C. Uyemura & Co., Ltd. · TSE:4966
C. Uyemura & — Q2 FY2024.3 Earnings Presentation
42 slides from C. Uyemura &'s earnings presentation, Nov 13, 2023
Slide 1: 2024年3月期 第2四半期 決算説明資料
2024年3月期 第2四半期 決算説明資料 上村工業株式会社 東京証券取引所スタンダード市場 証券コード:4966 2023年11月13日 2023年11月24日更新 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 1
Slide 2: 2024年3月期 第2四半期 決算概要
2024年3月期 第2四半期 決算概要 【連結会計期間】 日本国内(2社):4月~9月/海外(10社): 1月~6月 表面処理用資材事業 • 主力のパッケージ基板向けのめっき薬品は、前年後半から続いているデータセンター向け サーバー市場における投資抑制とパソコンやスマートフォンの販売台数の落ち込みによる 在庫調整の影響を受けて、売上高、セグメント利益ともに前年同四半期を下回った。 表面処理用機械事業 • 日本、中国市場において半導体や電子部品向けのめっき用装置の販売が増加し、売上高、 セグメント利益ともに前年同四半期を上回った。 めっき加工事業 • タイやインドネシアにおける自動車
Slide 3: 2024年3月期 第2四半期 決算概要
2024年3月期 第2四半期 決算概要 売上高 営業利益 経常利益 四半期純利益 (百万円) (百万円) (百万円) (百万円) 50,000 10,000 10,000 10,000 42,105 8,258 40,000 37,220 8,000 7,549 8,000 8,000 6,256 5,978 5,804 30,000 6,000 6,000 6,000 4,057 20,000 4,000 4,000 4,000 10,000 2,000 2,000 2,000 0 0 0 0 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前第2四半期 当第2四半期 当第2
Slide 4: 四半期毎の業績推移
四半期毎の業績推移 売上高 営業利益 営業利益率 24,000 22,833 30.0% 21,918 18,613 20,662 20,810 20,187 19,706 20,000 25.0% 17,514 売上高、営業利益(百万円) 17,267 15,760 16,000 20.0% 営業利益率(%) 21.1% 19.8% 19.2% 17.8% 18.4% 16.8% 18.2% 17.1% 15.0% 12,000 16.0% 13.9% 8,000 10.0% 3,928 3,792 3,866 4,159 4,000 3,422 3,683 3,337 2,804 2,42
Slide 5: 営業利益の増減要因
営業利益の増減要因 (単位:百万円) 減収による 粗利の減少 販管費 (研究開発費 原価率 を除く) △ 1,559 の改善 の増加 研究開発費 その他営業 為替の影響 の増加 費用の増加 106 △ 271 △15 △ 80 74 7,549 5,804 △ 1,745百万円 2023年3月期 2024年3月期 第2四半期 第2四半期 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 5
Slide 6: 事業セグメント別売上高
事業セグメント別売上高 表面処理用資材事業 表面処理用機械事業 めっき加工事業 不動産賃貸事業 (百万円) (百万円) (百万円) (百万円) 50,000 8,000 4,000 800 40,000 35,253 5,804 6,000 3,000 2,435 600 28,976 3,995 2,021 422 408 30,000 4,000 2,000 400 20,000 2,000 1,000 200 10,000 0 0 0 0 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前第2四半期 当第2四半期 (単位:百万円) 増減額 増減率 累計実績 累計実績 表面
Slide 7: 事業セグメント別営業利益
事業セグメント別営業利益 表面処理用資材事業 表面処理用機械事業 めっき加工事業 不動産賃貸事業 (百万円) (百万円) (百万円) (百万円) 10,000 1,000 400 400 771 7,276 7,500 750 200 300 260 251 4,966 5,000 500 0 200 230 2,500 250 △ 200 100 △ 227 △ 194 0 0 △ 400 0 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前第2四半期 当第2四半期 (単位:百万円) 増減額 増減率 累計実績 累計実績 表面処理用資材 7,276 4,966 △ 2,310
