Tokyo Electron Ltd. · TSE:8035
Tokyo Electron — Investor Day (February 2025)
113 slides from Tokyo Electron's investor day presentation, Feb 26, 2025
Slide 1: 東京エレクトロン IR Day
東京エレクトロン IR Day 2025年2月26日 Investor Relations / February 26, 2025 1
Slide 2: 将来予想等に関する記述
将来予想等に関する記述 ▪ 将来見通しについて 本資料に記述されている当社の事業計画、将来予測などは、当社が作成時点で入手可能な情報に基づい て判断したものであり、政治経済情勢、半導体市況、販売競争の激化、急速な技術革新への当社の対応 力、安全・品質管理、知的財産権、新型コロナウイルス感染症の影響など、さまざまな外部要因・内部 要因の変化により、実際の業績、成果はこれら見通しと大きく異なる結果となる可能性があります。 ▪ 数字の処理について 記載された金額は単位未満を切り捨て処理、比率は1円単位の金額で計算した結果を四捨五入処理して いるため、内訳の計が合計と一致しない場合があります。 ▪ 為
Slide 3: アジェンダ
アジェンダ 1. ご挨拶 15:30 - 15:35 2. プレゼンテーション 15:35 - 17:05 – 半導体市場の展望と当社の成長戦略 河合 利樹 – 財務体質改善の傾向と今後の成長のポイント 川本 弘 – 前工程における事業機会とDigital x Greenへの取り組み 石田 博之 – 塗布現像・洗浄における取り組み 鷲尾 康裕 – エッチングにおける最新の技術課題と取り組み 西新 哲也 – 成膜における事業戦略 中谷 茂樹 – 多様化したニーズに対応した装置の提案 石田 寛 – アッセンブリー工程における技術動向と事業機会 秋山 啓一 – アッセンブリー工程におけるプロダクト戦
Slide 4: 半導体市場の展望と当社の成長戦略
半導体市場の展望と当社の成長戦略 2025年 2月 26日 河合 利樹 代表取締役社長・CEO 4
Slide 5: 5
5
Slide 6: Digital & Green
Digital & Green Smart City Neuro- Green morphic Datacenter Chip EV Car Smart Grid Precision Agriculture Power IC “Green by Digital” & “Green of Digital” 6
Slide 7: FY2025(予想)とFY2015の比較
FY2025(予想)とFY2015の比較 親会社株主に帰属する WFE市場 ($B) 売上高 (B yen) 営業利益 (B yen) 当期純利益(B yen) 103.1 2,400 680 526 x3.1 x3.9 x7.7 x7.3 33.0 613 88 72 CY2014 CY2024 FY2015 FY2025 FY2015 FY2025 FY2015 FY2025 市場成長を大きくアウトパフォーム Source : TechInsights Manufacturing Analysis Inc. (VLSI) 7
Slide 8: Semiconductor Business Outlook
Semiconductor Business Outlook Cloud/Edge IoT Industry 4.0 1st Wave 8 Source: SEMI 2024
Slide 9: Semiconductor Business Outlook
Semiconductor Business Outlook AI Autonomous driving Cloud/Edge IoT AR/VR Industry 4.0 1st Wave 2nd Wave 9 Source: SEMI 2024
Slide 10: Semiconductor Business Outlook >$1 Trillion
Semiconductor Business Outlook >$1 Trillion $627.6 billion (2024) 1st Wave 2nd Wave 2010 2020 2030 10 Source:1990-2024 (WSTS)／2025-2030 (IBS, January 2025)
Slide 11: Semiconductor Business Outlook
Semiconductor Business Outlook AI Autonomous driving Cloud/Edge IoT AR/VR Industry 4.0 1st Wave 2nd Wave 11 Source: SEMI 2024
Slide 12: Semiconductor Business Outlook $5 Trillion
Semiconductor Business Outlook $5 Trillion in 2050 AI Autonomous driving Quantum Cloud/Edge AR/VR 6G/7G Industry 5.0 IoT Industry 4.0 1st Wave 2nd Wave 3rd Wave 12 Source: SEMI 2024
Slide 13: 東京エレクトロンのビジョン
東京エレクトロンのビジョン Innovation 世の中の持続的な発展を支える 半導体の 半導体の技術革新を追求 Profit 技術革新に貢献する 付加価値の高い最先端の装置と 技術サービスを継続的に創出 夢と活力のある会社 People 社員は価値創出の源泉 ステークホルダーエンゲージメント is 13
Slide 14: TSV: TEL's Shared Value
CSV TSV Creating Shared Value TEL’s Shared Value 企業活動＝社会的・経済的価値の創出 デジタル化と地球環境保全の両立 “半導体の技術革新が不可欠” 14
Slide 15: 中期経営計画 財務目標 (2027年まで)
中期経営計画 財務目標 (2027年まで) 売上高 ≧ 3兆円 営業利益率 ≧ 35% ROE ≧ 30% 15
Slide 16: Green Future Through Semiconductor Evolution
Green Future Through Semiconductor Evolution Digital & Green Higher Larger Superior Lower Power Speed Capacity Reliability Consumption Heterogeneous Physical Scaling Integration 16
Slide 17: Physical Scaling x Heterogeneous Integration
