Kioxia Holdings Corporation · TSE:285A
Kioxia — Investor Day (June 2025)
43 slides from Kioxia's investor day presentation, Jun 5, 2025
Slide 1: 経営方針説明会 AI時代におけるキオクシアの中長期成長戦略
経営方針説明会 AI時代におけるキオクシアの中長期成長戦略 キオクシアホールディングス株式会社 2025年6月5日 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved.
Slide 2: アジェンダ
アジェンダ 1. AI時代におけるキオクシアのミッション 代表取締役社長 早坂 伸夫 2. 中長期の市場見通しと経営指標 常務執行役員 戦略統括責任者 矢口 潤一郎 3. AI時代におけるストレージ戦略 常務執行役員 SSD事業部長※ 横塚 賢志 4. フラッシュメモリにおけるテクノロジーリーダーシップ 副社長執行役員 太田 裕雄 5. 生産・投資戦略 副社長執行役員 渡辺 友治 6. 質疑応答 ※ キオクシア株式会社の常務執行役員 SSD事業部長 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 2
Slide 3: 注意事項
注意事項 将来に関する記述は、当社が現時点で把握可能な情報から判断した想定および所信に基づくものであり、多様なリスクや不確実性(経済動向、 市場需要、半導体業界における激しい競争等がありますが、これらに限られません。)により、実際の結果とは異なる可能性があるのでご承 知おきください。また、当社は本資料上の将来予想に関する記述について更新する義務を負うものではありません。 本資料に記載されるメモリ市場の見通し等に関する情報は、現時点で入手可能な情報に基づいて作成しているものであり、当社がその真実性、 正確性、合理性及び網羅性について保証するものではありません。 本資料に記載されている長期財務モデ
Slide 4: AI時代におけるキオクシアのミッション
AI時代における キオクシアのミッション 代表取締役社長 早坂 伸夫 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved.
Slide 5: フラッシュメモリの転換点を創り出してきたキオクシア
フラッシュメモリの転換点を創り出してきたキオクシア 1987年 2007年 NAND型フラッシュメモリを発明 BiCS FLASHTM(3次元フラッシュメモリ)を 開発 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 5
Slide 6: 2024年度の技術成果
2024年度の技術成果 24年7月 24年12月 25年2月 25年3月 Electrode ~26nm InGaZnO Gate Electrode 業界最大容量 275Mbit 4F2 DRAM array and OSFET 332Layer BiCS FLASHTM サンプル出荷 @2024 IEEE 学会発表 @2025 IEEE 学会発表 サンプル出荷 酸化物半導体を用いた 第8世代BiCS FLASH 次世代の3次元 大容量122.88 TBの 新しいDRAM技術等 2Tb QLCを発表 フラッシュメモリ技術発表 エンタープライズSSD開発 (OCTRAM) © 2025 KIO
Slide 7: 拡大するフラッシュメモリのユースケース
拡大するフラッシュメモリのユースケース Phase1 Phase2 Phase3 電子機器への搭載 Cloud computingへの寄与 生成AIサービスの発展 AI AI AI © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 7
Slide 8: 生成AIの社会実装
生成AIの社会実装 AIによりあらゆる産業においてデータが価値を生む 宇宙探索 交通 小売り エンターテインメント エネルギー ヘルスケア 製造 ファイナンス 教育 農業 データセンタ データベース ネットワーク データセキュリティ サーバー バックアップ クラウド テクノロジー 価値創出の全ての過程に常に最適なデータアクセスを提供 SSD © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 8
Slide 9: キオクシアの成長エンジン Technology Scale Partnership
キオクシアの成長エンジン Technology Scale Partnership 安定した生産体制と業界をリードする技術で パートナーと共に情報インフラの基幹を担う © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 9
Slide 10: Technology
Technology 世界初を生み出してきた フラッシュメモリのテクノロジーリーダー ビット密度を追求した 競争力のあるメモリの開発 利用シーンに合わせた 大容量/高性能SSDの開発 SCMやHDD置き換えなど、 新しいコンセプトの技術提案
Slide 11: Scale
Scale スケールメリットを活かした 世界最大級のフラッシュメモリ生産拠点 25年にわたるSandisk社とのJVによる コストメリットの享受 四日市工場/北上工場間の データ連携/AI活用による円滑な量産展開 二軸戦略による 投資額を抑えたラインアップ拡充
Slide 12: Partnership
Partnership 各市場におけるリーディング企業との パートナーシップ スマートフォン、PC市場で 高いシェアを持つお客様との取引実績 サーバ市場のトップ企業とのコラボレーション ハイパースケーラとのビジネス拡大 装置メーカ、材料メーカ、OSAT等との 強靭なサプライチェーン構築
Slide 13: 社会への環境貢献
社会への環境貢献 製品製造時の 製品使用時の 地球温暖化ガス排出量削減 エネルギー消費効率の向上 ●省エネ、再生可能エネルギーの導入等推進 2040年までに再生可能エネルギーの ●Bitあたり消費電力の低減に尽力 使用比率100% 2017年度→2025年度 ●ネットゼロカーボン エネルギー消費量を50%削減 2050年度スコープ1,2を0化 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 13
Slide 14: facta] CT
facta] CT HAABELA<C IS
Slide 15: 中長期の市場見通しと経営指標
中長期の市場見通しと経営指標 常務執行役員 戦略統括責任者 矢口 潤一郎 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved.
