Ushio Inc. · TSE:6925

Ushio — Investor Presentation (June 2026)

107 slides from Ushio's investor presentation, Jun 30, 2026

Slide 2: 留意事項
留意事項将来の見通しについて本資料で記述されている将来の当社業績に関する見通しは、現時点で入手可能な情報を基に当社が判断した予想です。従いまして、様々な要因の変化により、実際の業績は記述されている将来見通しとは大きく異なる結果となる可能性があることをご承知おき下さい。本資料の利用について本資料に含まれる情報の著作権その他の知的財産権は、当社に帰属します。無断での転載、複製、配布、または第三者への提供はお控えください。本資料は、当社の事前の承諾なく、資料の全部または一部を複製・引用して使用することはできません。ご質問への対応について本資料に関するご質問のうち、以下に該当する場
Slide 3: 目次
目次１．光源事業各セクション共通のアジェンダ • サーマルプロセス（ハロゲンランプヒータ、フラッシュ照射ユニット） • 製品概要説明 • エキシマランプ • 技術の概要と特長 • 露光用ランプ（超高圧UVランプ） • 技術の応用 • 開発ロードマップ２．露光装置事業 • 事業ポテンシャル • 半導体アドバンスドパッケージの業界・技術トレンド ※ただし、各製品等の性質により内容が異なる場合もございます。 • 半導体サブストレート用ステッパ露光装置（UXｰ5シリーズ） • ダイレクトイメージング(DI)露光装置（INPREX Series） • デジタルリソグラフィ(DLT)装置 3．Ph
Slide 7: 光加熱製品の主要ラインアップ
光加熱製品の主要ラインアップ ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージです当社がコア技術を有する【光放射加熱技術】をベースに、ハロゲンランプ、フラッシュランプ、LEDを製品展開 ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージです Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 7
Slide 10: 半導体製造工程で活躍するウシオの光加熱製品
半導体製造工程で活躍するウシオの光加熱製品採用中の工程開発中の製品ハロゲンランプ光加熱フラッシュランプ LEDユニットエキシマVUVユニットホトレジスト硬化装置スポットUVユニット ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージです半導体デバイス製造分野では前工程・中工程の幅広い範囲でウシオの製品が活躍中 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 10
Slide 16: ハロゲンランプヒータ製品の使用例①
ハロゲンランプヒータ製品の使用例① ■半導体シリコンエピタキシャル成長装置におけるハロゲンランプヒータの使用イメージ ※本画像はAIにより生成されたイメージです ※ウシオ調べに基づきAIにより生成半導体シリコンエピタキシャル成長には急速な昇温、急速な降温が必要なステップがあり、ハロゲンランプヒータはそれらを実現するために最適な放射熱源です ※本画像はAIにより生成されたイメージです Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 16
Slide 17: ハロゲンランプヒータ製品の使用例②
ハロゲンランプヒータ製品の使用例② ■半導体PECVD装置におけるハロゲンランプヒータの使用イメージ ※本画像はAIにより生成されたイメージです ※本画像はAIにより生成されたイメージです急速昇温、急速降温を特徴とするハロゲンランプヒータは電力ロスを抑制し、半導体デバイスに与える熱影響を最小限に留めることに寄与します Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 17
Slide 18: ハロゲンランプヒータ製品の使用例③
ハロゲンランプヒータ製品の使用例③ ■半導体ウェハ洗浄装置におけるハロゲンランプヒータの使用イメージ ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージです大容積の液体を急速に加熱するには、ロス光を抑制するための工夫を施したハロゲンランプヒータが必要です Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 18