Slide 8: 表面処理用資材事業 売上高推移
表面処理用資材事業 売上高推移 7,000 6,000 5,000 売上高(百万円) 4,000 3,000 2,000 1,000 0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 2022年3月期 2023年3月期 2024年3月期 日本 4,653 4,889 5,062 5,608 5,823 6,209 6,005 5,117 5,440 5,296 台湾 3,231 4,133 4,380 4,343 4,341 4,644 5,065 4,591 3,117 3,118 中国 2,436 2,887 3,375 3,465 3,232 3,666 3,797 3,3
Slide 9: 表面処理用機械事業 売上高推移
表面処理用機械事業 売上高推移 2,500 2,000 売上高(百万円) 1,500 1,000 500 0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 2022年3月期 2023年3月期 2024年3月期 日本 887 1,075 1,240 747 637 1,363 804 1,278 1,535 2,276 海外 673 172 302 1,914 1,191 791 2,083 1,298 432 1,558 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 9
Slide 10: めっき加工事業 売上高推移
めっき加工事業 売上高推移 1,000 900 800 700 売上高(百万円) 600 500 400 300 200 100 0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 2022年3月期 2023年3月期 2024年3月期 タイ 857 773 687 780 950 837 865 918 865 748 台湾 264 258 274 284 249 228 237 208 88 85 インドネシア 83 90 81 81 80 86 157 123 126 106 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Rese
Slide 11: 薬品カテゴリー別売上高
薬品カテゴリー別売上高 HDD関連 Wafer & PKG関連 汎用無電解Ni関連 その他 (百万円) (百万円) (百万円) (百万円) 3,000 30,000 3,000 3,000 2,187 2,304 2,218 19,916 2,000 20,000 16,586 2,000 2,000 1,230 1,372 1,000 818 10,000 1,000 1,000 0 0 0 0 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前Q2 当Q2 前第2四半期累計実績 当第2四半期累計実績 (単位:百万円) 増減額 増減率 構成比 構成比 HDD関連 1,230 4.8% 818
Slide 12: 薬品ビジネス 最終製品までの流れ
薬品ビジネス 最終製品までの流れ 汎用無電解 当 HDD関連 Wafer & PKG関連 その他 Ni関連 社 • 最終表面処理薬品 • 無電解ニッケルめっき • 装飾めっき • 無電解ニッケルめっき 薬 (高リンタイプ) 無電解ニッケル/金めっき (中リンタイプ) (ニッケル/クロム、 無電解ニッケル/パラジウム P含有率8~11wt% 亜鉛めっき、プラめっき) 品 P含有率12wt%以上 /金めっきなど ニムデンSX、DX、KTY、 • はんだめっき ニムデンHDX • 無電解/電解銅めっき BEL801(ホウ素タイプ) • PTFE含有複合めっき 役 ・非磁性 など ・高周波数特性 ・耐
Slide 13: 地域別薬品売上高
グループ全体 地域別薬品売上高 その他 ハードディスク (Others) 関連(HDD) 13.7億円 8.18億円 2024年3月期 第2四半期累計 汎用無電解 韓国 ニッケル関連 ※内部売上高含む (ELNi) 23.0億円 210億円 中国 14.3億円 ■ Wafer & PKG:13.1億円 ウェハー・ ■ ELNi:0.05億円 パッケージ関連 52.5億円 ■ Others:1.1億円 (Wafer & PKG) 165.8億円 日本 ■ Wafer & PKG:46.4億円 ■ ELNi:5.2億円 ■ Others:0.7億円 77.2億円 台湾 ASEAN ■ HDD:6.
