Torex Semiconductor Ltd. · TSE:6616

Torex Semiconductor — Q3 FY2021 Earnings Presentation

41 slides from Torex Semiconductor's earnings presentation, Feb 15, 2021

  1. Slide 1: 2021年3月期 第3四半期 決算説明資料

    6616 2021年3月期 第3四半期 決算説明資料 世界は「アナログ」でできている 2021年2月15日 あらゆるフィールドで活躍するトレックスの電源IC トレックス・セミコンダクター株式会社

  2. Slide 2: 目次

    目次 1 2021年3月期 第3四半期業績 2 2021年3月期 業績予想 3 株主還元 Appendix 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 1 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  3. Slide 3: 2021年3月期 第3四半期業績

    2021年3月期 第3四半期業績 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  4. Slide 4: 第3四半期まとめ

    2021年3月期 第3四半期まとめ トレックスは、車載機器が大幅に減少するも、減収増益 フェニテックは、産業機器、民生機器の回復継続 2021年3月期通期の業績予想を上方修正。 増収減益の予想を下半期の市場環境の改善を鑑みて 増収増益の予想に修正 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 3 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  5. Slide 5: 第3四半期業績概要（連結）

    2021年3月期 第3四半期業績概要（連結） (単位：百万円) 20.3期 21.3期 対前年同期比 科目 3Q累計実績 3Q累計実績 増減率 売上高 15,929 17,170 7.8% 営業利益 534 693 29.7% 営業利益率 3.4% 4.0% 0.6pt 経常利益 518 526 1.4％ 親会社株主に 帰属する四半期純利益 290 388 33.5% EPS（円） 26.4 35.5 34.5% 海外売上高比率（*1） 67.3％ 71.3％ 4.0pt 平均為替レート（1$=） ¥109.1 ¥105.9 - 減価償却費 956 872 ▲8.8% 設備投資 875 860

  6. Slide 6: 第3四半期業績 売上高

    2021年3月期 第3四半期業績 売上高 (単位：百万円)  トレックス ：トレックス ：フェニテック寄与分 - 昨年度計上した中国のETC向け 大型案件の反動減、上期における 17,170 15,929 自動車業界の生産休止等の影響に より車載機器が大幅に減少 8,515 10,429  フェニテック 7,414 - 北米の産業機器、中華圏の民生 6,741 機器が大幅に回復 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 - 国内の車載機器は、回復基調 (単位：百万円) 20.3期 3Ｑ累計実績 21.3期 3Ｑ累計実績 対前年同期比増減率 売上高 15,929 17,170 7.8％ 本

  7. Slide 7: 第3四半期業績 営業利益

    2021年3月期 第3四半期業績 営業利益 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分 693  トレックス 534 - 売上は減少するも、費用の抑制に 278 つとめ増益 141  フェニテック 415 - 北米や中華圏の大幅な増収効果 393 - 受注回復による稼働率向上 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 (単位：百万円) 20.3期 3Q累計実績 21.3期 3Q累計実績 対前年同期比増減率 営業利益 534 693 29.7% 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 6 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD.

  8. Slide 8: 第3四半期業績 親会社株主に帰属する四半期純利益

    2021年3月期 第3四半期業績 親会社株主に帰属する 四半期純利益 (単位：百万円) 388 為替差損が増加するも、特別損失や 290 税金費用の減少により、増益 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 (単位：百万円) 20.3期 3Q累計実績 21.3期 3Q累計実績 対前年同期比増減率 四半期純利益 290 388 33.5％ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 7 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  9. Slide 9: 売上高・営業利益の四半期推移

    売上高・営業利益の四半期推移 フェニテック： トレックス ： (左軸：売上高) (右軸：営業利益) (単位：百万円) 売上高・営業利益の四半期推移 (単位：百万円) 7,000 1,400 6,203 6,266 6,074 6,000 5,858 5,762 1,200 5,534 5,598 5,571 5,550 売上高 5,353 5,000 4,797 1,000 3,727 3,539 3,642 2,884 2,595 2,885 3,035 3,322 3,688 3,330 3,411 4,000 営業利益 800 675 676 3,000 600 433 413 487