Slide 16: AIが全てのアプリケーションに浸透
AIが全てのアプリケーションに浸透 スマートフォン平均搭載容量1 PC 平均搭載容量1 データセンタ向けフラッシュメモリ需要 1,3 CAGR スマートフォン平均搭載容量(GB) Smartphone Storage Density per Unit (GB) PC平均搭載容量(GB) PC SSD Density per Unit (GB) AI推論4 27% Product Ratio2 AIAI製品比率² AI学習4 AI製品比率² AI Product Ratio2 従来型/その他4 668 AI製品比率5 (Exabytes) CAGR CAGR 16% 13% 38% 525 41
Slide 17: 生成AIがけん引するフラッシュメモリ市場
生成AIがけん引するフラッシュメモリ市場1,2 AI関連のBit需要(EB)3,4 フラッシュメモリ市場 2,044 CAGR 69% CAGR 20% 推論 970 学習 26% 1 Source – TechInsights Inc. “NAND Market Report Q2 2025” 2 Demand forecast is based on NAND consumption (server sales, datacenter buildouts, etc.), not NAND/SSD sales by the memory suppliers to the datacenter
Slide 18: 2024年度実績
2024年度実績 売上収益 営業利益(Non-GAAPベース) 過去最高売上収益達成 1.7兆円 過去最高利益達成 4530億円 SSD& ストレージ (FY) '19 '20 '21 '22 '23 '24 (FY) '19 '20 '21 '22 '23 '24 2024年度は過去最高売上収益・最高利益を達成 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 18
Slide 19: 成長に向けた資源投入
成長に向けた資源投入 設備投資 研究開発 人材採用 売上収益比 売上収益比 20% 以下 8-9% 約 700 人/年 ※キオクシアグループ全体:定期採用及びキャリア採用 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 19
Slide 20: 長期財務モデル
長期財務モデル 成長性 フラッシュメモリ市場の成長率1と同等 20 % ※CY25-29 収益性 GB当たり 年間コスト削減率 10%台半ば 営業利益率2 20%台半ば 財務健全性 Net Debt/EBITDA3 中期 <1.0 長期 ネット・キャッシュ・ポジション ※本資料3ページのディスクレイマー参照 1 記憶容量出荷ベース 2 Non-GAAPベース 3 LTM Non-GAAPベース © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 20
Slide 21: キャピタルアロケーション
キャピタルアロケーション Capital Allocation Policy サイクルを通じた持続的成長にむけた、財務健全性の向上 キャッシュ 営業利益率2|20%半ば 繰越欠損金による節税 運転資本の 創出 長期財務モデル 2,765億円¹ マネージメント 成長投資 設備投資|売上収益の20%以下 研究開発|売上収益の8-9% 投資規律の遵守 技術競争力強化 サイクルを通じたFCF創出 キャピタル 借入金返済 配当等の株主還元 アロケーション Net Debt/EBITDA3<1.0x(中期) ネット・キャッシュ・ポジションの実現を優先 (長期) ネット・キャッシュ・ポジション(長期) 1
Slide 22: AI時代におけるストレージ戦略
AI時代におけるストレージ戦略 常務執行役員 SSD事業部長 横塚 賢志 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved.