Slide 20: 競合技術に対するフラッシュランプアニール用照射ユニット搭載装置の優位性
競合技術に対するフラッシュランプアニール用照射ユニット搭載装置の優位性 ■複数パルスの照射も可能 ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージです多波長フラッシュランプの特性を活かし、複雑化する半導体デバイスの各プロセスに適した熱提供が可能です Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 20
Slide 24: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル
光加熱製品の今後の期待ポテンシャル成長が期待される半導体シリコンエピタキシャル成長装置とウェハ洗浄装置の市場成長予測 ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージですハロゲンランプヒータの主要アプリケーションであるSiエピタキシャル、ウェハ洗浄は今後も大きく拡大 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 24
Slide 25: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル
光加熱製品の今後の期待ポテンシャル ■主要半導体デバイスにおける洗浄ステップ数の推移と将来予測 ※本画像は社内資料を基にAIにより生成されたイメージです特にウェハ洗浄はLogic半導体・メモリ分野(特にNAND)において今後も大きく拡大 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 25
Slide 26: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル
光加熱製品の今後の期待ポテンシャル生成AIやAutomotive field、IoT等の半導体市場の成長と連動した売上高拡大 CAGR：8.7% IoTデバイス接続数拡大車載用高性能SoC 生成AIインフラ需要 FY2024 FY2025 FY2026 FY2030 実績実績見通し目標 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 26
Slide 28: 事業概要
事業概要 UVの中でも波長の短い172nmの光が照射できる「エキシマ光照射ユニットおよび装置」を扱う事業複数の産業用途に展開しており安定収益と成長を両立光照射ユニット FPD 半導体事業領域建築材料半導体パッケージ機能性フィルム光照射装置既存領域であるFPD(フラットパネルディスプレイ)に加え、半導体・半導体パッケージを成長領域と捉えて活動 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 28
Slide 29: 事業概要（機能/効果）
事業概要（機能/効果）効果有機汚染分解無光沢化親水化接着強度向上酸化/還元処理表/図接着剤やめっきなどの半導体材料応用ドライ洗浄による高級感醸造成膜前処理による接着力向上による（Siや金属材料など）事例歩留まり向上防汚性/質感向上液はじきの防止剥離防止の酸化/還元材料に応じてプロセス条件を最適化することで、様々な製造工程の課題解決が可能 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 29
Slide 31: 事業概要（エキシマランプの強み/競争優位性）
事業概要（エキシマランプの強み/競争優位性）【トップシェアを支える技術】 1993年にウシオが世界で初めて上市 FPDの市場拡大・大型化/高スループット化に合わせて競争優位性の高い大型扁平ランプを他社に先駆け市場リリース 3m幅を処理できる長尺ランプ高出力/長寿命の両立累計：6,000台以上の出荷実績 FPD市場では90%以上*の市場シェアを獲得 *自社調べ（2026年3月31日時点）当期FPD市場の複数大型投資も当社採用が確定 27年度までのバックオーダーが積みあがっている状況独自技術である扁平形状採用によるランプ1本あたりの効率最大化 FPDで培った光源技術をベースに半導体・半
Slide 32: 半導体市場での取り組み（More Moore)