  10. Slide 10: 第3四半期業績 資産・負債・純資産の状況

    2021年3月期 第3四半期業績 資産・負債・純資産の状況 (単位：百万円) 科目 20年3月期末 21.3期 3Q末 対前期末増減 資産 27,846 30,134 2,287 負債 9,175 11,520 2,345 純資産 18,671 18,613 ▲57 ＜参考＞キャッシュ・フロー関連指標の推移 科目 20年3月期末 21.3期 3Q末 対前期末増減 有利子負債 4,649 7,659 3,010 自己資本比率 67.1% 61.8% ▲5.3pt D/Eレシオ 0.25 0.41 0.16 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 9 Copyright T

  11. Slide 11: 業績予想

    2021年3月期 業績予想 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  12. Slide 12: 業績予想 P/L概要及び主要指標

    2021年3月期 業績予想 P/L概要及び主要指標 (単位：百万円) 21.3期 対前年 20.3期 21.3期 科目 業績予想 同期比 通期実績 業績修正予想 （11月13日発表） 増減率 売上高 21,500 23,000 23,500 9.3% 営業利益 678 500 900 32.7% 営業利益率 3.2% 2.2% 3.8％ 0.6pt 経常利益 676 400 700 3.5％ 親会社株主に 帰属する当期純利益 417 340 500 19.8% EPS（円） 37.97 31.14 45.76 20.5% 平均為替レート（1$=） ¥109.1 ¥106.0 ¥105.0 -

  13. Slide 13: 業績予想 売上高

    2021年3月期 業績予想 売上高 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分 23,500 トレックスは、4Qの大幅回復を 21,500 見込み、前年並みの予想 フェニテックは、産業機器、民生機器 11,837 の好調継続、車載機器の回復を見 込み増収の予想 9,663 2020/3期 2021/3期 実績 業績修正予想 (単位：百万円) 2020年3月期 実績 2021年3月期 業績修正予想 対前年増減率 売上高 21,500 23,500 9.3％ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 12 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR

  14. Slide 14: 業績予想 営業利益

    2021年3月期 業績予想 営業利益 (単位：百万円) ：トレックス ：フェニテック寄与分 市況回復による増収効果に加え、 900 収益性の改善を見込み、 678 トレックス・フェニテックともに増益の予想 225 453 2020/3期 2021/3期 実績 業績予想 2020年3月期 実績 2021年3月期 業績修正予想 対前年増減率 営業利益 678 900 32.7％ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 13 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  15. Slide 15: トレックス／フェニテック 各単体

    トレックス／フェニテック 各単体 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  16. Slide 16: アプリケーション別売上高（トレックス）

    2021年3月期 第3四半期業績 ～アプリケーション別売上高（トレックス）：参考値 OTHER 売上高 IND OTHER 売上高 IND 42.0% 35.5% 45.2% 36.2% 7,414 6,741 WEA WEA 2.3% CAR CAR 3.7% MED 19.2% 12.5% 1.0% MED 2.4% 20.3期3Q累計実績 21.3期3Q累計実績 (単位：百万円) 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 対前年同期比 アプリケーション 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 IND 産業機器 2,629 35.5% 2,440 36.2% ▲7.2% CAR 車載機器

  17. Slide 17: 地域別売上高（トレックス）

    2021年3月期 第3四半期業績 ～地域別売上高（トレックス） 北米 北米 8.9% 10.1% 欧州 欧州 12.2% 日本 11.9% 日本 売上高 42.4% 売上高 40.8% 7,414 6,741 アジア アジア 36.5% 37.2% 20.3期3Q累計実績 21.3期3Q累計実績 (単位：百万円) 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 対前年同期比 地域（D-in） D-in 売上高 構成比 D-in 売上高 構成比 増減率 日本 3,144 42.4% 2,749 40.8% ▲12.6% アジア 2,705 36.5% 2,506 37.2% ▲7.4% 欧州 902

  18. Slide 18: アプリケーション別売上高（フェニテック）

    2021年3月期 第3四半期業績 ～アプリケーション別売上高（フェニテック）：参考値 IND For Further Growth Together IND 18.7% 13.6% 売上高 売上高 OTHER アプリ別 OTHER アプリ別 CAR 56.8% CAR 58.8% 構成比 21.4% 構成比 27.8% MED MED 1.1% 1.8% 20.3期3Q累計実績 21.3期3Q累計実績 (単位：百万円) 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 対前年同期比 アプリケーション 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 IND 産業機器 1,313 13.6% 2,129 18.