Physical Scaling x Heterogeneous Integration Frontend AI Semiconductor Advanced Packaging Logic Heat Spreader GAA / CFET HBM HBM Logic 3DIC Backside PDN HBM GPU/CPU HBM Chiplet Integration HBM HBM DRAM Stack Memory VCT 4F2 / 3D DRAM HBM, etc. Super Flat Wafer Known Good Die * GAA : Gate All Around *
Slide 18: 拡大する事業機会：豊富な製品ラインアップ
拡大する事業機会：豊富な製品ラインアップ Frontend Advanced Packaging Deposition Lithography Etch Cleaning Test 3D Integration Batch Semi-batch Single Coater/ Gas Chemical Cleaning Prober Wafer Wafer Edge Plasma Etch Deposition Deposition Deposition Developer Etch Bonder/ Trimming Debonder 18
Slide 19: 半導体製造装置市場の2つの成長エンジン
半導体製造装置市場の2つの成長エンジン $B 200 Market forecast in the next 6 years WFE 150 CAGR 10% (2024-2030) 100 WFE x 1.8 Test / Test / 50 Assembly CAGR 13% (2024-2030) Assembly x 2.1 0 2010 2020 2030 Source : TechInsights (December, 2024) 19
Slide 20: 半導体製造装置市場の2つの成長エンジン
半導体製造装置市場の2つの成長エンジン $B 200 Frontend Logic : GAA, BSPDN DRAM: DDR5, 3D DRAM NAND: beyond 4xx ▪ EUV Coater/Developer ▪ EUV Coater/Developer ▪ Slit Etch (major monopoly) ▪ ▪ Capacitor Mold Etch (major ▪ WFE ▪ Gas Chemical Etch Conductor Etch monopoly) ▪ Channel Hole Etch (Plug) Batch Mo deposition 150
Slide 21: 将来の成長に向けた投資 (FY2025 - FY2029)
将来の成長に向けた投資 (FY2025 - FY2029) 研究開発費 設備投資 人材採用 1.5兆円 7,000億円 10,000人 2,000人／年 将来の成長に向けて積極的な投資を計画 21
Slide 22: 動画：Manufacturing DX with AI and robotics
動画：Manufacturing DX with AI and robotics 22
Slide 23: 次世代生産を目指して 東京エレクトロン宮城 生産新棟建設計画
次世代生産を目指して 東京エレクトロン宮城 生産新棟建設計画 竣工予定：2027年夏 延床面積：約 88,600 m2 建設費用：約 1,040 億円 23
Slide 24: エクセレント・グローバル・カンパニーとなるために
エクセレント・グローバル・カンパニーとなるために 人権の尊重 従業員のエンゲージメント 気候変動とネットゼロ 安全第一のオペレーション 製品の環境性能 品質マネジメント 革新的な技術をもつBest Products コンプライアンス 付加価値の高いBest Technical Service 高い倫理観に基づく行動 顧客満足と信頼 情報セキュリティ サプライヤーリレーションシップ エンタープライズリスクマネジメント 24
Slide 25: Semiconductors Are The Future
Semiconductors Are The Future 25
Slide 26: TEL
TEL
Slide 27: 財務体質改善の傾向と今後の成長のポイント
財務体質改善の傾向と今後の成長のポイント 2025年2月26日 常務執行役員 ファイナンス本部ディビジョンオフィサー 川本 弘 Investor Relations / February 26, 2025 27
Slide 28: 売上高 と 売上総利益率推移 (FY2015 – FY2025)
売上高 と 売上総利益率推移 (FY2015 – FY2025) （億円） 30,000 50% 売上高 売上総利益率 営業利益率 47.0% 25,000 45.5% 44.6% 45.4% 40% 42.0% 41.2% 39.6% 40.2% 40.3% 40.1% 40.4% 20,000 30% 15,000 20% 10,000 10% 5,000 0 0% FY2015 FY2016 FY2017 FY2018 FY2019 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025E 高付加価値製品と生産の効率化により売上総利益率が大きく上昇 Inves
Slide 29: 成長投資とキャッシュ・フロー
成長投資とキャッシュ・フロー （億円） （倍） （億円） 3,000 25.0 研究開発費 20.0 6,000 19.7 19.4 開発効率*1 18.1 20.0 5,000 15.1 4,000 2,000 13.3 15.0 3,000 2,000 2,540 10.0 1,000 2,028 1,000 1,911 1,366 1,582 0 1,202 5.0 -1,000 0 0.0 -2,000 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025E -3,000 *1 直近5ヵ年の売上の合計額を6~10期前の研究開発費の合計で割って集計しています
Slide 30: 株主還元の動向
株主還元の動向 (億円) 5,000 200% 4,000 132% 123% 113% 3,000 101% 100% 76% 72% 2,000 1,000 0 0% FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025E 支払配当金 *1 自己株式の取得 対フリーキャッシュ・フロー株主還元率 *1 支払配当金は効力発生日(支払日)をもとに表示しています。 継続的に高水準のキャッシュ創出と株主還元を目指す Investor Relations / February 26, 2025 30
Slide 31: まとめ
まとめ ▪ 売上総利益率の向上 – 高付加価値製品 – 生産の効率化 ▪ 成長投資の継続 – 市場の拡大を見据え、研究開発・設備投資を実施 – 盤石なキャッシュ・フローで成長投資を支える ▪ 株主還元 – 2025年3月期は過去最高の株主還元を実施 – 高い株主還元を引き続き目指す 売上総利益率の向上、高水準のキャッシュ創出により 積極的な成長投資と株主還元を継続 Investor Relations / February 26, 2025 31
Slide 32: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 33: 前工程における事業機会とDigital x Greenへの取組み