半導体市場での取り組み（More Moore) 半導体デバイス構造の複雑化量産想定時期 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 以降トランジスタ構造＠Logic セル構造＠DRAM ※トランジスタ構造、セル構造の画像はAIにより生成したイメージです・先端LogicデバイスおよびDRAM製造工程で採用【取引先】半導体製造装置メーカー様 Memory不足/設備投資増加の背景から当社光源の受注/出荷量も増加・微細化/薄膜化/高積層のトレンドに対して改質/トリートメントの需要が増加今後も適用Layerの増加を想定しており、27年以降も継続成長の見通し・プ
Slide 33: 半導体市場での取り組み（More than Moore）
半導体市場での取り組み（More than Moore）半導体前工程の微細化だけに頼らず、異種機能の集積で半導体の価値を高める「Wafer/Chip接合」「Chiplet実装に対応するパッケージ配線の微細化・低誘電率化」が重要 Front - End of 3D Advanced-PKG 【取引先】半導体製造装置メーカー様【取引先】半導体パッケージ基板製造メーカー様 1Chipの集積度を上げる・伝送距離短縮のため「微細化・低誘電率化」×「パッケージサイズ大型化」 Wafer to Wafer および Chip to Waferの接合が必須これらのトレンドに対応しようとすると大型の真空
Slide 34: 事業ポテンシャル
事業ポテンシャル FPD市場の高シェアの維持および交換ランプによる安定収益基盤 DRAM不足を背景とした先端半導体向けの照射ユニット販売および採用Layerの増加新規工程・新用途展開による中長期での需要拡大 CAGR：7.6% Now FY2025 FY2026 FY2030 実績見通し目標安定・成長ビジネスとして2030年までに売上が1.5倍に拡大 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 34
Slide 36: 超高圧UVランプについて
超高圧UVランプについて超高圧UVランプは紫外光を強く放射する点光源に近い光源。分光分布輝度分布 i線(365nm) g線(436nm) h線(405nm) この2つの特長から主に露光用光源として半導体やフラットパネルディスプレイ(FPD)などの製造工程で使用。超高圧UVランプ露光装置半導体/FPD/プリント基板など Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 36
Slide 39: ウシオの強み露光装置に合わせた製品展開
ウシオの強み露光装置に合わせた製品展開超高圧UVランプは、露光装置の要求仕様に合わせて最適化することで性能を発揮できます。当社は長年、多くの装置メーカーと共同で超高圧UVランプの製品開発・改良を重ねてきました。その結果、市場にある様々な露光装置(ランプ方式)に幅広く適合する製品群を取り揃えております。装置メーカー各社との強固な関係性により、装置側の要求変化にも継続的に適応できる体制を維持しております。露光装置に適合するための4つのポイント Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 39
Slide 40: ウシオの強みものづくり力
ウシオの強みものづくり力 1965年から露光用ランプの製造を開始し、現在では100Wから35kWまで幅広い製品に対応。蓄積した製造ノウハウによりタングステンや石英ガラスなど難加工材の精密加工を可能にし、高品質な製品の安定生産を実現しております。重量 100W サイズ約60g 約5倍約100倍 35kW 約6kg タングステン(W) タングステン材料石英ガラス管金属の中で最も融点が高く、硬度が高い。融点：約3400℃ / 比重：19.3g/cm3 石英ガラス(SiO2) 一般的なガラスよりも不純物が少なく透光性耐熱性が高い。軟化点:約1650℃ Confidential C
Slide 41: ウシオの強み独自技術
ウシオの強み独自技術保有特許：87件 (直近５年の出願件数：21件) 例：長寿命化技術熱放射・熱伝導をコントロールする独自技術により、寿命要因の1つである光量低下を抑制。熱放射・熱伝導をさらに向上させる技術を現在開発継続中。蒸発抑制には電極温度低減が必要熱伝導・熱放射それぞれの向上熱伝導熱放射により100℃以上※の温度低減従来独自技術導入光量低下率 (蒸発起因) 熱伝導：熱を後端に輸送熱放射：熱を外に放出約2倍※ 点灯中の電極の先端部は2500℃以上の高温となり一部が蒸発。蒸発物が時間内面に付着し、光量低下の原因となる ※この効果は一例です。実際の効果は製品に
Slide 42: 今後の目指す方向性
