V-technology Co., Ltd. · TSE:7717
V-technology — H1 FY2019 Earnings Presentation
31 slides from V-technology's earnings presentation, Nov 14, 2018
Slide 1: 2019年3月期(第22期)中間決算説明会
2019年3月期(第22期) 中間決算説明会 2018年11月14日 株式会社ブイ・テクノロジー 代表取締役社長 杉本重人 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 1
Slide 2: 将来見通し等について
将来見通し等について ・将来見通し 本資料に記載されている当社の計画、戦略、見通し及びその他の歴史的事実でないものは、将来に関する見通しであり、こ れらは現在入手可能な期待、見積、予想に基づいています。これらの期待、見積、予想は、経済情勢・市況の変化、競争環境 の変化、顧客のある国の政策変化、係争中及び将来の訴訟の結果など多くの潜在的リスク、不確実な要素、過程の影響を受け ますので、実際の業績は見通しから大きく異なる結果となる可能性があります。 従って、これら将来予想に関する記述に全面的に依拠することは差し控えて頂きますようお願いいたします。また、当社は 新しい情報、将来の出来事などに基づきこ
Slide 3: 決算概要
決算概要 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 3
Slide 4: 連結業績ハイライト
連結業績ハイライト ・想定通りの進捗、工場新設が継続し売上・利益は好調に推移。 ・受注金額は、製造装置の受注が前年度下期に集中した反動等により減少、 下期からの回復を見込む。 FY18 Q2累計 FY19 Q2累計 増減率 金額 金額 構成比 構成比 (百万円) (百万円) 売上高 23,244 ー 38,104 ― 63.9% 売上総利益 7,281 31.3% 12,523 32.9% 72.0% 営業利益 3,548 15.3% 8,365 22.0% 135.7% 経常利益 3,511 15.1% 8,585 22.5% 144.5% 親会社株主に帰属 する四半期純利益 2,053 8
Slide 5: 装置別連結売上高
装置別連結売上高 ・1Qに続きG10.5対応工場の新設が継続。 ・検査装置、製造装置共に前年比で大幅に増加。 25,000 25,000 検査装置 製造装置 20,000 18,090 20,000 17,869 15,000 15,000 10,813 10,559 10,000 10,000 5,000 5,000 0 0 FY18 Q2累計 FY19 Q2累計 FY18 Q2累計 FY19 Q2累計 (百万円) Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 5
Slide 6: 地域別連結売上高
地域別連結売上高 ・中国内でG10.5対応の工場新設が継続され、中国向け売上が98.9%増 加。 日本 韓国 台湾 中国 40,000 38,104 23,244 33,233 20,000 16,709 1,567 2,994 1,488 2,207 0 1,974 1,176 (百万円) FY18 Q2累計 FY19 Q2累計 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 6
Slide 7: 四半期毎連結売上高・利益の推移
四半期毎連結売上高・利益の推移 ・売上利益ともに想定通り進捗。 ・Q2は収益性の高い製品の販売が増加しQ1比で利益が大幅に改善。 25,000 50.0% 20,000 40.0% 15,000 30.0% 10,000 20.0% 5,000 10.0% 0 0.0% 2015 FY15 2016 FY16 2017 2017年3月期 2018 2018年3月期 2019 2019年3月期 年3月 年3月 年3月 年3月 年3月 (金額/百万円) Q1 (利益率) 期 Q2 Q3 Q4 期 Q1 Q2 Q3 Q4 期 Q1 Q2 Q3 Q4 期 Q1 Q2 Q3 Q4 期 Q1 Q2 Q3
Slide 8: 販売費及び一般管理費(連結)
販売費及び一般管理費(連結) ・想定通り進捗。 その他 製品保証関連費用 発送費 人件費 研究開発費 4,158 4,000 3,733 589 615 3,000 1,073 908 2,000 529 964 139 178 1,000 1,542 1,352 0 (単位:百万円) FY18 Q2累計 FY19 Q2累計 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 8