前工程における事業機会とDigital x Greenへの取組み 2025年2月26日 常務執行役員 前工程事業本部ディビジョンオフィサー 石田 博之 Investor Relations / February 26, 2025 33
Slide 34: 1兆ドル市場に向けて解決すべき課題
1兆ドル市場に向けて解決すべき課題 >1兆ドル 究極の生産性 (2030年) 労働人口不足 約 70% AI関連 サイバーセキュリティ 安全 6,276億ドル (2024年) Net Zero Source:1990-2024 (WSTS)/2025-2030 (IBS, January 2025) / AI Semiconductor (IBS, January 2024) 1990 2000 2010 2020 2030 Investor Relations / February 26, 2025 34
Slide 35: 前工程における当社の成長機会
前工程における当社の成長機会 $B 200 ▪ AI関連デバイスの牽引によりWFEのCAGRは引き 続き高い水準で成長 WFE CAGR 10% 150 (2024-2030) ▪ TELの強みを生かし、高い市場成長領域に対応 – 先端ロジック：エッチングが2.7倍/成膜が2.5倍の市場成長 見込む* 100 – DRAM：エッチングの市場が2.3倍と、WFEのCAGRを超 える成長を見込む* Test / Assembly 50 CAGR 13% ▪ 技術変革点への対応を中心とした新製品の投入に より、参入領域をさらに拡大 (2024-2030) 0 * TEL Estimates 2010
Slide 36: Logic技術ロードマップ
Options: Dielectric wall Logic技術ロードマップ [1] Chih-Hao Chang (TSMC) et al., IEDM 2022 [2] Shien-Yang Wu (TSMC) et al., IEDM 2022 [3] Sandy Liao (TSMC) et al., IEDM 2024 [4] Mertens and Horiguchi (imec), EDTM 2024 (Generic) wall everywhere outer wall [4] inner wall [4] Source: TEL estimates Year of HVM
Slide 37: DRAM 技術ロードマップ
DRAM 技術ロードマップ (Generic) Source: TEL estimates Year of HVM 2023-24 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 (20k/month) Node 1b 1c 1d 0a 0b 0c 0d 0e 2D 4F2 VCT* [1,2] 3D 6F2 Cell layout / Structure * Vertical Channel Transistor [1] Seokhan Park (Samsung) et al., IEDM 2023 [2] Daewon Ha
Slide 38: NAND 技術ロードマップ
NAND 技術ロードマップ (Generic) Source: TEL estimates Year of HVM (20k/month) 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 2032 2033 2034 2035 Stack 3xxL 4xxL 5xxL 7xxL 1xxxL *1yyyL *1zzzL *2xxxL (~1.3x/1.5years) Tier 2 or 3 3 or 4 3 or 4 3-5 4-6 5-7 6-8 7 - 10 Vertical pitch [nm] 39 - 45 38 - 43 38 - 42 37 - 41
Slide 39: 前工程の技術変革点における成長機会
前工程の技術変革点における成長機会 ▪ Logic : GAA*1, BSPDN*2, CFET • リソグラフィ技術でHigh-NA化、マルチパターニングとの併用、MOR化が進み、新技術Acrevia に機会 • マルチパターニングにより成膜、エッチング、洗浄などの工程数増加 • GAA、CFETトランジスタによりガスケミカルエッチングの工程数増加 • Ruなど新材料、Airgapのような構造変更も新機会となる ▪ DRAM：HBM, VCT*3, 3D DRAM • マルチパターニング採用で成膜、エッチング工程数増加 • キャパシタ形成の重要性継続し、エッチング、成膜に強い技術ニーズ継続
Slide 40: TELが提供する付加価値
TELが提供する付加価値 歩留 工程数 スループット ランニングコスト プロセス性能 環境負荷 Investor Relations / February 26, 2025 40
Slide 41: デジタルトランスフォーメーション(DX)の活用
デジタルトランスフォーメーション(DX)の活用 ベストな製品開発 装置立上げ/プロセス立上げ 生産 ベストなサービス提供 MI（マテリアルインフォマティクス） 自己診断（センサー・ダイアグノスティック） ロボティックス PI（プロセスインフォマティクス） 高生産性プラットフォーム AR/VR 生産性・収益性を高めるべく、事業活動のあらゆる場面でデジタルイネーブラーを開発中 Investor Relations / February 26, 2025 41
Slide 42: フィールドソリューションにおけるDX
フィールドソリューションにおけるDX スマートグラスや遠隔地からの専門家か らのサポートをもとに、クリーンルーム 内での立上げとメンテナンスにおける作 業効率を最大化。 AR/VRおよびデジタルツイン技術を含む DXを推進する 人を介さないパーツ交 換の実現により、 ダウンタイムの最小化 とエンジニアリング作 業の品質向上を図る Investor Relations / February 26, 2025 42
Slide 43: 次世代の生産に向けて：東京エレクトロン宮城 生産新棟
次世代の生産に向けて：東京エレクトロン宮城 生産新棟 2027年夏 竣工予定 延床面積：約 88,600m2（予定） 建設費用：約 1,040億円 Investor Relations / February 26, 2025 43
Slide 44: Smart Productionで目指す姿
Smart Productionで目指す姿 ▪ 将来にわたり持続可能なものづくりを実現 自動化・標準化による 社内外環境変化にむけた Value Chain強化による 圧倒的な効率化 対応力の強化 製品品質・業務品質向上 顧客 立ち 計画 上げ Investor Relations / February 26, 2025 44
Slide 45: Smart Productionのイメージ図