今後の目指す方向性 ◆ 半導体ｉ線露光装置の新設出荷台数は緩やかに増えていく見通しであり、装置メーカーとの関係性を維持し、これら新設投資と需要の取り込みを継続。 ◆ 生産性向上とコストダウンにより安定的な収益確保を継続 ◆ OSRAM事業買収により、調達・生産等の効率化による収益性向上、技術シナジーによる価値創出半導体 i線露光装置の出荷台数露光用ランプ売上高推移 (ランプ方式) 単位：億円 149 154 AI半導体(先端ﾊﾟｯｹｰｼﾞ/HBM) ｻｰﾊﾞｰ向けIC(CPU/NAND/DRAM) がけん引 FY2024 FY2025 FY2030 FY2024 FY2025 FY20
Slide 43: 2. 露光装置事業
2. 露光装置事業 • 半導体アドバンスドパッケージの業界・技術トレンド • 半導体サブストレート用ステッパ露光装置（UXｰ5シリーズ） • ダイレクトイメージング(DI)露光装置（INPREX Series） • デジタルリソグラフィ(DLT)装置 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 43
Slide 44: アドバンスドパッケージ向け露光装置ラインアップ
アドバンスドパッケージ向け露光装置ラインアップ Advanced Package構造図求められる今後の解像度 Direct Imaging Stepper 解像度技術トレンド (L/S) Bumps 40μm bumps 100μm (L/S) C4 Cu Bumps Chiplet０ LIPINCON LIPINCON Chiplet１前工程数nm チップレット化デジタルリソグラフィ (DLT)装置 PHY PHY Interposer 有機化、大判化 (with Applied Materials) Standard サブμ～2μm パネル化 <1μm Package Tra
Slide 45: マスクレスDIとステッパーそれぞれの強み
マスクレスDIとステッパーそれぞれの強み ●マスクレスDI（DLT装置、DI露光装置）の強み ① 製品レイアウトの自由度 ⇒ステッパーがショットサイズを考慮した面付・割振が必要となるのに対し、 500㎜基板内での製品レイアウトの自由度が高い。 ② 多品種および試作対応が容易（マスクレスによる柔軟性、ランニングコスト低減） ③ 重ね合わせ精度の向上 ⇒有機基板の歪み・下層パターンの位置ズレに対しスケーリングでの合わせ込みが可能 ●ステッパー（UX-5）の強み ① マスク露光による、配線品質の担保 ⇒マスクパターンを転写するプロジェクション露光ならではの配線品質。 ② シンプルな構成で、生産性・
Slide 46: 業界トレンド：ＡＩデータセンター投資
業界トレンド：ＡＩデータセンター投資 Open AI Anthropic Meta AIモデル開発 Google Amazon Microsoft Oracle Tesla Cloud CoreWeave Nebius nScale Lambda ※自社調査を基に作成 ✓ AIモデル開発は計算資源確保が競争力に直結する為、巨額投資が行われている ✓ 上記企業にNVIDIA、AMDなども加わり、チップ購入、演算能力供給/調達、株式投資などで、競合関係にあっても資金面で支えあう構図となっている ✓ 各社大量且つ最新のAIサーバ、AI半導体を必要としている Confidential Copyrig
Slide 47: 業界トレンド：ＡＩサーバー向けLogic半導体
業界トレンド：ＡＩサーバー向けLogic半導体 GPU（学習） ASIC（推論） CPU Switch ＜ｘ86＞＜Ethernet＞ NVIDIA Google Microsoft Amazon Intel AMD Broadcom AMD Meta NVIDIA ＜ARM＞＜設計支援＞ Broadcom Marvell Qualcomm NVIDIA ＜NvLink＞ NVIDIA MediaTek ALCHIP Amazon ARM ※自社調査を基に作成 ✓ 学習(GPU中心）→推論に伴いテック各社が内製ASICを開発 ✓ エージェントAI化で、CPU数量およびプレイヤーが増加 ✓
Slide 48: 技術トレンド：インターポーザ―
技術トレンド：インターポーザ― Interposer ✓ Logicダイの搭載数量増、HBM搭載数量増により、インターポーザの面積（レチクルサイズ）が拡大。 PLP化がすすむ ✓ 微細配線部分をSi Bridgeとして埋め込むタイプが主流となっている（CoWoS‐L、EMIB-T） ✓ TSMC CoWoS生産キャパシティ律束に対し、 IntelのEMIB-TがRDL不足の受け皿の１つとなる Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 48
Slide 49: 技術トレンド：サブストレート