Slide 9: 連結営業利益の差異分析
連結営業利益の差異分析 ・売上額上昇等の影響で、営業利益は前年Q2比で135%増の8,365百万円 に。 粗利率改善 販管費増 売上増 ▲427 210 当期Q2 5,032 8,365 前期Q2 3,548 (単位:百万円) FY18 Q2累計 FY19 Q2累計 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 9
Slide 10: 連結貸借対照表の推移
連結貸借対照表の推移 ・売上および受注増に伴う、仕掛品、前受け金、利益剰余金などが増加し、 B/Sは、前年度Q4比で30.9%、前年同期比で53.5%拡大。 総資産 負債・純資産 90,000 84,791 90,000 84,791 3,064 396 80,000 3,658 80,000 4,854 70,000 64,786 70,000 64,786 2,576 386 32,506 5,068 60,000 55,255 4,839 60,000 55,255 1,591 462 4,305 5,289 53,170 50,000 50,000 22,281 40,000 16,7
Slide 11: 連結キャッシュフローの推移
連結キャッシュフローの推移 た ・前受金および純利益が増加し営業キャッシュフローは121億円となり前期 末より42.2%改善。 FY18 Q2 FY18 Q4 FY19 Q2 税金調整前純利益 3,510 12,256 8,776 売上債権(増加▲) ▲343 ▲3,780 ▲4,164 営業活動による 棚卸資産(増加▲) ▲6,683 ▲5,665 ▲7,069 キャッシュフロー 仕入債務(減少▲) 4,310 7,203 3,825 その他 1,306 ▲1,488 10,753 Total 2,100 8,526 12,121 投資活動によるキャッシュフロー Total ▲74 ▲434
Slide 12: 連結受注残・四半期毎連結受注高の推移
連結受注残・四半期毎連結受注高の推移 ・受注金額は、大型ディプレイ用新工場関連の発注が一服、2Qを底に下期 より回復する見通し。 115,637 114,997 120,000 受注残 受注高 103,477 100,800 97,723 89,546 90,000 72,260 72,381 58,047 60,000 50,377 42,671 36,996 34,630 31,290 25,219 23,742 30,000 22,672 23,366 23,486 22,085 17,807 16,372 18,235 15,824 15,279 15,065 9,447 8,406
Slide 13: 事業環境
事業環境 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 13
Slide 14: ディスプレイ需要予測(面積ベース)
ディスプレイ需要予測(面積ベース) ・年平均4~5%で成長継続。大画面/高精細、省電力、価格、形状 (Foldable, Rollable, 軽量化等)等に関連する技術に注目。 300 単位:Million ㎡ 0 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 世界のディスプレイ産業におけるパネル面積出荷量予測 2016年は実績値、2017年以降は予測(IHS Markit データより当社にて作成)。 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 14
Slide 15: ディスプレイ製造装置市場見通し
ディスプレイ製造装置市場見通し ・2018年~20年の液晶ディスプレイ設備投資が継続される見通し。 ・2018年~20年の総投資額は480~500億USDとなる見通し。 LCD OLED Billion USD 18 2018年 2019年 2020年 FPD製造装置販売予測(カレンダーイヤー、IHS Markit社データより当社にて作成) Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 15
Slide 16: 業績見通し
業績見通し Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 16
Slide 17: 2019年3月期 業績および配当の予想