Smart Productionのイメージ図 開 製造工程 立 発 ち ・ ユニット工程 モジュール工程 出荷工程 上 設 ユニット ユニット ユニット モジュール モジュール 梱包 げ 計 サブ ユニット メイン ユニット データ収集 ドッキング データ収集 ・ 検査 検査 出荷 アッセンブリー アッセンブリー ・ 稼 調 人・機械 協働 完全自動化 人・機械 協働 完全自動化 人・機械 協働 人・機械 協働 動 達 中 ・ ＋ ＋ ＋ ＋ 100% 100% 装 物 置 流 データ連携 Investor Relations / February 26, 2025 45
Slide 46: まとめ
まとめ ▪ ボリュームゾーンの前工程製造装置でさらなる成長を目指す – AIデバイス関連の成長領域への新製品投入を進める – 技術変革点に対応する当社の技術を生かした高付加価値装置を提供する ▪ Digital x Greenで半導体市場の持続的成長を支える – 装置における高生産性、製造における省人、省工程、省エネルギー技術の 導入を促進する – デジタルトランスフォーメーションとロボティックスの導入で半導体製造 の生産性、収益性を高める – Smart Productionで半導体製造装置の生産性、収益性を高める Investor Relations / February 26, 2025
Slide 47: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 48: 塗布現像・洗浄における取り組み
塗布現像・洗浄における取り組み 2025年2月26日 執行役員 CTSPS BUGM 鷲尾 康裕 Investor Relations / February 26, 2025 48
Slide 49: 塗布現像装置 コータ/デベロッパ
塗布現像装置 コータ/デベロッパ Investor Relations / February 26, 2025 49
Slide 50: 塗布現像装置 CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z
塗布現像装置 CLEAN TRACK LITHIUS Pro Z EUV 2012年 LITHIUS Pro Zリリース（累計＞3000台出荷） EUV CAR/MOR対応新機能を順次リリース 高信頼性 EUV市場での高シェア 高生産性 EUV露光機の性能を最大限発揮、薬液消費量低減 高汎用性 化学増幅型レジスト(CAR)に加え、 メタルオキサイドレジスト(MOR)や下層膜にも対応 さまざまな光源の露光機向けに長年の量産実績のあるLITHIUS Pro Z プラットフォームで、 EUV露光機向けにも高信頼性、高生産性を担保。次世代EUV向け高汎用性も実現 Investor Relations
Slide 51: リソグラフィレイヤー数の見通し
リソグラフィレイヤー数の見通し Logic DRAM TEL Estimates TEL Estimates ■EUV MOR ■EUV MOR ■EUV CAR ■EUV CAR リソグラフィ レイヤー数 ■Non EUV Lithography ■Non EUV Lithography リソグラフィ レイヤー数 構造変更 N2 A14 A10 A07 D1b D1c D1d D0a VCT 3D DRAM デバイス世代 (CFET) デバイス世代 MORは Logic 10A、DRAM D1b世代に適用見込みにつき、MOR対応技術開発中 Investor Relations / Febru
Slide 52: MORソリューション：究極のウェット現像技術開発
MORソリューション：究極のウェット現像技術開発 *1 当社認識および開発ターゲットに基づく特徴づけ *2 ピッチ 24 nm ライン形成時の実施例に基づく特徴づけ 究極の 従来の 代替技術 ウェット現像技術 ウェット現像技術 ベース技術 コータ/デベロッパ コータ/デベロッパ エッチング装置 環境 大気 大気 減圧 反応 薬液 薬液 腐食性ガス スループット*1 x4 x4 x1 薬液使用量*1 N/A (ガス使用） 50% (従来比) 100 % 使用後は燃焼除害処理 パターン倒壊性能*1 < 8 nm*2 > 10 nm*2 < 8 nm*1 追加スペース*1 インライン組み込み可能 イ
Slide 53: MORソリューション：究極のウェット現像技術
MORソリューション：究極のウェット現像技術 ピッチ 24 nmでの適用例 10 ■従来のウェット現像 9 ▲究極のウェット現像 8 7 6 欠陥数 5 マイクロ 4 断線 ブリッジ 3 新技術による倒壊抑制 2 1 Source: TEL Source: TEL 0 6 7 8 9 10 11 12 13 14 レジスト寸法 [nm] 究極のウェット現像技術を適用することで従来ウェット現像の課題であった パターン倒壊の抑制を実現 Investor Relations / February 26, 2025 53
Slide 54: CARソリューション：新リンス技術、新下層膜
CARソリューション：新リンス技術、新下層膜 ピッチ 24 nmでの適用例 400 350 300 新リンスのプロセスウィンドウ マイクロ 250 断線 ブリッジ 欠陥数 200 パターン 150 倒壊 Source: TEL Source: TEL Source: TEL 100 50 Source: TEL 0 8 9 10 11 12 13 14 15 16 レジスト寸法 [nm] 新リンス技術を適用することで微細パターンで広いプロセス余裕度を実現 Investor Relations / February 26, 2025 54
Slide 55: 洗浄装置
洗浄装置 Investor Relations / February 26, 2025 55
Slide 56: 洗浄装置開発取り組み
洗浄装置開発取り組み 高生産性Wet Bench SPM*1 Vapor技術 両面スクラバ (EXPEDIUS -R) (CELLESTA Pro VP) (CELLESTA MS2) 業界初Large Batch処理（一度に処理す 薬液に水蒸気を添加し、効率的な化学 Wafer表面のAS*2処理、Wafer裏面の る枚数を拡大）を実現する装置 反応により処理温度の高温化を実現 Brush処理を一つのChamberで同時処理 *1 SPM : Sulfuric Acid and Hydrogen Peroxide Mixture が可能 *2 AS : Atomized Spray Inves
Slide 57: 新装置のご紹介：ZEXSTA
新装置のご紹介：ZEXSTA ▪ ZEXSTA 概要 ▪ Target Application – 高度なウェットエッチングと高度な乾燥技術が求め られる工程 3D NAND SiN除去 3D NANDに加え、今後、DRAMの積層化にも伴い、 高度な選択等方ウェットエッチング技術が求められる Wet Benchと枚葉洗浄の – 高生産性と表面清浄度の両立が求められる工程 コンビネーション処理を提案 処理手法 特色 連続工程 Wet Bench 高温・長時間処理、ウェットエッチング 枚葉洗浄 高度な乾燥技術、パーティクル制御 Wet Bench Single Wafer LogicやDRAMにお
Slide 58: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 59: エッチングにおける最新の技術課題と取り組み
