の状況
2026年3月期第3四半期業績資産・負債・純資産の状況 (単位：百万円) 25年3月期末 26年3月期 3Q末対前期末増減資産 33,607 35,298 1,691 負債 16,207 17,700 1,493 純資産 17,400 17,597 197 ＜参考＞キャッシュ・フロー関連指標の推移 25年3月期末 26年3月期 3Q末対前期末増減有利子負債 12,984 13,899 915 自己資本比率 51.8% 49.9％ ▲1.9pt D/Eレシオ 0.74 0.79 0.05pt 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 9 Copyright TO
Slide 12: アプリケーション別売上高（トレックス）
2026年3月期第3四半期業績～アプリケーション別売上高（トレックス） IND IND OTHER OTHER 37.1% 38.3% 43.4% 売上高 41.1% 売上高 7,349 7,463 WEA CAR WEA MED MED CAR 3.1% 14.0% 3.7% 2.4% 3.6% 13.3% 25.3期3Q累計実績 26.3期3Q累計実績 (単位：百万円) 25.3期 3Q累計 26.3期 3Q累計対前年同期比アプリケーション売上高構成比売上高構成比増減率 IND 産業機器 2,727 37.1% 2,861 38.3% 4.9% CAR 車載機器 1,03
Slide 13: 地域別売上高（トレックス）
2026年3月期第3四半期業績～地域別売上高（トレックス）北米北米 8.9% 9.1% 欧州日本欧州日本 17.7% 33.2% 17.8% 35.0% 売上高売上高 7,349 7,463 アジアアジア 40.2% 38.1% 25.3期3Q累計実績 26.3期3Q累計実績 (単位：百万円) 25.3期 3Q累計 26.3期 3Q累計対前年同期比地域（D-in） D-in 売上高構成比 D-in 売上高構成比増減率日本 2,440 33.2% 2,614 35.0% 7.1% アジア 2,953 40.2% 2,842 38.1% ▲3.8% 欧州 1,299
Slide 14: アプリケーション別売上高（フェニテック）
2026年3月期第3四半期業績～アプリケーション別売上高（フェニテック）：参考値 IND IND For Further Growth Together 24.3% 20.8% OTHER 売上高 OTHER 売上高 45.7% アプリ別 43.9% アプリ別構成比構成比 CAR CAR MED 28.2% MED 32.4% 1.8% 2.9% 25.3期3Q累計実績 26.3期3Q累計実績 (単位：百万円) 25.3期 3Q累計 26.3期 3Q累計対前年同期比アプリケーション売上高構成比売上高構成比増減率 IND 産業機器 2,873 24.3% 2,512 20.
Slide 15: 地域別売上高（フェニテック）
2026年3月期第3四半期業績～地域別売上高（フェニテック）：参考値 For Further Growth Together 北米北米 31.5% 日本 29.5% 日本売上高 38.9% 売上高 38.9% 地域別地域別構成比構成比欧州欧州 8.0% 10.4% アジアアジア 21.6% 21.2% 25.3期3Q累計実績 26.3期3Q累計実績 ※ 顧客の所在地別に区分しています。 (単位：百万円) 25.3期 3Q累計 26.3期 3Q累計対前年同期比地域（顧客）売上高構成比売上高構成比増減率日本 4,597 38.9% 4,695 38.9% 2.1
Slide 17: 2026年3月期業績予想 P/L概要及び主要指標
2026年3月期業績予想 P/L概要及び主要指標 26年３月期の業績予想を変更しました。 (単位：百万円) 26.3期対前年 26.3期対前年 25.3期業績予想同期比業績予想同期比通期実績増減率増減率（11/14）（2/9）売上高 23,957 24,500 ＋2.3％ 25,000 +4.4% 営業損益 ▲632 600 - 800 - 営業利益率 ▲2.7% 2.5% - 3.2% - 経常損益 ▲820 600 - 800 - 親会社株主に帰属する当期純損益 ▲2,358 400 - 550 - EPS（円） ▲215.75 39.65 - 51.88 -
Slide 20: 配当方針
配当方針連結配当性向20％以上、ＤＯＥ3％程度を目標として還元配当金：円ＤＯＥ：％配当性向：％ 250 3.5% 3.6 3.2% 3 200 2.7% 2.4 150 107.9% 1.8 100 1.2 56円 56円 56円 50 0.6 ーー 0 0 2024/3（実績） 2025/3（実績） 2026/3（予想）年間配当金（左軸）配当性向（左軸） DOE（右軸）本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 19 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 23: 本社移転について