技術トレンド：サブストレート ✓ インターポーザ（レチクル）サイズ拡大及び、CPOの光学エンジン搭載に Substrate より、パッケージサイズが拡大、高多層化する。電力効率を上げるため、コア基板などへの部品内蔵がすすむ ✓ 反り対策や性能向上に向け、ガラスコア基板の採用検討もすすむ～2025 2026、27～ 2030～レチクルサイズ～×3.5 ×５～ ×9.5＜ PKGサイズ・層数～□80mm 片側9層～□100mm 片側10層 □120mm＜片側13層＜ CPO採用ラック間 PKG間、ダイ間コア材料有機有機有機、ガラス 9層 11層 13層 9層構成イメージ
Slide 50: 技術トレンド：プリント基板
技術トレンド：プリント基板 PCB ✓ AIサーバの消費電力増加に伴い、MSAP工法適用による配線の高密度化が求められ（High Density Interconnect)、多層化がすすむ ✓ 生産基板サイズの大型化に伴い、重量が増え、厚みも増加。装置側での対応が必要となる Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 50
Slide 51: サマリー：ＡＩサーバー向けアドバンスドパッケージ・露光装置需要の増加
サマリー：ＡＩサーバー向けアドバンスドパッケージ・露光装置需要の増加 AI半導体・パッケージ需要の増加 ① AIモデル開発企業間の計算資源獲得競争、半導体調達先の多様化 ② Logic半導体プレイヤー、品種、数量の増加 ③ CoWoS需要に加え、EMIB-T等の検討も加速露光装置需要の増加 ① パッケージサイズの拡大による生産基板あたりの取り数減 ② 露光層数増による時間あたり生産数減 ③ 将来を見据えた上位モデル装置の導入 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 51
Slide 52: 2. 露光装置事業
2. 露光装置事業 • 半導体アドバンスドパッケージの業界・技術トレンド • 半導体サブストレート用ステッパ露光装置（UXｰ5シリーズ） • ダイレクトイメージング(DI)露光装置（INPREX Series） • デジタルリソグラフィ(DLT)装置 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 52
Slide 59: AIの進化とサブストレート需要の拡大（UX-5シリーズ）
AIの進化とサブストレート需要の拡大（UX-5シリーズ）汎用データセンターＡＩデータセンター 18～23 26～ AIは学習（GPU）→推論（ASIC 増）→エージェント（CPU増）へ搭載Logic CPU GPU、ASIC、Switch、CPU ロードマップ CPU開発企業・CPU開発企業デザイン・GPU開発企業搭載Logic、およびプレイヤーの・ASIC開発企業（ハイパースケーラー）増加 PKG形態 FC-BGA ・FC-BGA ・インターポーザ＋サブストレート・ガラスコアサブストレート PKGサイズ拡大・層数増による材料・プロセスのトレンド安定生産・パッケージサ
Slide 60: 技術開発のロードマップ（UX-5シリーズ）
技術開発のロードマップ（UX-5シリーズ） Developing Stepper for Ushio Lithography 4shots Stepper for 510*515 Substrate Interposer Tool line up UX-5894 UX-5881SC UX-58112SC/SE UX-59113 Work substrate Organic Organic Organic /Glass Organic /Glass Optical Resolution [umL/S] 5 16 3 1.5 Shot size [mm2] □250 □250 □250 ≧□100
Slide 61: 事業ポテンシャルとリスク（UX-5シリーズ）
事業ポテンシャルとリスク（UX-5シリーズ）＜事業ポテンシャル＞ ⚫ 過去ステッパ装置出荷のピークであった22～23年度実績に対し、27年度以降、大幅に上回る見通し。多品種・大量生産でステッパへのニーズが増加 ⚫ AIの社会実装がすすみ、Physical AI向けにEdge AIサーバ、ガラスコアサブストレート等の技術進化により、さらなる需要拡大へ＜主なリスクとその対策＞ ⚫ □130mm～160mmなど一部のパッケージサイズはステッパのショット数が増え、タクトが延びる ⇒ショット数増時のタクトアップ機能追加し、高い生産性を維持 ⚫ 試作や工程による使い分けのご要望 ⇒グループラインア
Slide 62: 2. 露光装置事業