エッチングにおける最新の技術課題と取り組み 2025年2月26日 執行役員 ES BUGM 西新 哲也 Investor Relations / February 26, 2025 59
Slide 60: 多様なエッチングと求められる技術
多様なエッチングと求められる技術 3D NAND DRAM Logic 多層配線 多段 多層配線 階段 コンタクト （ステアケース） コンタクト GAA*1 / Nanosheet ワードライン分離 （スリット） キャパシタ チャネル BSPDN*2 （メモリホール） 素子分離 CFET ビットライン 埋め込みゲート *1 GAA: Gate All Around *2 BSPDN: Backside Power Delivery Network *3 CD: Critical Dimension デバイストレンド 高積層化 微細化・新構造 微細化・新構造 高速かつ垂直な高アスペクト比エッチン
Slide 61: エッチング概要とKeyとなる制御パラメーター
エッチング概要とKeyとなる制御パラメーター Key制御パラメーター e- 電子 イオン ラジカル （活性種） イオン輸送 ラジカル輸送 ガス導入 Mask e- プラズマ e- e- e- e- SiO2 RF印加 温度制御 • イオンエネルギー • ガス種 • イオン入射角 • ウェーハ温度 Investor Relations / February 26, 2025 61
Slide 62: Video
Video Investor Relations / February 26, 2025 62
Slide 63: TEL独自技術によるソリューション 1: HERB
TEL独自技術によるソリューション 1: HERB (HERB : High Efficiency Rectangular Bias ) イオン輸送 従来技術（正弦波） 新技術（HERB ） Mask イオンを引き込む力がばらつく イオンを引き込む力が強く一定 ＝入射角がばらつく ＝入射角も垂直化 SiO2 ウェーハ電位 ウェーハ電位 時間 時間 Investor Relations / February 26, 2025 63
Slide 64: Video
Video Investor Relations / February 26, 2025 64
Slide 65: TEL独自技術によるソリューション 2: PHastIE
TEL独自技術によるソリューション 2: PHastIE ラジカル輸送 従来技術（CFx + 常温） (PHastIE : Phosphorus + Hydrogen based “Fast” Ion Etch ) CFx CFxはポリマー化して吸着しやすい 間口に堆積すると輸送を阻害 新技術（PHastIE ） HF PFx 新規ガスを採用することで上記課題を克服 低温との組み合わせで高速Etchingを実現 Investor Relations / February 26, 2025 65
Slide 66: Video
Video Investor Relations / February 26, 2025 66
Slide 67: TELAVES for Novel Cryogenic HARC Etch
TELAVES for Novel Cryogenic HARC Etch プロセス性能 環境性能 極低温プロセス 消費電力 -43% より直線的、 Less Power より深く、 Beyond より速く 10μm プラズマ制御 深層学習を用いた最適化 CO2排出量 -83% Less Carbon Footprint 2.5x Faster 世界初、新Cryogenicプロセスを2023年に発表（＠VLSI 2023） 高いプロセス性能と環境性能を両立 Investor Relations / February 26, 2025 67
Slide 68: 新たなエッチング技術の展開
新たなエッチング技術の展開 DRAM: Capacitor SiO2加工 Logic: Gate Silicon加工 キャパシタ Conventional New Conventional New Bottom CD: 38.9nm Bottom CD: 63.5nm Si残渣 Si 残渣無し 理想のエッチングプロセス開発で培った新技術を 多様なCriticalプロセスにも展開 Investor Relations / February 26, 2025 68
Slide 69: 更なる成長に向けた開発Eco System
更なる成長に向けた開発Eco System Product Innovation Fundamental Research 革新的な製品の開発 メカニズム・モデル解析 ▪ 「サプライヤー＋大学＋TEL」の開発Eco Systemにより、業界初となる様々な新規 TEL University 技術を継続的に創出 ▪ このECO Systemによりサステナブルに開 発を進めることが競争力の源泉 ▪ 東京エレクトロン宮城の宮城技術革新セン ターはこの中核を担う Supplier Supplier Collaboration サプライヤーとの「協業＋共創」 Investor Relations / Fe
Slide 70: 高度な製品品質と高い生産性を両立するSmart Manufacturing
高度な製品品質と高い生産性を両立するSmart Manufacturing 開発＆設計 Smart Manufacturing Sub-Assembly Inspection Assembly Feed Forward Feedback 開発と生産の拠点であるTEL宮城を中心に 絶え間ないコンカレントエンジニアリング、高度な生産技術を実現する。 Investor Relations / February 26, 2025 70
Slide 71: 究極のエッチング技術を継続的に提供
お客様の想像を超える究極のエッチング技術を 継続的に生み出し、タイムリーに提供し続ける事が 我々の使命です Investor Relations / February 26, 2025 71
Slide 72: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 73: 成膜における事業戦略
成膜における事業戦略 2025年2月26日 執行役員 TFF BUGM 中谷 茂樹 Investor Relations / February 26, 2025 73
Slide 74: 成膜における事業戦略：シェアの拡大・SAMの拡大
成膜における事業戦略：シェアの拡大・SAM*の拡大 成膜市場におけるTELのシェア TEL Estimates TEL (CY2023 成膜市場のTAM：約$20B) バッチCVD ALD 枚葉 その他 プラズマ PVD 酸化・拡散 熱CVD CVD これまでの当社の シェアの 成膜におけるSAM 拡大 SAMの拡大 SAM の拡大 * SAM: Served Available Market Investor Relations / February 26, 2025 74
Slide 75: 成膜ビジネスにおける戦略 1：枚葉成膜装置のSAMの拡大