本社移転について 11月25日に従業員エンゲージメント向上と持続的な企業成長を目指し、本社を移転 ― ABW導入による働き方改革環境配慮型オフィスへ ― 新住所東京都江東区豊洲6-4-34 メブクス豊洲 5階本社移転の目的 ※ビル外観従業員エンゲージメント向上と持続的な企業成長新オフィスのコンセプト “3つのC”（協働・創造・貢献）新オフィスの特徴【Activity Based Working（ABW）の導入】業務に応じた多様な空間、全従業員フリーアドレス制、部門横断コミュニケーション活性化を図る【従業員ウェルビーイングの向上】リフレッシュエリア／カフェスペース／オフィ
Slide 24: 650V SiCショットキーバリアダイオード
【突入電流に強い 650V、SiCショットキーバリアダイオード】突入電流やサージ電流に強い 650V、6A/8A/10A SiC ショットキーバリアダイオード・ XBSC41/XBSC42/XBSC43 シリーズ・高速スイッチング動作、低リカバリー損失・スイッチング電源、白物家電、汎用インバータ・力率改善回路、太陽光インバータ、無停電電源図3. パッケージTO-220AC (10.29 x 28.69 x 4.75mm) 図1. XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズ性能指数（FOM）図2. XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズサージ順電流（IFSM
Slide 25: 60V動作 1A 同期整流降圧DC/DCコンバータ
【60V動作 1A 同期整流降圧DC/DCコンバータ】ドライバ内蔵ブートストラップ同期整流降圧DC/DCコンバータ XC9711 シリーズ・ PWM制御、 PWM/PFM自動切換制御の制御選択端子付・同期整流 Nch－Nchドライバ FET内蔵・ DFN3030-12A（3.0×3.0×0.75㎜）パッケージ製品の特長 XC9711動作基板（10.8×8.2㎜エリア実装）・発信周波数：800kHz ・入力電圧範囲：4.5V ～ 60V XC9711シリーズ電力変換効率グラフ（VOUT=5V) ・出力電圧範囲：2.5V ～ 18.0V（外付け抵抗）・動作温度：‐
Slide 26: フィジカルAIへ向けたアプローチ
フィジカルAIへ向けたアプローチフィジカルAIは、現実世界の物理空間に直接作用するAIで、センサーを使用して周辺の情報をキャッチし、マイコンで情報処理を行い、モーターなどを使用して実際に動作をさせるものです。ヒューマノイドロボットなどはイメージし易いと思います。 TRXが培ってきた小型で省電力の電源ICは、センサーやマイコン、モーターなど多くの部分で実際に動作を伴う際に、高性能に活躍できるICとなります。トレックスの電源ICは、省電力/小型のスペックが評価されています。 2025年度 2023年度 2023年度 2022年度日刊工業新聞主催日刊工業新聞主催省エネルギーセンター主
Slide 27: PANJIT社への子会社持分に係る契約締結について
PANJIT社への子会社持分に係る契約締結について 12月18日に半導体製品の世界的IDMメーカーであるPANJIT社と、当社の後工程を行うTVS社の持分の95％を譲渡する契約を締結を祝したセレモニーを行いました。名称 PANJIT INTERNATIONAL INC. No. 24, Gangshan N. Rd., Gangshan 所在地 Dist., Kaohsiung City , Taiwan 売上高 12,707,319千台湾ドル (2023年12月期) （597億24百万円 / 1台湾ドル=4.7円換算）トレックスグループのメリット PANJIT社の製造技術力と、ファブ
Slide 29: 化合物ファウンドリ受託状況
化合物ファウンドリ受託状況ファウンドリ受託 SiC GaN GaAs Ga2O3 主要化合物半導体(SiC・GaN・GaAs・Ga2O3) デバイスのファウンドリをフレキシブルに受託できるのが、当社の“強み”です Ga2O3(酸化ガリウム)とはファウンドリ酸化ガリウム半導体は、従来のシリコン半導体と比較して、より高 Ga2O3 い耐圧と低い電力損失を実現できます。ワイドバンドギャップであるため、高温や高周波環境下での動作にも優れています。  広いバンドギャップまた、他の次世代半導体材料に比べて、基板の製造コストを大幅  高い絶縁破壊電界強度に削減できる可能性があり、電力変換
Slide 30: 化合物ファウンドリ受託状況（SiC）
化合物ファウンドリ受託状況 SiC(炭化ケイ素)とはファウンドリ SiC半導体は、シリコンに対し高耐圧・高耐熱性、低損失、高速動 SiC 作に優れます。これにより、電力変換効率が向上し、デバイスの小型化・軽量化が可能です。  広いバンドギャップ応用分野は多岐に渡り、特に電気自動車のインバータやオンボード  高い絶縁破壊電界強度チャージャー、鉄道車両の駆動システム、産業機器のパワーコンディ  高い電子移動度ショナ、再生可能エネルギー分野などで実用化が進んでいます。高効  高い熱伝導率率な電力制御を実現し、省エネルギー化に貢献する次世代パワー半  低いオン抵抗導体として注
Slide 31: SiCパワーデバイス製品開発
SiCパワーデバイス製品開発 SiC製品開発新たなパワーデバイス開発により更なる売上アップを目指す SBD 自社開発品 650V 10A Gen.2,3 650V 20A Gen.2,3 1200V 10A Gen.2,3 650V 6,8,10A Gen.4 ✓ 今後も市場要望にスピーディなシリーズ拡充で対応・第4世代量産開始・第2,3,4世代サンプル提供中/顧客評価中・目標耐圧2200V,3300V品を開発中 MOS FET 自社開発品 1200V 20A Planar/Trench 1200V 40A Planar 1200V 80A Planar ✓電流ラインナップシリーズ