2019年3月期 業績および配当の予想 ・売上高は、納入先工場建屋建築の遅れ、新製品の開発遅れを勘案し予想額 を修正。 ・利益と配当は、今年度の原価及び諸経費等の費用が期初の想定より削減で きる見通しとなり変更無し。 FY18 FY19(5/14) FY19(11/13) 前回予想比 金額 金額 金額 構成比 構成比 構成比 (百万円) (百万円) (百万円) 売上高 66,067 ー 82,000 ー 77,000 ー ‐6.1% 営業利益 12,545 19.0% 16,500 20.1% 16,500 21.4% 0.0% 経常利益 12,370 18.7% 16,200 19.7% 1
Slide 18: 2019年3月期 連結売上予想の内訳
2019年3月期 連結売上予想の内訳 ・全体で50億円の減少。製造装置は25億円減少の395億円、検査装置は25 億円減少の335億円に修正。 FY18 FY19 単位(億円) 395 374 335 244 42 40 製造装置 検査装置 アフターサービス Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 18
Slide 19: 中長期の事業見通し(売上)
中長期の事業見通し(売上) ・来年度以降のディスプレイ関連既存製品の売上は、今期と大きな変化なく 推移する見通し。 ・新たな収益源の確保と更なる売上規模拡大に向け、新製品投入と半導体関 連事業の確立に挑戦。 現在取り組んでいる新製品および半導体関連プロジェクト 1.OLED ① ディスプレイ関連 ② 有機EL照明関連 2.半導体 ① 半導体ウェハ研磨およびテスター事業について 3.フレキシブルマイクロLED 4.フォトマスク描画装置 5.局所レーザーアニール装置 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 19
Slide 20: トピックス
トピックス 1.OLED ① ディスプレイ関連 ② 有機EL照明関連 2.半導体 ① 当社の半導体事業とZ-CSET (半導体ウェハ研磨およびテスター事業) 3.フレキシブルマイクロLED 4.フォトマスク描画装置 5.局所レーザーアニール装置 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 20
Slide 21: OLED ディスプレイ関連
1.OLED ディスプレイ関連 ・代替技術と独自のサービスで、お客様のOLEDパネルシェア拡大を支援。 ・Ph1で装置技術で生産性と歩留りの向上を支援、Ph2では投資効率の高い 差別化された技術を提供。 OLEDパネルシェアの今後 -現在 -将来(1~3年先) -将来(数年先) 韓国勢(90%) 韓国勢(90→50%) 韓国勢(50→30%) Others(10%) Others(10→50%) Others(50→70%) 蒸着技術の今後 -現在 -Ph1(1~3年先) -Ph2(数年先) 蒸着マスク(FMM) 蒸着マスク(FMM+FHM) 蒸着マスク(発展型FHM) 蒸着装置(水平蒸着)
Slide 22: (参考)株式会社ブイ・イー・ティー(1)
1.OLED (参考)株式会社ブイ・イー・ティー(1) ・2019年春からのファインハイブリッドマスク(FHM)販売を目指し、 FHM製造を行うクリーンルームの改修工事および設備搬入を開始。 ・山形県米沢市八幡原中核工業団地 山形県産業技術振興機構「有機エレク トロニクス事業化実証施設」で事業を開始。設備投資額約50億円。 改修工事完了エリア 設備搬入 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 22
Slide 23: (参考)株式会社ブイ・イー・ティー(2)
1.OLED (参考)株式会社ブイ・イー・ティー(2) ・縦型蒸着装置の2020年出荷を目指し開発中。G6サイズ基板に対応、従来比 で最大4倍の生産能力を目指す。 ・VETと当社が共同で縦型蒸着装置及び蒸着マスク(FHM)を推進、マスクと装置、 2つの技術の迅速な摺合わせが可能。 Organic EL Source FHM(3~7kg) 縦型蒸着時の真空チャンバー内部(イメージ) 米沢市八幡原 中核工業団地 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 23
Slide 24: 有機EL照明関連
1.OLED 有機EL照明関連 ・世界最高発光効率(120 lm/W)で目にも優しい照明を目指し開発中。 ・生産性を改善するべく大型基板による量産も視野に、パートナー検討中。 有機ELとLED面光源の比較 (発光効率のロードマップより) 有機EL 200 LED光源 LED 発光効率[lm/W] 面光源 不快グレア対策 =快適な照明 100 60lm/W 2018 2021 2022 2030 2018.03.08_LED NEXT STAGE_NECL報告資料より抜粋 Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 2