成膜ビジネスにおける戦略 1：枚葉成膜装置のSAMの拡大 Triase+ Episode 1 Episode 2 DMR* Episode 2 QMR** Single Reactor Single Reactor *Duo Matched Reactor **Quad Matched Reactor 既存プラットフォーム 最大8基のプロセスモジュール搭載 2枚葉で高い生産性を実現 新開発高密度プラズマ源搭載 2024年7月リリース 2026年リリース予定 Investor Relations / February 26, 2025 75
Slide 76: Video
Video Investor Relations / February 26, 2025 76
Slide 77: 成膜ビジネスにおける戦略 1：枚葉成膜装置のSAMの拡大
成膜ビジネスにおける戦略 1：枚葉成膜装置のSAMの拡大 Triase+ Episode 1 Episode 2 DMR* Episode 2 QMR** Single Reactor Single Reactor *Duo Matched Reactor **Quad Matched Reactor 既存プラットフォーム 最大8基のプロセスモジュール搭載 2枚葉で高い生産性を実現 新開発高密度プラズマ源搭載 2024年7月リリース 2026年リリース予定 Investor Relations / February 26, 2025 77
Slide 78: Episode 1：コンタクト形成工程
Episode 1：コンタクト形成工程 ▪ プロセスフローの一例 Ti成膜 自然酸化膜除去 シリサイド形成 COR*1 Ti CVD チタン膜 /PHT*2 Epi Si Epi Si Epi Si SiO2膜 チタンシリサイド膜 *1 COR: Chemical Oxide Removal *2 PHT: Post Heat Treatment 高真空度の同一プラットフォーム上で酸化膜除去工程とメタル成膜を連続処理 ⇒コンタクトの低抵抗化実現に寄与 Investor Relations / February 26, 2025 78
Slide 79: Episode 1：Inner Spacer工程ー横方向の埋め込み性
Episode 1：Inner Spacer工程ー横方向の埋め込み性 ▪ 技術課題： ▪ 解決策： 成膜後のエッチングによるリーク発生懸念 埋め込み性能の改善 <45nm 成膜上の課題 1 成膜ポイント 1 コンフォーマル(均一な) 側壁部は薄く成膜 成膜では開口部が閉塞 成膜上の課題 2 成膜ポイント 2 シームが発生 シームレスな埋め込み Source: TEL ユニークな成膜手法によるシームレスな埋め込みと 新開発の高密度プラズマによる横方向に均一な膜の改質を実現 Investor Relations / February 26, 2025 79
Slide 80: Episode 2：従来機種との性能比較
Episode 2：従来機種との性能比較 Triase+ Episode 2 DMR 1 1.5 生産性 4PM/4-reactor 3PM/6-reactor 生産性と フットプリント 1 0.65 フットプリント 単位面積当たりの生産性 1 2.31 搬送速度 （搬送スループット比） 1 ~ 1.8 プロセスチューニングノブ オペレーション ファシリティ工事費用 1 0.64* 成熟から最先端プロセス対応 アプリケーション 先端デバイス向け新機能 ー データ収集機能 ー スマート機能 インテリジェントコントローラ ー 環境性能 ウェーハ1枚当たりの消費電力 1 0.75 *TEL Esti
Slide 81: 成膜ビジネスにおける戦略 2：PVD装置におけるSAM拡大
成膜ビジネスにおける戦略 2：PVD装置におけるSAM拡大 LEXIA -EX 2024年12月リリース ▪ ウェーハ回転機構を備えた斜め入射PVD装置 dPVD*2 mPVD*3 （Oblique Angle Sputtering） DC – 良好な膜厚均一性（1σ 0.5%） DC ▪ 独自のマルチカソード*1仕様 – 高い成膜レートを実現 Target – 複数材料による組成比制御が可能 ▪ 高い生産性を実現（~100WPH） ▪ 従来機種から大幅な省スペース化を実現 *1 カソード: 成膜材料を取り付ける電極 *2 dPVD: Dual cathode PVD *3 mPVD: Mul
Slide 82: 成膜ビジネスにおける戦略 3：縦型熱処理/成膜装置での成長
成膜ビジネスにおける戦略 3：縦型熱処理/成膜装置での成長 ▪ 主要アプリケーション TELINDY PE-II – Siプロセス全般（ダミーゲート、チャネルSi, etc.） – Batch ALD high-k（キャパシタ絶縁膜） – Plasma/Thermal ALD-SiN/SiO2 – Batch molybdenum（word line） ▪ 今後の開発計画 – ロードポートサイズアップ（8ロット、1バッチ200枚処理） – 疎密差があるパターンにも均一な成膜するために、排気特性を改善 – 省エネの追求（ヒーター性能のさらなる向上） – 省人化（One-Touch立上げ、セルフメ
Slide 83: 成膜における事業戦略：シェアの拡大・SAMの拡大
成膜における事業戦略：シェアの拡大・SAM*の拡大 成膜市場におけるTELのシェア TEL Estimates TEL (CY2023 成膜市場のTAM：約$20B) バッチCVD ALD 枚葉 その他 プラズマ PVD 酸化・拡散 熱CVD CVD これまでの当社の シェアの 成膜におけるSAM 拡大 SAMの拡大 SAM の拡大 * SAM: Served Available Market Investor Relations / February 26, 2025 83
Slide 84: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 85: 多様化したニーズに対応した装置の提案
多様化したニーズに対応した装置の提案 2025年2月26日 執行役員 DSS BUGM 石田 寛 Investor Relations / February 26, 2025 85
Slide 86: Video
Confidential Video Investor Relations / February 26, 2025 86
Slide 87: Acrevia
Too Narrow Acrevia TEL Original Gas Cluster Beam (GCB) System ▪ ビーム入射角を自由に調整可能 ▪ LSP（Location Specific Processing）ウェーハスキャン 1st EUV 2nd EUV → 縦・横・高さのエッチング制御が可能 ✓ 微細パターンにおけるEUV露光回数削減 EUV装置の生産性を大幅に向上 Wide ✓ 微細パターン間の欠陥除去､LER/LWR* 改善 歩留まり向上を実現 1st EUV Acrevia Before After 生産性 * LER/LWR: Line Edge Roughne
Slide 88: TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc.