  19. Slide 19: 地域別売上高（フェニテック）

    2021年3月期 第3四半期業績 ～地域別売上高（フェニテック） For Further Growth Together 北米 北米 29.4% 日本 日本 34.8% 売上高 43.3% 売上高 33.8% 地域別 地域別 構成比 構成比 欧州 7.1% 欧州 アジア 6.2% アジア 20.2% 25.2% 20.3期3Q累計実績 21.3期3Q累計実績 ※ 顧客の所在地別に区分しています。 (単位：百万円) 20.3期 3Q累計 21.3期 3Q累計 対前年同期比 地域（顧客） 売上高 構成比 売上高 構成比 増減率 日本 4,183 43.3% 3,864 33.8% ▲7.6％ アジ

  20. Slide 20: 株主還元

    株主還元 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  21. Slide 21: 配当方針

    配当方針 戦略的投資による成長力の向上を図りつつ、当社を取り巻 く経営環境並びに中長期の連結業績及び株主資本利益 率の水準を踏まえて実施していくことといたします。 配当につきましては、業績水準を反映した利益配分として 連結配当性向20％以上、安定的かつ継続的な株主還元 の拡充として株主資本配当率（ＤＯＥ）3％程度を当面 の目標として実施してまいります。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 20 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  22. Slide 22: 配当方針 配当性向・DOE推移

    配当方針 連結配当性向20％以上、ＤＯＥ3％程度を目標として還元 配当金：円 ＤＯＥ：％ 配当性向：％ 120 4 105.2% 3.5 100 3 2.5% 80 2.3% 69.9% 2.5 60 1.9％ 2 ※ 38円 40円 1.5 40 32円 39.6% 1 20 0.5 0 0 ※一部指定記念2円含む 2019/3（実績） 2020/3（実績） 2021/3（予想） 年間配当金（左軸） 配当性向（左軸） DOE（右軸） 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 21 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights

  23. Slide 23: Appendix 会社紹介

    Appendix 会社紹介 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  24. Slide 24: 会社概要

    会社概要 2014年4月にJASDAQスタンダード市場に上場、2015年10月に東証二部に市場 変更し、2018年3月に東証一部指定となった、創業25年の半導体メーカーです。 所在地 東京都中央区新川1-24-1 DAIHO ANNEX 3F 常に豊かな知性と感性を磨き、市場 代表者 代表取締役社長 芝宮 孝司 に適応した価値ある製品を創出し、 資本金 29億6793万円（2020年12月31日現在） 豊かな社会の実現と地球環境の保 1.半導体デバイスの開発、設計製造 全に貢献するとともに、私たちの事業 事業内容 2.半導体デバイスの販売 に携わるすべての人々が共に繁栄する 従業員数 当社：1

  25. Slide 25: 沿革

    沿革 • 電源IC一筋、省電力・小型化の技術でエレクトロニクス産業技術の発展に貢献し てきました 岡山に設立 1995 東京に本社を設置 TOREX SEMICONDUCTOR（S）PTE LTD 設立 TOREX USA Corp. 設立 2000 本社を茅場町に移転 TOREX SEMICONDUCTOR EUROPE LIMITED 設立 関西支社設立 TOREX SEMICONDUCTOR DEVICE 2005 （Shanghai）CO., LTD. 設立 TOREX （HONG KONG） LIMITED 設立 茅場町に本店登録移転 TOREX SEMICONDUCTOR TAIW

  26. Slide 26: トレックス・グループの事業内容

    トレックス・グループの事業内容 トレックス・セミコンダクター フェニテックセミコンダクター 超小型・省電力 ファンドリー（半導体受託製造） 電源ICの開発・販売 当社出資比率100％ ※ファンドリー：顧客から半導体の製造工程を受託し、顧客の設計データに基づいて半導体を製造する会社 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 25 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  27. Slide 27: 拠点

    拠点 • 国内に東京本社を含む８拠点、海外に9つの拠点を設け、世界の需要に対応しています。 中国 イギリス  TOREX Shanghai  TOREX EUROPE  TOREX Shanghai/SHENZHEN OFFICE  TOREX HONG KONG アメリカ  TOREX USA 日本  TOREX USA R&D Center  東京本社  関西技術センター  札幌技術センター  名古屋営業所  フェニテック本社  フェニテック第一工場  鹿児島工場  京都デザインセンター 台湾 シンガポール  TOREX TAIWAN  TOREX SING