Slide 32: SiCIC社会実装プロジェクト
広島大学との共同研究 SiCIC社会実装プロジェクト Roadmap Step1. SiC-IC PDK整備と応用開拓 Step2. システム側研究開発パートナー拡大 Step3. SiCデバイス生産拠点左は試作製造された集積回路などの図面パートナーをシステムメーカーに拡大鹿児島工場右は試作製造されたSiCウェハー広島大学学長定例記者会見(2025.4.24)で公式発表となった、広島大学黒木副所長及びその研究チームとの共同研究「SiCIC社会実装プロジェクト」を当社は強力に推進しております。当プロジェクトは、その目的である「原発の廃炉対応や金星探査など高温／高放射線などの極
Slide 33: Siパワーデバイス製品開発
Siパワーデバイス製品開発 Si製品開発新たなパワーデバイス開発により更なる売上アップを目指す Low Vth MOSFET 量産中・製品ラインナップ拡充を継続スプリットゲート型MOSFET 60V プロセス開発成功し、狙い特性獲得・26.3期Q4 量産予定・製品ラインナップ拡充を継続 30V 40V 100V 150V 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 32 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 34: シリコンファウンドリ受託状況
シリコンファウンドリ受託状況ファウンドリ受託新規受注案件 ✓ 小信号ディスクリート,TVS,パワーデバイスを中心に多種製品の受注があり、幅広い製品受託が可能な当社の”強み”が市場に支持されています ✓ 中華圏企業のチャイナプラスワン戦略や、不安定な市場環境の中、30年以上の歴史を誇る当社ファウンドリ事業の安定性が支持され、受注が増加しています新規受注案件売上高見込み「チャイナプラスワン」関連比率新規受注案件製品比率中国一極集中を避け生産拠点を分散する各社のリスクヘッジ戦略は続くと見込み、チャイナプラスワン戦略関連案件を積極的に取り込みます受託可能な幅広い製品受託を推進す
Slide 35: セミコンジャパン出展
セミコンジャパン出展 SEMICOM Japan 2025 中四国パビリオン初出展  次回セミコンジャパン2025 中四国パビリオンに初出展しました開催日 2025年12月17日(水) ～ 19日(金) 会場東京ビッグサイト西1ホール当社ブースファウンドリサービス・ SiC・Si自社開発品などウェハーを展示当社担当者説明の様子自社開発品をPR SiC-化合物-Siファウンドリ企業としての魅力を存分に発信してまいりました。展示ウェハーを中心とした当社生産品などに対して、数多くのお問い合わせをいただきました。各種メーカー様を中心に多数の具体的な商談案件を受け、今後の大
Slide 36: 先進パワー半導体分科会
先進パワー半導体分科会先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025.11.20 講演開催日 2025年11月19日(水) ～ 20日(金) 主催公益社団法人応用物理学会先進パワー半導体分科会会場富山国際会議場講演内容貼り合わせSiC基板を使ったパワーデバイス開発 Development of Power Device Fabricated on 4H-SiC Bonded Substrate 当社技術担当者登壇の様子当社所属社員が、2025年11月20日に開催された「先進パワー半導体分科会第12回講演会」において、研究成果を発表いたしました。今回の講演内容は、当社
Slide 37: せとうち半導体コンソーシアム
せとうち半導体コンソーシアムせとうち半導体コンソーシアムセミナーせとうち半導体コンソーシアム組織広島大学半導体産業技術研究所を中心とした産学連携組織会員 (正会員)：企業32社、2大学、産総研・広島県・東広島 (特別会員)：中国経産局 (賛助会員)：1団体ミッション「半導体産業を核とした新たな経済価値創出」、「環境配慮型のファブ・産業集積への基盤技術創出」による我が国の半導体産業再興・さらなる成長への貢献開催日 2025年12月15日(月) 主催・共催広島大学半導体産業技術研究所せとうち半導体コンソーシアム会場広島大学半導体産業技術研究所Ｊイノベ棟１Ｆ講演内容貼
Slide 38: Powerfully Small !
Powerfully Small ! 常に豊かな知性と感性を磨き、市場に適応した価値ある製品を創出し、豊かな社会の実現と地球環境の保全に貢献するとともに、私たちの事業に携わるすべての人々が共に繁栄すること本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 37 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 40: 会社概要
会社概要 1995年に設立。2014年にJASDAQスタンダード市場に上場、東証二部、一部を経て、2022年4月に東証プライム市場に移行した半導体メーカーです。所在地東京都江東区豊洲6-4-34 メブクス豊洲 5階常に豊かな知性と感性を磨き、市場代表者代表取締役社長木村岳史に適応した価値ある製品を創出し、資本金 29億6793万円（2025年12月31日現在）豊かな社会の実現と地球環境の保 1.半導体デバイスの開発、設計製造全に貢献するとともに、私たちの事業事業内容 2.半導体デバイスの販売に携わるすべての人々が共に繁栄する従業員数当社：185名 / グループ：