TEL Manufacturing and Engineering of America, Inc. ▪ ガスクラスタービーム （先端パターニング） ▪ 低ダメージの物理洗浄 （HBM、Advanced Packaging） ▪ 先端プロセス向けのユニークな新装置の開発 製造：ミネソタ州チャスカ 研究開発：マサチューセッツ州チェルムズフォード Investor Relations / February 26, 2025 88
Slide 89: Investor Relations / February 26, 2025
Investor Relations / February 26, 2025 89
Slide 90: MAGIC 市場
MAGIC 市場 ▪ MAGIC市場 2倍の成長を期待 ▪ 市場予測 ▪ MAGIC特殊用途向け装置群を ($B) 開発、供給 70 ~$60B 60 ▪ MAGIC向け200mmのデモラインも用意 50 – 山梨・熊本・宮城 – マサチューセッツ・ミネソタ・フロリダ 40 ~$30B 30 20 10 0 2020 2025 2030 2035 *TEL estimate Investor Relations / February 26, 2025 90
Slide 91: 多様なニーズに多様な装置とソリューションを提供
多様なニーズに多様な装置とソリューションを提供 先端デバイスの進化 Heterogenous Integration Layering Miniaturization デバイスの 多様化 PLP μOLED Smart Glass Power RF Filter CIS Si Photonics 基板･材料の 角型基板, ガラス, SiC, GaN, LT/LN, 150/200/300mm 多様化 Bonder Test Cleaning Etch Litho Dep GCB TELの カバレッジ Support > 96,000 units 顧客の生産性を最大化 フィールドソリューション
Slide 92: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 93: アッセンブリー工程における技術動向と事業機会
アッセンブリー工程における技術動向と事業機会 2025年2月26日 常務執行役員 後工程事業本部ディビジョンオフィサー 秋山 啓一 Investor Relations / February 26, 2025 93
Slide 94: ロジックデバイストランジスタ数の推移
ロジックデバイストランジスタ数の推移（パーケージあたり） Transistor Counts per Package (log scale) 1.E+12 Single Logic Chip 1.E+11 CPU for PC 1.E+10 CPU/GPU for Server AP*1 for Smartphone 1.E+09 2.5/3D Integrated Logic Chip 1.E+08 CPU/GPU for Server 1.E+07 1.E+06 1.E+05 1.E+04 トランジスタ数は1970年比で1億倍に増加 1.E+03 1970 1980 1990 2000 2
Slide 95: ボンディング技術における当社の事業機会
ボンディング技術における当社の事業機会 ボンディング技術 Plasma Clean Alignment Thermal ボンディング技術 activation Treatment and bonding annealing Upper Wafer/Die Lower Wafer-to-Wafer Bonding Wafer Die 利点：ピッチスケーリング、高速化、低消費電力化 Wafer-to-Wafer Bonding Die-to-Wafer Bonding Advanced 前工程 Packaging Investor Relations / February 26, 2025 95
Slide 96: HPC/AIデバイスにおける3DI/テストの事業機会
HPC/AIデバイスにおける3DI/テストの事業機会 前工程 Advanced Packaging ウェーハでのデバイス製造 ダイシング後のアセンブリー A B BSPDN*1 3DIC HBM*3 High End xPU/SoC HBM CFET*2 Stack Memory Die Test DRAM for KGD*4 *1 BSPDN: Backside Power Delivery Network *2 CFET: Complementary Field Effect Transistor *3 HBM: High Bandwidth Memory *4 KGD: Known Go
Slide 97: 前工程：Wafer-to-Wafer Bonding
前工程：Wafer-to-Wafer Bonding Investor Relations / February 26, 2025 97
Slide 98: ボンディング技術が適用される様々なアプリケーション
ボンディング技術が適用される様々なアプリケーション 前工程 Application CIS*1 NAND DRAM Logic BSI*2 3D NAND : VCT*5 DRAM 3D DRAM BSPDN BSPDN & CFET Pixel + ( Si Substrate ) ( Si Substrate ) Logic Stacking Cell + + + Cell + Peripheral Peripheral Logic + Device ( Peripheral ) + Cell + + Cell + Logic Cell + Peripheral + + + Si Subs
Slide 99: Advanced Packaging：Wafer-to-Wafer / Die-to-Wafer Bonding
Advanced Packaging：Wafer-to-Wafer / Die-to-Wafer Bonding Investor Relations / February 26, 2025 99
Slide 100: ボンディング技術が適用される様々なアプリケーション
ボンディング技術が適用される様々なアプリケーション Advanced Packaging Application Stack Memory / HBM 3DIC DRAM Wafer DRAM ( ) Die SoC Disaggregation Heat Spreader … Stacking … DRAM Wafer DRAM ( ) Die Device A Wafer Die Heat Spreader + OR + + OR Device DRAM DRAM ( + Wafer ) Die Device AorB Wafer Device + + Wafer Logic Wafer
Slide 101: ボンディング工程に関する製造装置市場規模
