Tainergy Tech Co., Ltd. · TWSE:4934
Tainergy Tech — Investor Presentation (February 2020)
20 slides from Tainergy Tech's investor presentation, Feb 19, 2020
Slide 1: 太極能源碳化矽(SiC)新事業簡介
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Slide 2: 太極能源公司基本資料
太極能源公司基本資料 • 成立日期： 2007/5/14 (12.8年) • 資 本 額： 20億 • 主要投資者：廣運機械工程(股) 公司 • 股票上市：2011年8月 (臺灣證券交易代碼：4934) • 主要產品：太陽能電池、太陽能系統 2
Slide 3: 太極能源三大事業佈局
太極能源三大事業佈局 電池事業 電站系統 SiC新事業 3
Slide 4: 電池事業
電池事業 • 生產基地已經全部集中在越南廠 • 以單晶PERC電池為主，多晶為輔 • 今年的目標產能為800MW，其中單晶500MW， 多晶300MW 4
Slide 5: 電站系統
電站系統 • 專注於國內本土的電站投資與開發 • 目前持有電站容量超過17MW，在建未完工有 9MW • 預計今年目標新增15MW，總建置容量將超過 40MW 5
Slide 6: 為什麼選擇碳化矽(SiC)
碳化矽(SiC)新事業 為什麼選擇碳化矽(SiC) • 更高效節能的產品應用材料 • 5G的通訊應用 • 高技術門檻 6
Slide 7: 半導體材料分類
半導體材料分類 • 第一代半導體：鍺(Ge)、矽(Si) 微電子產業、資訊產業 • 第二代半導體：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP) 通訊產業、照明產業 • 第三代半導體：碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN) 高壓功率元件、高頻通訊元件 7
Slide 8: SiC物理特性
SiC物理特性 Properties Si SiC 能隙 eV 1.12 3.2 ~3x Band gap 電子遷移率 cm2/Vs 1500 650 Electron Mobility 擊穿電場 MV/cm 0.3 3.5 ~10x Electron Field for Breakdown 飽和漂移速率 x 107 cm/s 1.0 2.0 ~2x Saturated Drift Velocity 熱傳導率 W/cm/K 1.5 4.5 ~3x Thermal Conductivity 8
Slide 9: SiC元件優點
SiC元件優點 元件體積可縮小 超高工作電壓 超高切換頻率 高溫下元件較穩定 9
Slide 10: SiC元件主要應用市場
SiC元件主要應用市場 SiC晶圓 N型(導電型-電力電子用) SI (RF-通訊用) 電力電子元件 微波電子元件 發光二極體 (SBD、MOSFET…) (HEMT) LED照明 UPS 車用馬達 太陽能 5G通訊 (小基站) 風力 衛星 高鐵 10
Slide 11: SiC電力元件應用市場規模預估
SiC電力元件應用市場規模預估 2023年將達15億美元的市場規模 M$ 1.5 B USD 1600 1400 1200 1000 800 600 580M USD 400 200 0 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 新成長動能在充電樁、新能源車、馬達驅動等應用 資料來源：Yole Développement 11
Slide 12: SiC通訊元件應用市場規模預估
M$ SiC通訊元件應用市場規模預估 2023年市場規模達13億美金 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 2017 2023 資料來源：Yole Développement 12
Slide 13: 導電型SiC基板的市場規模
導電型SiC基板的市場規模 M$ 300 250 200 4吋 150 6吋 100 50 0 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 資料來源：Yole Développement 13
Slide 14: 導電型碳化矽基板的需求
導電型碳化矽基板的需求 450,000 400,000 350,000 300,000 250,000 4吋 200,000 6吋 150,000 100,000 50,000 - 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 資料來源：Yole Développement 14
Slide 15: 碳化矽PVT長晶法示意圖
fix {C9 PVT Fe aa 471 lel Thermal Insulation Water-Cooled Seed Silica-Tubes Water-Cooled Induction-Coil Crucible
Slide 16: 碳化矽長晶技術難度
碳化矽長晶技術難度 時間長 長度短 純度高 Si：3~4天 Si：200公分 原料、晶種 SiC：7天 SiC：2公分 取得難 16
Slide 17: SiC晶棒製作流程
SiC晶棒製作流程 長晶 去頭尾 定向 磨平面 晶棒檢 長短邊 定向 滾圓 17
Slide 18: SiC晶片製作流程
SiC晶片製作流程 定向 切片 退火 研磨 成品檢 清洗 拋光 倒角 18
Slide 19: 結語
結語 • 碳化矽在高壓功率元件和高頻通訊元件的應用 上，市場在未來幾年將會有爆炸性的成長。 • 碳化矽晶圓技術難度高，供應無法滿足需求，因 此我們選擇投入最上游的晶圓事業，現在是最好 的投資時機。 • 太極將藉由和中科院的合作積極跨入這個領域， 有信心在短時間之內突破技術瓶頸，獲得市場的 肯定。 19
Slide 20: 太極能源 4934
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