Slide 14: 連結業績予想の修正
連結業績予想の修正 (単位:百万円) 前回発表予想 今回修正予想 増減額 増減率 売上高 66,230 78,180 +11,950 +18.0% 営業利益 10,230 12,100 +1,870 +18.3% 経常利益 10,360 12,930 +2,570 +24.8% 当期純利益 (金属等86億円) 7,030 8,790 +1,760 +25.0% (21%) 1株当たり 424.54円 542.02円 当期純利益 《修正の理由》 表面処理用機械事業において、車載用パワーデバイスの製造に使われる半導体ウェハー向けの めっき用装置の販売が好調に推移したほか、表面処理用資材事業では、車
Slide 15: 2024年3月期 通期業績予想
2024年3月期 通期業績予想 売上高 営業利益 経常利益 当期純利益 (百万円) (百万円) (百万円) (百万円) 120,000 20,000 20,000 20,000 15,832 15,046 85,749 90,000 78,180 15,000 15,000 12,930 15,000 12,100 10,545 60,000 10,000 10,000 10,000 8,790 30,000 5,000 5,000 5,000 0 0 0 0 FY23.3 FY24.3 FY23.3 FY24.3 FY23.3 FY24.3 FY23.3 FY24.3 当期予想 (単位:百万
Slide 16: 2024年3月期 通期業績予想
2024年3月期 通期業績予想 事業セグメント別売上高・営業利益予想 売上高 営業利益 (単位:百万円) 当Q2 対予想 当Q2 対予想 前期実績 当期予想 前期実績 当期予想 (2023.11.13修正) 累計実績 進捗率 (2023.11.13修正) 累計実績 進捗率 表面処理用資材 70,494 60,800 28,976 47.7% 13,887 10,950 4,966 45.4% 表面処理用機械 9,460 12,300 5,804 47.2% 941 1,310 771 58.9% めっき加工 4,946 4,280 2,021 47.2% △ 316 △ 470 △ 194
Slide 17: 為替レートの推移
為替レートの推移 ニュー台湾ドル 人民元 米ドル 4.90 21.50 160.00 4.70 20.50 150.00 4.50 19.50 140.00 4.30 18.50 130.00 4.10 17.50 120.00 3.90 16.50 110.00 3.70 15.50 3.50 14.50 100.00 ニュー台湾ドル 人民元 米ドル 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 17
Slide 18: 設備投資/減価償却/研究開発費
設備投資/減価償却/研究開発費 設備投資額 減価償却費 研究開発費 (百万円) (百万円) (百万円) 10,000 4,000 4,000 8,017 7,500 6,238 3,000 3,000 2,487 2,259 2,303 2,025 5,000 2,000 2,000 2,500 1,000 1,000 Q2 Q2 Q2 0 0 0 前期実績 当期予定 前期実績 当期予定 前期実績 当期予定 前期実績 当第2四半期 当期予定 (単位:百万円) (通期) 累計実績 (通期) 設備投資額 6,238 358 8,017 減価償却費 2,025 923 2,259 研究開発費 2,3
Slide 19: 資本政策
資本政策 安定的な経営基盤の確保と株主資本利益率の向上を基本方針とした資本政 策に取り組んでいます 連結総還元性向 50%、ROE 8.5%を目標 2022年3月期-2024年3月期の3年間で60億円規模の弾力的な自己株式取得を実施 中長期的にはROE 10%を目指す • 総還元性向による安定した配当の実現と自己株式取得の機動的な実施 • 経済状況、財務状況等を総合的に勘案した弾力的な自己株式取得の実施 • 将来の成長が見込まれる分野や地域、新たな技術取得、M&A、想定外の事態や自 然災害に備えた内部留保の確保 ※当社は、役職員と共に持続的な企業価値創造を実現していくため、その動機付けの原資と
Slide 20: <トピックス>新機械工場(大阪府枚方市)竣工