Slide 41: 沿革
沿革電源IC一筋、省電力・小型化の技術でエレクトロニクス産業の発展に貢献してきました。岡山に設立 1995 東京に本社を設置 TOREX SEMICONDUCTOR（S）PTE LTD 設立 2000 TOREX USA Corp. 設立本社を茅場町に移転 TOREX SEMICONDUCTOR EUROPE LIMITED 設立関西支社設立 TOREX SEMICONDUCTOR DEVICE 札幌技術センター開設 2005 （Shanghai）CO., LTD. 設立東京都中央区茅場町に本店登録移転 TOREX （HONG KONG） LIMITED 設立 TOREX SEMIC
Slide 42: トレックス・セミコンダクターグループの構成
トレックス・セミコンダクターグループの構成トレックス・フェニテックセミコンダクターセミコンダクターファブレスメーカーアナログ電源IC専業 × 半導体受託専業(ファウンドリ) ディスクリート、パワーデバイス、トレックス・ CMOSアナログプロセス・省電力／小型化の技術・高品質を支える生産ノウハウセミコンダクター・蓄積されたアナログ回路ノウハウ・長期安定供給のJapanFab グループ強み強み・マーケティングと製品企画力・車載 IATF16949取得工場・フレキシブルな生産工場・専門性の高い製造対応力・高品質をキープするQC ・オリジナルデバイスの開発力
Slide 43: 拠点
拠点 • 国内に東京本社を含む７拠点、海外に9つの拠点を設け、世界の需要に対応しています。中国イギリス  TOREX Shanghai  TOREX EUROPE  TOREX Shanghai/SHENZHEN OFFICE  TOREX HONG KONG アメリカ  TOREX USA 日本  TOREX USA R&D Center  東京本社  関西技術センター  札幌技術センター  フェニテック岡山第1工場（本社）  フェニテック岡山第2工場  フェニテック鹿児島工場  フェニテック京都営業部台湾シンガポール  TOREX TAIWAN
Slide 44: トレックスの事業内容
トレックスの事業内容 • 世界トップクラスの小型・省電力電源ICを開発・販売しています。電源ICの役割 TOREXの電源IC 入出力メモリ制御回路 5V 1.5V CPU 100V 電源半導体 3V 小型省電力電圧整流変換液晶パネル USB ﾊｰﾄﾞﾃﾞｨｽｸﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘﾄﾞﾗｲﾌﾞ電子機器の様々な機能を動かすために独自の技術で電子機器の電圧を制御し安定供給する小型化、省電力化に貢献本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 43 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.
Slide 45: コイル一体型 XCLシリーズ形状紹介
コイル一体型 XCLシリーズ形状紹介 ●豊富な構造で、適材適所に対応するTRXの “ micro DC/DC ” ・ DC/DCコンバータとコイルを一体化することで、基板の実装面積を削減・低ノイズ、小型、高放熱に優れ、あらゆるシーンで高効率で安定した電源回路構成が可能・中高耐圧／大電流化に向け、更なる進化を続けています。構造名ポケットタイプスタックタイプマルチプルタイプクールポストタイプ構造図モールドされたICにコイルをスタッ構造説明 ICをコイルで覆ってしまう方法コイル上にICをスタックする方法コイルとICを横に並べる方法クする方法 ◎ 放射ノイズ〇
Slide 46: トレックスグループのターゲット市場
トレックスグループのターゲット市場トレックス・セミコンダクターフェニテックセミコンダクター事業形態ファブレスファウンドリ省エネに貢献するキーデバイスを提供主な製品電源IC ディスクリートパワー半導体（SiC、GaN、酸化ガリウム）産業機器産業機器 5G、IoTモジュール産業用ロボット、鉄道、インバータ今後の全固体電池モジュール発電施設（風力・太陽光）、パワーコンディショナー重点市場車載機器車載機器自動運転、ADAS、車載カメラ EV向けパワー半導体電子ミラー他、様々なECU 電装品 5G IoT 自動運転 EV 本資料の全部または一部についての無断複製
Slide 47: 免責事項
免責事項本資料に記載された内容は、2026年2月13日現在において一般的に入手可能な情報と、合理的と判断する一定の前提に基づき、当社が作成したものです。本資料に記載されている当社の中期計画、見通し等に関する記述は、将来の業績を保証するものではなく、リスクと不確実性を内包するものです。実際の業績は、これらの要素により本資料の記載内容と大きく異なる可能性があります。投資に関するご決定をされる際、本資料のみに全面的に依拠することはお控えいただき、みなさまご自身のご判断でなされるようお願い致します。本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 46 Copyrigh