  28. Slide 28: トレックスの事業内容

    トレックスの事業内容 • 世界トップクラスの小型・省電力電源ICを開発・販売しています。 電源ICの役割 TOREXの電源IC 入出力 メモリ 制御回路 5V 1.5V CPU 100V 電源半導体 3V 小型 省電力 電圧 整流 変換 液晶パネル USB ﾊｰﾄﾞﾃﾞｨｽｸ ﾌﾗｯｼｭﾒﾓﾘ ﾄﾞﾗｲﾌﾞ 電子機器の様々な機能を動かすために 独自の技術で電子機器の 電圧を制御し安定供給する 小型化、省電力化に貢献 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 27 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  29. Slide 29: フェニテックの事業内容

    フェニテックの事業内容 • フェニテックセミコンダクターは、国内唯一の半導体受託製造専業メーカーです。 提供する製品 提供する製品 ディスクリート 1つの機能だけ備えた単機能半導体 半導体業界の”ねじ”と”くぎ”のような存在 その中でも、パワー半導体を中心とした 高品質・高付加価値の製品を提供 主なディスクリート製品 交流を直流に変換したり、逆流を防ぐ ダイオード など、電気の流れを整える部品。 電気を流したり、止めたりするなど、 トランジスタ 電気の流れをコントロールする部品。 電力制御の用途で使用される部品パ IGBT ワー半導体分野のトランジスタ分野に 分類される。 ※ファンドリー：顧客

  30. Slide 30: ノベルクリスタルテクノロジー社への出資①

    ノベルクリスタルテクノロジー社への出資① 次世代パワー半導体である酸化ガリウムを開発する ノベルクリスタルテクノロジー社と資本提携 会社名 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 酸化ガリウムとは SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム）に続く 所在地 埼玉県狭山市広瀬台2-3-1 「第3のパワーデバイス用ワイドギャップ半導体」 代表者の役職・氏名 倉又 朗人 酸化ガリウムエピタキシャル膜付基板の製造販売 酸化ガリウムの特徴 事業内容 単結晶およびその応用製品の製造販売 ・デバイスや基板などの研究開発で日本が圧倒 半導体およびその応用製品の製造販売 的に先行 ・理論的な性能がシリコンよりも圧

  31. Slide 31: ノベルクリスタルテクノロジー社への出資②

    ノベルクリスタルテクノロジー社への出資② 酸化ガリウムのメリット ・SiCやGaNよりも大きなバンドギャップエネルギーを有することから、低消費電力と高耐圧を 兼ね備えたパワーデバイスとして期待される。 ・酸化ガリウムを使用したパワーデバイスは、産業用電力機器、電気自動車、鉄道、分散 電源等への応用が期待される。 ※出所：富士経済「2016年度次世代パワーデバイス＆パワエレ関連機器市場の現状と将来展望」を 基にノベルクリスタルテクノロジー社が作成 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 30 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All R

  32. Slide 32: ノベルクリスタルテクノロジー社への出資③

    ノベルクリスタルテクノロジー社への出資③ 酸化ガリウムの製造コストと市場予測 ・SiCやGaNには不可能な融液成長法による単結晶育成が可能なため、高品質で大型の 単結晶基板を、 SiCやGaNの1/100の時間で低コストに製造することが可能。 ・酸化ガリウムパワーデバイスが実用化されれば、シリコンと同等のコストで、シリコンデバイ スよりも損失を1/1,000に低減することが可能。 ・パワーデバイス市場は、高い成長率が予測されている。その市場規模は、2030年には、 4.7兆円、そのうちの3.1％を酸化ガリウムが占めると予測される。 ※出所：富士経済「2016年度次世代パワーデバイス＆パワエレ関

  33. Slide 33: 全固体電池・半固体電池向け充電ソリューション

    全固体電池・半固体電池向け充電ソリューション IoT機器、 ウエアラブル機器、 医療機器などに向け、各社が全個体電池、半固体電池など の新しい電池を開発。 トレックスは、CV充電2次電池の特性に最適化した充電用IC/電池 電圧監視ICをソリューションを提案 充電部 電源出力部 日本ガイシ様 ETシリーズ電池向け 充電回路リューション例 ＜ 充電部 ＞ 充電用 LDO XC6240シリーズ 電池監視電圧検出器 XC6140シリーズ ワイヤレスパワーレシーバ XCM414シリーズ ＜ 電源出力部 ＞ 電圧レギュレータ XC6215シリーズ 昇圧DCDCコンバータ XCL103シリーズ 降圧DCDC