Slide 23: AIシステムにおけるSSDの重要性
AIシステムにおけるSSDの重要性 AIサーバには、大容量かつ高速なデータ転送が求められる 従来型サーバー AIサーバー パラメータ数、1兆個以上 約4000倍の スピード 性能 消費電力 容量 HBM ✓✓✓✓ ✓✓ ✓ 約64倍の HBM HBM DRAM スピード DRAM ✓✓✓ ✓✓ ✓✓ 更なる SSD ✓✓ ✓✓✓✓ ✓✓✓ 高性能化 大容量化 HDD ✓ ✓✓ ✓✓✓✓ HDD or SSD SSD 容量、性能、省電力の観点からSSDが最適 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 23
Slide 24: AI推論に期待されるSSD需要
AI推論に期待されるSSD需要 サービスやユーザが増えるほど、推論システム・サーバは増加 学習 推論 HBM HBM HBM RAG スナップ LLMの高速読み込み ショット および とログ KVキャッシュ 非常に大規模な 学習用 検索性を データセット 拡張する コンテンツストア データベース • 高性能 SSDへの要求: • 大容量 • 高電力効率 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 24
Slide 25: キオクシアのAIシステム向けSSDラインナップ
キオクシアのAIシステム向けSSDラインナップ 最高クラスのPCIe® 5.0 SSD DCに最適化されたPCIe® 5.0 SSD パフォーマンス CM9 SSD PCIe®5.0対応自社製 コントローラ搭載 XD8 2025/E 大容量SSD ミッションクリティカル対応QLC SSD シングル / デュアルポート2.5インチ:122.88TB* 第8世代BiCS FLASH 、 2Tb QLCチップを搭載 LC9 * .さらに大容量の製品を計画中 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 25
Slide 26: キオクシアの強み
キオクシアの強み フラッシュ技術とエンタープライズシステムでの経験を融合し、信頼性の高いSSDをお客様に提供 NANDフラッシュ技術の 社内統合されたEnt.&DC リーダーシップ 研究開発プラットフォーム 高速インター PCIe® 5.0 DC フェイス SSD フォームファクタ ハードウェア より高速で 第8世代 PLP機能 低レイテンシー BiCS FLASHTM リード レイテンシー × int main() { 強力なECC、 int num1, nu SSD 高度なセキュリティ、 ファームウェア printf(“ xxx scanf("%d", & FWのカスタマイズ 書き込み p
Slide 27: キオクシアのご提案
キオクシアのご提案 キオクシアは、フラッシュメモリとSSDのエキスパートとして、テクノロジーリーダーやリーディングカスタマーと協業 することで、AIシステムと市場の成長に貢献 2026年後半 CURRENT キオクシアのご提案 HBM Super GPU性能を >10M IOPS 512B Rnd. 2~3M IOPS High IOPS 強化する Read 新しいSSD SSD SSD XL-FLASH (SLC) TLC & QLC リリース済み CURRENT キオクシアのご提案 推論サービスを 大型 AI市場における AiSAQTM 強化する RAG RAG SSD利活用の拡大 オープ
Slide 28: フラッシュメモリにおけるテクノロジーリーダーシップ
フラッシュメモリにおける テクノロジーリーダーシップ 副社長執行役員 太田 裕雄 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved.
Slide 29: フラッシュメモリのパイオニア
フラッシュメモリのパイオニア Phase1 Phase2 Phase3 アプリケーションの推移 コンシューマー 産業 AI 332L(第10世代)* 2Tb 218L(第8世代) BiCS FLASHTM *開発中 ビット 162L 2Tb 密度 2D NAND 96L 1Tb 48L 512Gb 15nm 256Gb 56nm 128Gb 160nm 700nm 16Gb 1Gb 容量 4Mb 性能、電力効率 アプリケーションの要求 信頼性 1991 2001 2008 2019 SLC MLC TLC ビット密度向上 QLC SLC : Single Level Cell MLC: Mul
Slide 30: 最高のビット密度を可能にする技術的リーダーシップ
最高のビット密度を可能にする技術的リーダーシップ 平面的シュリンクとCBAによる ビット密度向上技術と投資との関係 ビット密度の大幅な改善 テクノロジー 初期投資 第8世代 Gb/mm2 BiCS FLASHTM 垂直方向のスケーリング ① 積層 $$$ CBA ②③ 平面方向のシュリンク ② 高密度メモリホール - 第6世代 BiCS FLASHTM ① ③ 新アーキテクチャ $ ② 従来の方向 CBA 第5世代 BiCS FLASHTM 論理的シュリンク(多値化) ④ … QLC - 積層数 CBA : CMOS directly Bonded to Array QLC: Quad Lev
Slide 31: 最高ビット密度を実現するキーテクノロジー
最高ビット密度を実現するキーテクノロジー ②平面方向のシュリンク 世界初 ③新アーキテクチャ ④論理的シュリンク(多値化) 世界初 アイソレーション用の動作しない 第4世代BiCS FLASH から メモリホールを廃止 Wafer bonding 4ビット/セルを実現 Cell ビット Array 密度 従来の CBA SLC 1bit/cell レイアウト OPS CMOS 周辺回路 High 動作する x2 メモリ オーバ MLC 2bit/cell ホール ヘッドの x1.5 Cell 削減 TLC 3bit/cell High 動作しない メモリ CUA Array x1.33 ホール