ボンディング工程に関する製造装置市場規模（当社見込み/TAM*） 300 Frontend Process CY2025からCY2030でのCAGRは Advanced Packaging 24％と高成長を見込む CY2025 ~2030 CAGR : ~24% ▪ CY2030には3,000億円規模に 200 ▪ 前工程向けと先端パッケージン (B yen) グ向けの両方セグメントで成長 100 ▪ ボンダー（永久/仮貼合）、 デボンダー（剥離）、切削、 薄化と技術は各種技術が対象 0 2025 2026 2027 2030 (TEL estimates) * TAM : Total Ava
Slide 102: 本日のメッセージ
本日のメッセージ ▪ ボンディングプロセスは、次世代デバイスの製造および先 端パッケージング分野において重要な技術の転換点にあり、 その実現にはさらなる技術革新が必要 TEL Technology Center, Korea ▪ 当社は、ボンディング技術を実現するために必要な技術を 一社で網羅する強みを持ち、顧客の期待に迅速に応える体 制を構築 ▪ 主要顧客の開発拠点の傍に当社の開発・評価センターを設 置する戦略を通じて、顧客とのエンゲージメントは順調に TEL Technology Center, America 進展 ▪ 実デバイスでの評価を加速させ、量産化へ向けて活動 Tokyo Ele
Slide 103: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON
Slide 104: アッセンブリー工程における製品戦略
アッセンブリー工程における製品戦略 2025年2月26日 執行役員 ATS BUGM 佐藤 陽平 Investor Relations / February 26, 2025 104
Slide 105: アッセンブリー・テスト向け製造装置投入の歴史
アッセンブリー・テスト*向け製造装置投入の歴史 Synapse Si (high accuracy) 新たなカテゴリ装置 次世代装置/性能向上 Cu hybrid / Fusion wafer bonder Synapse S Synapse V Synapse Si Prexa Ulucus L Ulucus LX Fusion bonder Temporary bonder Cu hybrid / Fusion wafer bonder Wafer Prober Laser Edge Trimmer Extreme Laser Lift Off Die Test Prober Upcomi
Slide 106: 前工程ボンディングプロセスと当社の製品群
前工程ボンディングプロセスと当社の製品群 Pre-bond Example of Wafer Bonding Process Post-bond Prep ＆ Bonding Silicon Removal Before After Ulucus L Coater Depo Etch Cleaning 0.5um pitch / 0.25um bond pad Synapse Si Coater Depo Etch Cleaning Laser Trimming Grinding Cleaning CMP Wafer Process Wafer Process CMP Bonding Coat
Slide 107: ウェーハ永久接合ボンダー Synapse Si
ウェーハ永久接合ボンダー Synapse Si Platform Plasma Clean Alignment Activation Treatment & Bonding 前工程技術由来のBonding Preparation Bonding独自技術 Top wafer Wafer flip TOP Chuck Bottom wafer Bottom chuck Plasma Chamber Cleaning ▪ 当社の有する広範な技術と様々な事業が、効率的な製品開発と性能改善に大きく寄与 ▪ ボンディングの量産導入へ向けて、主要なメモリ/ロジックのお客様との評価が順調に進展 ▪ 次世代デバ
Slide 108: ウェーハボンダーの技術ロードマップと課題
ウェーハボンダーの技術ロードマップと課題 CY 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 Beyond Node 2nm 2nm 2nm+ 14A 14A 10A 7A 5A Logic Distortion ≤ 4nm （BSPDN） Distortion ≤ 3nm （BSPDN） Distortion ≤ 2nm (CFET) 2-wafer-bonding 3-wafer-bonding ≥ 4-wafer-bonging NAND Wafer warpage < 500μm Wafer warpage > 500μm 2D DRAM 2D/3D DRAM
Slide 109: ポストボンディング工程向け Ulucus LX のご紹介
ポストボンディング工程向け Ulucus LX のご紹介 ▪ 製品リリース : 2024年12月 ▪ エクストリームレーザー リフトオフ (XLO) 技術の搭載 – ポストボンディング工程 (ウェーハ接合後に続く重要工程) Si wafer B への次世代薄化技術 – シリコン基板とデバイス薄膜層を Device layer B Device layer A レーザにて分離 Si wafer A ▪ プロセス性能と環境性能における価値 • シリコン有効面積の拡大 • 製造工程数の削減 • 純水使用量/CO2排出量の削減 • ウェーハ再利用の可能性 https://www.tel.co.jp/n
Slide 110: Ulucus LX を採用する価値
Ulucus LX を採用する価値 Permanent Bonding Process with Grinding & Blade Edge Trimming (Conventional) Wafer Process Cu CMP 1st Edge Trim Touch-up CMP Bonding Grinding 2nd Edge Trim Si Wet etching Si CMP Permanent Bonding Process with XLO (Extreme Laser Lift Off) Wafer Process Cu CMP Bonding XLO Ox CMP 剥離層が
Slide 111: Video
Video Investor Relations / February 26, 2025 111
Slide 112: 本日のメッセージ
本日のメッセージ ▪ 3Dインテグレーション時代の到来に合わせ、ボンディング工程への装置開発 を加速 ▪ 次世代デバイス製造に必要なフュージョン及びCuハイブリッドボンディング 技術を先行して開発し、業界をリード ▪ 主要なメモリ/ロジックデバイス製造のお客様とエンゲージメントを一層強化 し、ボンディング技術の適用拡大と量産導入を実現 Investor Relations / February 26, 2025 112
Slide 113: TEL TOKYO ELECTRON
TEL TOKYO ELECTRON