  34. Slide 34: 岡山 本社工場の第一工場への統合

    岡山 本社工場の第一工場への統合① 第一工場 本社工場を 新棟 第一工場に統合 本社工場 第一工場 新棟（Fab4） Fab4 工程内 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 33 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  35. Slide 35: 岡山 本社工場の第一工場への統合② スケジュール

    岡山 本社工場の第一工場への統合② スケジュール 本社工場を第一工場Fab4へ統合 既存棟増床 試作製品流動 量産用設備移動 新棟建設 お客様の承認を受け、順次量産移管 2018年8月27日 顧客承認手続きに 落成 遅れ（コロナ影響） 一部顧客承認済 9月より量産開始 移設完了予定 2017年度 2018年度 2019年度 2020年度 2021年度上半期 本社工場：  省エネルギー構造の工場 ・ 小口径（4インチ以下）化合物デバイスの開発 ・ 少量量産にて稼働  生産性向上  車載・産業機器向け品質の維持・向上 適切な装置とレイアウト 5インチ → 6インチ化  製品の長期安定供給体

  36. Slide 36: 鹿児島工場の有効活用

    鹿児島工場の有効活用 鹿児島工場の特長 → ６インチ ／ 0.18μmの加工、 化合物半導体 SiC デバイス生産 → 第一工場(岡山)プロセスと類似装置 BCP対応（地震・降灰・停電） → 2020年 IATF16949 12月取得予定 車載製品対応 2020年度 20,000枚／月 生産体制に向けて準備中 Power MOSFET （55%） さらに CMOS （26％） 拡大 試作中製品数 IGBT （9％） 156 142 量産中製品数 123 TVS （8％） 確実な 26 179 量産 169 97 128 MEMS （2％） 2018年3月 11月 2019年5月 11月 202

  37. Slide 37: パワーデバイスの開発強化

    パワーデバイスの開発強化  パワー半導体を中心に生産・新規引き合いが好調 要因： 自動車の電装・電動化、省エネ（インバーター化） デバイス： IGBT、Ｐｏｗｅｒ ＭＯＳＦＥＴ、ＳＢＤ、TVS 新デバイス： ＳｉＣデバイス（ＳＢＤ、ＭＯＳＦＥＴ）、GaN、Ga₂O₃ 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 36 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  38. Slide 38: SiCデバイスの開発

    パワーデバイスの開発強化 SiCデバイスの開発 鹿児島工場6インチにて 価格競争力のある SiC SBD（ショットキーバリアダイオード）を開発中 ➡SiC SBD 9月より サンプル供給 開始 更なる低価格化へ向け、 産総研が発起人の「つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション（TPEC）」に Associate Memberとして参加し、SiC MOSFETを研究開発中 ■SiCデバイス製造に特有な装置を導入 高濃度基板を使用 （導入済） ⇓ 工程の簡略化 ⇓ 高温イオン注入機 SiCドライエッチング装置 活性化アニール装置  低価格  高品質 （導入予定） SiCデバイス 自社生産

  39. Slide 39: SiC SBDのサンプル供給スタート

    SiC SBDのサンプル供給スタート 次世代化合物半導体 SiC SBD 650V / 10A 次世代化合物材料 SiC(シリコンカーバイド)を用いた SBD(Schottky barrier diode)のサンプル供給を開始致しました。 650V/10A からスタートします。 11月には 1200V 品もリリース予定です。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 38 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

  40. Slide 40: 免責事項

    免責事項 本資料に記載された内容は、2021年2月15日現在において一般的に入手可能な 情報と、合理的と判断する一定の前提に基づき、当社が作成したものです。 本資料に記載されている当社の中期計画、見通し等に関する記述は、将来の業績 を保証するものではなく、リスクと不確実性を内包するものです。 実際の業績は、これらの要素により本資料の記載内容と大きく異なる可能性があり ます。 投資に関するご決定をされる際、本資料のみに全面的に依拠することはお控えいた だき、みなさまご自身のご判断でなされるようお願い致します。 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 39 Copyrigh

  41. Slide 41: Powerfully Small !

    Powerfully Small ! 常に豊かな知性と感性を磨き、 市場に適応した価値ある製品を創出し、 豊かな社会の実現と 地球環境の保全に貢献するとともに、 私たちの事業に携わるすべての人々が 共に繁栄すること 本資料の全部または一部についての無断複製・無断転載を禁じます。 40 Copyright TOREX SEMICONDUCTOR LTD. All Rights Reserved.

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