Torex Semiconductor — Q3 FY2026.3 Earnings Presentation on 6ix

Torex Semiconductor — Q3 FY2026.3 Earnings Presentation

Slide 1: 2026年3月期 第3四半期 決算説明資料

Slide 2: 目次

Slide 3: サマリー

Slide 4: 2026年3月期 第3四半期業績

Slide 5: 2026年3月期 第3四半期業績概要（連結）

Slide 6: 第3四半期業績 売上高

Slide 7: 第3四半期業績 営業利益

Slide 8: 親会社株主に帰属する四半期純利益

Slide 9: 売上高・営業利益の四半期推移

Slide 10: 資産・負債・純資産の状況

Slide 11: トレックス／フェニテック 各単体

Slide 12: アプリケーション別売上高（トレックス）

Slide 13: 地域別売上高（トレックス）

Slide 14: アプリケーション別売上高（フェニテック）

Slide 15: 地域別売上高（フェニテック）

Slide 16: 2026年3月期 業績予想

Slide 17: 2026年3月期 業績予想 P/L概要及び主要指標

Slide 18: 株主還元

Slide 19: 配当方針

Slide 20: 配当方針

Slide 21: トピックス

Slide 22: トレックス・セミコンダクター

Slide 23: 本社移転について

Slide 24: 650V SiCショットキーバリアダイオード

Slide 25: 60V動作 1A 同期整流降圧DC/DCコンバータ

Slide 26: フィジカルAIへ向けたアプローチ

Slide 27: PANJIT社への子会社持分に係る契約締結について

Slide 28: フェニテックセミコンダクター

Slide 29: 化合物 ファウンドリ受託状況

Slide 30: 化合物 ファウンドリ受託状況（SiC）

Slide 31: SiCパワーデバイス製品開発

Slide 32: SiCIC社会実装プロジェクト

Slide 33: Siパワーデバイス製品開発

Slide 34: シリコン ファウンドリ受託状況

Slide 35: セミコンジャパン 出展

Slide 36: 先進パワー半導体分科会

Slide 37: せとうち半導体コンソーシアム

Slide 38: Powerfully Small !

Slide 39: Appendix 会社紹介

Slide 40: 会社概要

Slide 41: 沿革

Slide 42: トレックス・セミコンダクターグループの構成

Slide 43: 拠点

Slide 44: トレックスの事業内容

Slide 45: コイル一体型 XCLシリーズ 形状紹介

Slide 46: トレックスグループのターゲット市場

Slide 47: 免責事項

Slide 1: 2026年3月期第3四半期決算説明資料

Slide 4: 2026年3月期第3四半期業績

Slide 5: 2026年3月期第3四半期業績概要（連結）

Slide 6: 第3四半期業績売上高

Slide 7: 第3四半期業績営業利益

Slide 11: トレックス／フェニテック各単体

Slide 16: 2026年3月期業績予想

Slide 17: 2026年3月期業績予想 P/L概要及び主要指標

Slide 29: 化合物ファウンドリ受託状況

Slide 30: 化合物ファウンドリ受託状況（SiC）

Slide 34: シリコンファウンドリ受託状況

Slide 35: セミコンジャパン出展

Slide 45: コイル一体型 XCLシリーズ形状紹介