2. 露光装置事業 • 半導体アドバンスドパッケージの業界・技術トレンド • 半導体サブストレート用ステッパ露光装置（UXｰ5シリーズ） • ダイレクトイメージング(DI)露光装置（INPREX Series） • デジタルリソグラフィ(DLT)装置 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 62
Slide 65: 技術の概要と特長
技術の概要と特長装置構成： LD + DMD + MLA を独自技術で組合せることにより、基板全面に渡って、均一な安定露光が可能。 LD（Laser Diode）露光ヘッドレイアウト：千鳥配列露光ヘッド構成 Digital Micro-mirror Device とは？ H8 H6 H4 H2 米国テキサス・インスツルメンツ (Texas Instruments)社によって開発されたMEMSデバイスで、多数のマイクロミ DMD H7 H5 H3 H1 ラーを平面に配列した表示素子の一種です。機種によっては、HEAD本数が異なります。１辺が14μm程度のマイクロミラーを静電吸引力で
Slide 66: 技術の概要と特長
技術の概要と特長ワンタイムスキャン方式：露光ヘッドを基板幅でライン配置することにより、ワンタイムスキャンを実現。大判サイズでも、つなぎ目なしの大面積一括露光が可能。 1. 基板セット 2. アライメント計測 AFセンサー基板 CCDカメラ露光ヘッド 3. 高速データ処理 4. ダイレクト露光 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 66
Slide 67: 技術の応用・製品・サービス
技術の応用・製品・サービス 2026年に世界半導体市場が1兆ドルに達する見通しであり、AIサーバーの旺盛な需要とメモリー不足による価格上昇が含まれる。米ビックテックによるAIサーバー投資が年間75兆円規模に到達。 12000 1兆ドルの大台を突破へ 10000 Amazon 8000 Microsoft 市場規模 6000 Google （億ド Meta ル） 4000 2000 0 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 PC・サーバーその他＊自社調査を基にグラフ作成＊出展：Bloombergの調査レポ
Slide 68: 技術の応用・製品・サービス
技術の応用・製品・サービス弊社は、AIサーバーの市場要求を素早くキャッチし、どこよりも早く、大判サイズ／厚重対応を可能とした製品化に成功。この分野でのデファクトスタンダードを確立。サーバー用高多層基板 1,400,000 AIサーバー用基板が大判化・重量化している主な理由は、生成AIの 1,200,000 大規模なデータ処理を支えるために「搭載される半導体（GPUな 1,000,000 ど）の数とサイズの大幅な増加」「それらを安定稼働させるための 800,000 膨大な電源回路や冷却機構の追 [100万円] 加」が求められる。 600,000 また、膨大なデータを遅延なく高速伝送
Slide 69: 技術開発のロードマップ
技術開発のロードマップ画像処理におけるAIの活用 DI露光装置システムに AI+FPGAによる新たなAlignment Systemを組み込み、高精度且つ高速なアライメントマーク認識の実現を目指す。明度バランス変形補正ノイズ耐性マーク見逃し防止 ➢ 画像処理 ✓明度バランス ✓アライメントマーク変形補正見逃し OK ✓ノイズ耐性エラー OK ✓アライメントマーク見逃し防止明るい暗い OK ➢ AIによるアライメントマーク補正ブロブ検出 - 重み付きトレース(FPGA IP) ✓ AIベース (MobileNet)の特徴抽出 ➢ FPGAで画像処理の高速化パターンマッ
Slide 70: 事業ポテンシャル
事業ポテンシャル世界の基板生産メーカーの内、2024年の生産高が US＄ 100 millionを超えるメーカーは、全部で159社。その合計生産高は、US＄85,116 million。・弊社DI導入実績：上位159社中、56社。・導入実績なし： 103社（→ ターゲット潜在顧客） ※出展：N.T. Information Ltd また、世界には、この上位159社含め、大小様々な基板生産メーカーが、1,000社以上あるとも言われている中、弊社は約600工場もの顧客へセールス活動を実施。これまでに、98社（230工場）へ 1,000台以上の DIを導入。これら顧客ならび、まだ
Slide 71: 2. 露光装置事業