Slide 32: BiCS FLASH ロードマップ
BiCS FLASHTMロードマップ 二軸の開発戦略により最適なCAPEX支出を可能としGB生産量を最大化し、様々な用途に対応する高性能NANDを提供 CBAの活用 第9世代,第Y世代 第X世代 高性能 最適なセル技術とアップグレードされた 第10世代 CMOS回路の組み合わせ 大容量 継続的なプロセス 性能 3.2Gbps 第8世代 マイグレーション 第6世代 CUA 第5世代 CNA 積層数 Stacking CBA : CMOS directly Bonded to Array © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved
Slide 33: BiCS FLASH各世代における性能とビット密度の向上
BiCS FLASHTM各世代における性能とビット密度の向上 第5世代 第6世代 第8世代 第10世代 インター フェース 1.2Gb/s 1.6Gb/s 3.6Gb/s x1.33(*) 速度の向上 Best in Class 性能 リード レイテンシー 45us 40us 35us x0.95 (*) 電力 書き込み >1.0GB/s >1.1GB/s >1.5GB/s 電力効率 x1.1(*) 効率 per W per W per W Best in Class ビット ビット密度 x1 x1.74 x1.5 x1.59 密度 (CNA) (CUA) (CBA) (CBA) Best i
Slide 34: 新しいメモリ・ソリューションの提案
新しいメモリ・ソリューションの提案 リードレイテンシー アプリケーション OCTRAM(研究開発段階) のイメージ ▪ 4F2レイアウト <10ns ▪ 低消費電力が要求されるAIや5G以降の OCTRAM: Cache システムメモリをターゲットとする` 酸化物半導体チャネル トランジスタDRAM HBM GPU memory <40ns DRAM CPU memory XL-FLASH(現在量産中) XL-FLASH Storage Class 3-5 us ▪ 一般的なTLC NANDの約10倍の速度と耐久性 (SLC NAND) Memory ▪ 以下のようなAIアプリケーションをター
Slide 35: 生産・投資戦略
生産・投資戦略 副社長執行役員 渡辺 友治 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved.
Slide 36: キオクシアのオペレーション優位性
キオクシアのオペレーション優位性 四日市工場と北上工場で高い歩留と生産性を実現 シナジー効果 急峻立上 初期段階から高歩留 生産性改善 AIによる迅速な対応 四日市工場 北上工場 7つの製造棟・研究開発センター 2つの製造棟 © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 36
Slide 37: 製造拠点アロケーション
製造拠点アロケーション 前工程 後工程 (GB出力) (生産能力) 市場要求に追従 アウトソース 2→3エリア 北上 アウトソース (新拠点) 四日市 自拠点 FY24 FY29E FY24 FY29E © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 37
Slide 38: 投資効率
投資効率 財務規律を守りながら生産能力を拡大 投資効率* 5年累計Capex / 単年GB出力 ($/GB) ✓ 将来の成長に向けた量産投資 業界平均 ✓ テクノロジーリーダーシップの維持に 十分な研究開発投資 キオクシア 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 * Source – TechInsights Inc. “NAND Market Report Q1 2025” © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 38
Slide 39: フラッシュメモリ生産のリーディングポジション
フラッシュメモリ生産のリーディングポジション 業界TOPレベルの生産規模を維持 TOPクラスのNANDプレイヤー ✓ 施設を所有し、製造オペレーションを100%管理 ✓ 大部分のエンジニアリソース キオクシア +Sandisk ✓ 生産能力全体の60% 生産能力 キオクシア 60% JVの生産能力 20% 40% 40% 単独能力 キオクシア Sandisk キオクシア + Sandisk 約30% 1 Source – CY24 Production GB, TechInsights Inc. “NAND Market Report Q2 2025” © 2025 KIOXIA Holdin
Slide 40: サプライチェーンマネジメントへの取組み
サプライチェーンマネジメントへの取組み サプライチェーンのリスクを評価・把握し、ビジネスリスクを最小化 サプライヤとの強固なパートナーシップによるBCPマネジメント 地政学的リスク 環境規制 災害・インシデント © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 40
Slide 41: ABOMLYR—YD
ABOMLYR—YD
Slide 42: 本日のメッセージ
本日のメッセージ 市場 生成AIの普及により、ストレージ市場は推論用途を中心に今後も拡大 イノベーションによるテクノロジーリーダーシップの堅持 提供価値 競争力のあるデバイス開発で、高性能・大容量・低消費電力等、 多様化するストレージへのニーズに対応 規律ある設備投資と戦略的なリソース配分により、 体質強化 収益性を着実に向上し、財務体質を改善 データ活用の基盤を提供して社会に貢献、 持続可能な成長を通じて、企業価値の向上を目指してまいります © 2025 KIOXIA Holdings Corporation. All Rights Reserved. 42
Slide 43: KIOXIA
KIOXIA