<トピックス>新機械工場(大阪府枚方市)竣工 ・所在地:大阪府枚方市出口1-17-20 ・敷地面積:約4,978m2 ・総投資額:約39億円(土地・建物等) ・半導体用めっき装置の製造専用エリア保有 11月27日業務開始予定 ・SDGsやカーボンニュートラルに配慮した基本設計 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 20
Slide 21: <トピックス>上海技術センター開設予定
<トピックス>上海技術センター開設予定 上海国际化工新材料创新中心(上海化学工业区) ・所在地:上海市化学工業区北河路17-10号厂房 ・建物名:上海国際化工新材料科学技術革新 センター科創基地 中試工場棟10号 ・総投資額:約16,500千元(建物・分析機器等) 2024年4月業務開始予定 ・クリーンルーム、実験室、分析室等完備 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 21
Slide 22: 2025年3月期以降の業績展望
2025年3月期以降の業績展望 2024年3月期は、主にパッケージ基板の生産調整の影響を受けて、過去最高益を達成した2023年3月期を 下回る見通し。 2025年3月期以降は、エレクトロニクス市場の回復により、V字回復を目指す。 120,000 30,000 売上高 経常利益 過去最高益 売上高(百万円) 経常利益(百万円) 100,000 25,000 85,749 V字回復へ 78,180 80,000 72,303 20,000 60,000 55,947 15,000 51,979 52,223 46,254 47,568 48,120 14,606 12,930 42,049 42,
Slide 23: 主要ビジネス状況
主要ビジネス状況 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 23
Slide 24: 事業環境について
事業環境について 現行市場状況 ① 国内:PC関連はコロナ禍前に戻りつつあるが、未だサーバー関連は在庫調整により 出荷が大きく減少した状態が継続。特にHDDに関しては、HDDの交換周期 が4年から5年に延長され、記憶容量をMax60%から80%へアップされた ため需要は伸びているものの、出荷数量は減少したままになっています パワーデバイスは落ち率は低く比較的堅調 ② 海外:国内とほぼ同じ傾向。車載も同様 *半導体関連は在庫調整が終われば潜在的に需要は戻ると予想 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 24
Slide 25: 次世代開発製品
次世代開発製品 高密度パッケージ基板対応 小径ビアへの付きまわり向上低応力無電解銅めっき浴 半導体事業拡大 最先端半導体パッケージ用電解めっきプロセスの開発 (NEDO事業参加) 新規接合材料(Ag焼結、Cu焼結)へ適したプロセスの開発 作業環境改善 密着向上剤によるデスミアフリープロセスに加え、ガラス上への金属酸化膜 形成プロセス(MOSL:Metal Oxide Seed Layer)の開発 レアメタル使用量低減 無電解銅めっき前処理プロセス酸洗添加剤による低濃度パラジウム触媒 環境負荷改善 電解銅めっき浴のリサイクルシステムによる廃液量低減 環境有害物質(フリーシアン, 鉛, ホルマリン
Slide 26: 世界の半導体市場の動向
世界の半導体市場の動向 経済産業省:「半導体・デジタル産業戦略」まとめ(2021) 半導体戦略.PDF P54より 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 26
Slide 27: 車載半導体の使用箇所
車載半導体の使用箇所 経済産業省:「半導体・デジタル産業戦略」まとめ(2021) 半導体戦略.PDF P26より 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 27
Slide 28: パッケージ基板対応デスミアフリープロセス
パッケージ基板対応デスミアフリープロセス 有機溶剤や過マンガン酸塩を有するデスミアプロセスを使用せず 平滑で高密着な回路形成が可能となるプロセスを開発 3ステップ処理 無電解銅+電解銅後SEM断面観察 ✕5000 銅めっき皮膜 • 紫外線照射 1 従来 ABF樹脂 • 密着向上処理 デスミア 2 フリー • 熱処理 GL102 GL103 GY50 3 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 28
Slide 29: 次世代パッケージ基板内ガラスコアへのシード層形成