Slide 25: 当社の半導体事業とZ-CSET①
2.半導体 当社の半導体事業とZ-CSET(浙江芯晖設備技術有限公司)① ・半導体製造装置事業をゼロから立上げ、現在のFPD製造装置事業と並ぶ事業の柱 に育てるべく様々な方法を検討。 ・当社の半導体事業の第一弾として、半導体製造装置需要の急伸が期待される中国 に、現地資本と合弁でZ-CSETを設立。 ・日本発の技術を求める中国の顧客と中国での事業機会を求める日本の技術系企業 を結びつけ大きなビジネスに。 ウェハ研磨装置事業 ・Z-CSET社向け8インチおよび12インチウェハ用研磨装置のデモ機を製造中。 ・現地で生産し、中国製装置として販売予定(製造装置の地産地消)。 ・基幹部品を日本から出荷、
Slide 26: 当社の半導体事業とZ-CSET②
2.半導体 当社の半導体事業とZ-CSET(浙江芯晖設備技術有限公司)② ・半導体製造装置事業をゼロから立上げ、現在のFPD製造装置事業と並ぶ事業の柱 に育てるべく様々な方法を検討。 ・当社の半導体事業の第一弾として、半導体製造装置需要の急伸が期待される中国 に、現地資本と合弁でZ-CSETを設立。 ・日本発の技術を求める中国の顧客と中国での事業機会を求める日本の技術系企業 を結びつけ大きなビジネスに。 半導体テスター事業 ・イノテック社は日本国内のNAND用テスターのシェアトップ。 ・成長が見込める中国への進出を目指すイノテック社を当社およびZ-CSETが支援。 ・今後はデモ機を日本で用意、
Slide 27: フレキシブルマイクロLED①
3.フレキシブルマイクロLED フレキシブルマイクロLED① ・UV発光するμLEDをリブ構造と蛍光材料で色変換し高精細な映像と優れた屈曲 性能を備えたディスプレイの基本技術を考案。 ・この技術を用いたμLED製造工程で運用されるLLO装置とLED移載(再配列)装 置を受注。 工程1 工程2 工程3 GaN基板にμUV-LED製造 LLO 電気的接続と再配列(同時処理) 4インチ サファイア基板上に作成されたGaN 連続的リフトオフ μLED(50μm以下をμLED呼称) FPC基板上に240×80μmピッ チ(106ppi)相当で配置 Copyright(C) 2018 V Technol
Slide 28: フレキシブルマイクロLED②
3.フレキシブルマイクロLED フレキシブルマイクロLED② ・UV発光するμLEDをリブ構造と蛍光材料で色変換し高精細な映像と優れた屈曲 性能を備えたディスプレイの基本技術を考案。 ・この技術を用いたμLED製造工程で運用されるLLO装置とLED移載(再配列)装 置を受注。 工程3(続き) 工程4 電気的接続と再配列(同時処理) 色変換層の形成 再配列後のLED点灯テスト Rib Red Green Blue 顕微鏡画像(160ppi相当) EmissionEmission Emission Resist Resist Resist MicroLED MicroLED MicroLED T
Slide 29: フォトマスク描画装置
4.フォトマスク描画装置 フォトマスク描画装置 ・世界最高の描画精度と速度を実現するべく、現在開発中。 ・来期売上予定。 マルチヘッド超高速・高精度描画 G10.5用フォトマスク(1700×2000mm)用として 最小描画線幅500nm/従来機の2倍の描画速度 短波長UV+DMD テンプレートによる マルチ描画ヘッド セルフアライメント 静的な位置補正技術 動的な位置補正技術 (マスク測長装置) (マスク外観検査装置) Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved. 29
Slide 30: 局所レーザーアニール装置
5.局所レーザーアニール装置 局所レーザーアニール装置 ・PLAS(Partial Laser Annealing Silicon)に不可欠の装置。 ・2016年に1号試作機、2017年に2号試作機を販売。評価継続中。 Partial Laser Annealing System a-Siの60倍 Laser: Excimer Optics: MLA (Micro Lens Array) Object: Selected TFT Channel Area シリコンのレーザーアニールについて 局所レーザーアニールイメージ PLASの特長:高電子移動度(5~30 cm2/Vs)、屋外使用時の画質
Slide 31: Copyright(C) 2018 V Technology Co., Ltd. All Right reserved.
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