2. 露光装置事業 • 半導体アドバンスドパッケージの業界・技術トレンド • 半導体サブストレート用ステッパ露光装置（UXｰ5シリーズ） • ダイレクトイメージング(DI)露光装置（INPREX Series） • デジタルリソグラフィ(DLT)装置 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 71
Slide 72: アドバンスドパッケージ向けデジタルリソグラフィ(DLT)装置
アドバンスドパッケージ向けデジタルリソグラフィ(DLT)装置露光装置のデモ機設備が御座いますまずは弊社（御殿場事業所）でのデモ機実験をお試し下さいウシオはグループとして、半導体アドバンスドパッケージ領域の露光事業に注力します AMATとの戦略的パートナーシップにより、DLT（Digital Lithography Technology）装置をラインアップに加えましたウシオはステッパ、DI、DLT装置全てを国内生産し、ラインアップする唯一のメーカですウシオ、アドテック、AMATの３社が販売・サービス・開発・製造において一体となり、今後、各装置の特徴を踏まえた提案をご準備・ご紹介し
Slide 73: アドバンスドパッケージにおけるトレンド(1)高密度化
アドバンスドパッケージにおけるトレンド(1)高密度化高密度化対応手法トレンド Monolithic Deviceの微細化 Heterogeneous Integration Device間通信の大容量化（Logic-Logic /Logic-Memory) デバイス小型化 Chiplet化 ①配線微細化 ②Via/ランド小径化サブストレート部分的に高密度化飛躍的な基板高密度化高解像性能高重ね合せ性能 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 73
Slide 74: アドバンスドパッケージにおけるトレンド(2)大型化、パネル化
アドバンスドパッケージにおけるトレンド(2)大型化、パネル化 panel wafer パッケージの大型化パッケージのパネル化 ➢ 一つのパッケージに多くの機能を持たせる ➢ パッケージ取個数の改善（特に大型化時） ➢ パッケージサイズの多様化 ➢ Fullパネル化により需要に対応 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 74
Slide 75: DLT装置
DLT装置仕様項目仕様値・微細配線形成解像力 L/S 1μm, 2μm 4μmから選択 <1μmL/S量産を想定したDirect Image System Overlay ±0.35μm, ±0.5μm ・重ね合せ精度 Material 300mm wf, 515*510mm pnl, etc. 基板側の変化に対応するデジタル補正機能 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 75
Slide 76: DLT装置による微細配線形成
DLT装置による微細配線形成 ✓ パッケージ大型化と高解像性能の維持 ✓ Fullパネル化と高解像度化(狭DOF)の維持 ⚫ 解像性能＝ k1 × (波長/NA) ⚫ 焦点深度 = k2 × (波長/ NA²) ➢ EYE（露光HEAD）毎のAuto FocusとScan露光で基板のうねりに対応 ※ウシオ調べに基づき作成基板うねりイメージ図 Substrate ➢ マスクレス露光で露光面積・パッケージ Just Focus サイズに縛られずに高解像性能を達成 DOF パッケージサイズイメージ図 EYE + AF sensor EYE + AF sensor EYE内蔵 AFシステムレン
Slide 77: DLT装置による高重ね合わせ露光
DLT装置による高重ね合わせ露光 ✓ 不均一なアライメントターゲットのずれ ➢ より高精度な重ね合わせにデジタルアライメントで対応（イメージ図）基板上のアライメントマークと実製品配置模式図実製品アライメントマーク位置露光結果一例イメージ図 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 77
Slide 78: DLT装置まとめ
DLT装置まとめ • パッケージ基板は高密度化に伴う微細加工（高解像度・高精度重ね合わせ）を訴求 • ロジック‐メモリー間、ロジック間の信号を直接つなげるために微細化ニーズが一気に進展 • Digital Lithography Technologyは、以下課題に対応しパッケージ技術の発展に貢献 • 基板のうねりと高解像度の両立 • パッケージサイズの大型化と解像度の両立 • 様々なアライメント高精度要求に対する阻害要因にデジタル露光で対応 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 78