次世代パッケージ基板内ガラスコアへのシード層形成 パッケージ基板 ガラス特性 要求特性 高剛性 ⇒ ねじれ寸法精度 インターポーザー 低熱膨張係数 ⇒ 反り寸法精度 サブストレート 高平滑性 ⇒ 微細配線形成 微細配線化へインターポーザーやサブストレートにガラス採用 ② 懸念事項 ① ① スルホール内断線 ② 配線密着性 スルホール付きガラス基板 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 29
Slide 30: 次世代パッケージ基板内ガラスコアへのシード層形成
次世代パッケージ基板内ガラスコアへのシード層形成 スルホール内断線 配線密着性 1600 1400 90度平均ピール強度 [g/cm] 1200 スパッタ シード層めっき (乾式) (湿式) 1000 800 600 400 200 0 スパッタ シード層めっき (乾式) (湿式) 電解銅膜厚: 15um 25um 35um シード層めっきは両者の懸念事項をクリアしている 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 30
Slide 31: 次世代パッケージ基板内ガラスコアへのシード層形成
次世代パッケージ基板内ガラスコアへのシード層形成 熱処理温度 ピール強度:25um膜厚 アスペクト比:10 300 ℃ 1 kgf/cm 98 % スルホール内 低温度処理プロセス ガラスとの高密着性 高めっき付きまわり 高密度化に対応する基材変化においてもめっきプロセスにて高性能で安価に基板製造が可能 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 31
Slide 32: 無電解銅めっきプロセスのパラジウム使用量低減
パッケージ基板対応無電解銅めっきプロセスのパラジウム使用量低減 アクチベーターの前の酸洗処理に添加剤を加えることにより アクチベーター浴中のPd濃度を 200mg/L ⇒ 50mg/L(75%削減) にできるプロセスを開発 100 Glass-Epoxy ABF Pd adsorption (ug/dm2) 80 60 40 20 0 Conventional New additive Pd濃度を減少させても、吸着量は変わらずめっき後の密着性や信頼性に問題はない 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 32
Slide 33: 次世代パッケージ基板対応低応力無電解銅めっき浴
次世代パッケージ基板対応低応力無電解銅めっき浴 高密度パターン形成における0.2um以下のめっき膜厚 Thickness 30umΦ/35umh にて、小径ビアへのめっき付きまわりが良好、かつ 0.199μm 面内膜厚分布が良好な無電解銅めっき浴を開発 Surface (x5,000) 抑制作用 高浸透性 Strong agitation 0.154μm Material supply BVH Bottom promotion (x10,000) Weak agitation Throwing power 77% 添加剤による抑制作用と高浸透性により小径ビアへの良好な付きまわりを実現 2023
Slide 34: 国内半導体事業拡大 NEDO事業参加
国内半導体事業拡大 NEDO事業参加 JOINT2コンソーシアム 経済産業省ホームページ 内 「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発 (助成)」採択結果一覧 20210531002-1.pdf より抜粋 https://www.meti.go.jp/press/2021/05/20210531002/20210531002.html 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 34
Slide 35: JOINT2コンソーシアム技術目標
JOINT2コンソーシアム技術目標 2.xD/3Dパッケージ 微細バンプ接合 微細配線化技術 高信頼性パッケージ大型化 Vertical interconnect Lateral interconnect Thermal management Stress management 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 35
Slide 36: JOINT2コンソーシアムにおけるウエムラの役割
JOINT2コンソーシアムにおけるウエムラの役割 微細バンプ接合 微細配線化 微細バンプ用 次世代パッケージ用 微細配線用 電解めっき液の開発 電解めっき装置の開発 電解めっき液の開発 電解銅/ニッケル/錫-銀めっき 電解銅めっき (バンプ径:10um) (配線幅:2um) 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 36
Slide 37: ESG・SDGsに関する取り組み
ESG・SDGsに関する取り組み 当社は「Growing together with ( :You)」 のグループ共通スローガンのもと、 ステークホルダーの皆様と共に成長・発展し、社会に貢献できる企業を目指しています Environment(環境) 環境対応型製品・技術の開発・拡販 廃棄物・水使用量の削減 社会発展・環境改善へとつながる製品の開発・提供 クリーンエネルギーの使用、電力使用量の削減 持続可能な 社会貢献・地域貢献活動の推進 社会の実現 コンプライアンスの徹底、人権の尊重 受注から出荷までの工程の自動化 BCP(事業継続計画)の実施 いきいきと働ける職場環境の整備 Social(社
Slide 38: 環境対応製品 ~SDGsの積極的取り組み~
環境対応製品 ~SDGsの積極的取り組み~ 1. Pbフリーめっき浴 ・無電解Niめっき浴。 主に汎用浴向け。 ・Pbフリーの電気Snめっき浴。純Sn、Sn-Ag浴など。 電子部品向け。 2. シアンフリー浴 ・シアンフリー&フリーシアン補給不要の無電解Auめっき浴。 ウェハー、電子部品向け。 3. デスミアフリープロセス ・危険な過マンガン酸をつかわない基板向けプロセス。 4. ホルマリンフリー浴およびホルマリン不使用プロセス ・樹脂上へのダイレクトめっき(無電解Cu浴を使わない)。 基板向け。 ・ホルマリンフリー無電解Cu浴の開発。 ウェハー向け。 5. PFOS,PFOAフリー浴 ・PT
Slide 39: 環境有害物質を使用しないめっき浴
環境有害物質(フリーシアン、鉛、ホルマリン等) を使用しないめっき浴 Ni腐食の比較した断面観察 従来 新規 貴金属めっきは一般的にフリーシアンを使用すること パラジウム/金 パラジウム/金 で浴安定性や良好な皮膜性能を得ることが出来ま depo ニッケル す。主要な最終表面処理である無電解ニッケル/パラ depo ニッケル ジウム/金工程において、フリーシアンを補給しない無 10 um ニッケル腐食 銅 電解金めっき液を用いると、下地のニッケル腐食を回 銅 避できませんでした。 基材 基材 →新規開発浴では、フリーシアンを補給することなく 10 um 高品質なめっき皮膜を提供可能。 2023
Slide 40: 電解銅めっき浴のリサイクルシステムによる廃液量低減
電解銅めっき浴のリサイクルシステムによる廃液量低減 電解銅めっき 再生システムイメージ 電解銅めっき再生システム 電解銅めっき槽 電解銅めっき液は老化するに従い性能を阻害する不 純物が蓄積するため、一定期間使用すると全量廃 液→更新する必要があった。 この問題に対して「めっき液を部分的に再生システム で処理→めっき槽へ戻す」を繰り返しながら使用する ことで性能を一定に保ち理論上めっき液の寿命を半 永久的に延ばすことが可能。 予備槽 活性炭フィルター 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 40
Slide 41: グループ会社一覧
グループ会社一覧 会社名 設立年 所在地 主な事業内容 1848年(創業) 上村工業株式会社 日本 1933年(設立) 株式会社サミックス 1963年 日本 ウエムラ・インターナショナル・コーポレーション 1985年 米国 中国 上村(香港)有限公司 1986年 (香港) 台湾上村股份有限公司 1987年 台湾 サムハイテックス 1987年 タイ 中国 上村工業(深圳)有限公司 1988年 (深圳) ウエムラ・インターナショナル・シンガポール 1992年 シンガポール ウエムラ・マレーシア 1996年 マレーシア 中国 上村化学(上海)有限公司 2002年 (上海) 韓国上村株式会社 2010
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本資料に記載されている業績見通し等の将来に関する記述 は、当社が現在入手している情報及び合理的であると判断 する一定の前提に基づいており、その達成を当社として約 束する趣旨のものではありません。また、実際の業績等は 様々な要因により大きく異なる可能性があります。 2023/11/24 © C. Uyemura & Co., Ltd. All Rights Reserved. 42