Slide 80: 製品概要
製品概要製品群広い波長・出力ラインアップのデバイス製品群 LD・LEDに機能を付加したモジュール製品群 ➢ 数多くの分野でWW顧客にソリューションを提供波長安定化・狭帯域化高輝度白色光発生 ➢ 今後大きな成長が見込まれる半導体関連、なフォトニクス技術ファイバー出力化かでも検査・計測アプリケーションに注目 (光学＋メカ・熱＋電気・制御) 出力安定化波長合成ビーム成型 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 80
Slide 81: 製品・技術の特長
製品・技術の特長温調器内蔵LDパッケージ高輝度白色光発生技術精密温調による安定動作を実現 LDと独自の蛍光体により LEDの5倍の輝度の白色光を発生 TEC内蔵LDパッケージ独自技術微小回折格子を内蔵。通常のLD比 μLensTM 搭載LD 100倍以上の波長安定度 VBG波長安定化LD 微小光学素子μLensTM 搭載ファイバー結合効率を最大30%アップ独自の光源技術をご要求に合わせてカスタマイズし最適な光をデリバリ。お客様の様々なアプリケーションにおけるパフォーマンス向上に貢献しますカスタム化光出力波長空間分布照度・安定度・ファイバー結合効率など波長精度・安定性
Slide 82: 製品・技術の用途（半導体関連計測）①
製品・技術の用途（半導体関連計測）① プロセス中の超微粒子の計測フロー半導体の微細化により、装置内や液中(純水・薬液)の粒子 (配管等) 温調器内蔵LDパッケージ超微粒子のモニタリングが重要になっています。微精密温調による安定動作を実現粒子はレーザー光の散乱で計測しますが、小さな粒検出器子ほど散乱は微弱になります。強く(光束密度が高散乱光く)、理想的なビーム形状に成形され、安定したウシオのレーザーが正確な計測に寄与しています。 TEC内蔵LDパッケージ微小回折格子を内蔵。通常のLD比 100倍以上の波長安定度薬液等の管理・分析 CMPスラリーの分散性や洗浄・リンス後の
Slide 83: 製品・技術の用途（半導体関連計測）②
製品・技術の用途（半導体関連計測）② 高精細・高スループット化する光学検査 LDと独自の蛍光体により光学検査（画像検査）は半導体を含めあらゆる産業で利 LEDの5倍の輝度の白色光を発生用されています。高精細かつ高いスループットでの検査のためにより強く安定した光が必要です。LEDの5倍の輝度を持つ高輝度白色光源により実現する強力なファイバ光源や高照度照明が光学検査を進化させています。光学検査装置等へ搭載大光量ファイバー光源高照度照明高輝度白色光発生技術クリーンルーム・装置内等のコンタミ管理半導体製造工程に限らず微小な汚れ(コンタミ)の管理・抑制が重要課題となっています。
Slide 84: 半導体製造に関わる計測用途からの要請と対応
半導体製造に関わる計測用途からの要請と対応＊本画像はAIにより生成されたイメージです成膜リソエッチング洗浄 CMP/研磨配線ダイシング実装モールド最終検査工程主な検査対象膜厚・屈折率アライメント・OL 欠陥・寸法残渣表面・段差欠陥・寸法切断面・欠け実装位置バリ・クラック外観主な光学的手法ｴﾘﾌﾟｿﾒﾄﾘ・反射率回折・散乱像回折・散乱像回折・散乱像ｴﾘﾌﾟｿﾒﾄﾘ・散乱光学検査光学検査光学検査光学検査光学検査微粒子・コンタミ管理装置内・薬液クリーンルーム内光源への要請トレンド要請に応える製品群計測への要請トレンドより高
Slide 85: 事業ポテンシャル
事業ポテンシャル ➢ 半導体計測・検査関連での大きな成長を計画しています ➢ 計測・検査の高度化に対し、機能（価値）の付与とカスタマイズで応えることで事業機会のさらなる拡大を図ります参考：成長分野の売上高推移見込み半導体計測・検査関連（成長ドライバー） ⚫ 光学検査（画像検査） ⚫ 粒子計測 ⚫ コンタミ管理 ⚫ 干渉計測・その他＋その他（バイオメディカル機器等） FY2024 FY2025 FY2026 FY2030 実績実績見通し目標 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 85
Slide 87: イントロダクション（光電融合）
イントロダクション生成AIの需要増加により、LLM（Large Language Model）学習のために演算量は増加の一途をたどっています。そのためのAIデータセンターの建設も相次いでおり、中でもサーバー間の通信を担う光トランシーバーの供給不足が起きています。 DFBレーザ（分布帰還型レーザ）と電界吸収型変調器（EA変調器）からなる EMLチップが送信側デバイスに用いられている。 EMLチップの構造回折格子 EMLレーザーデバイスの生産工程にてUX-4が用いられ、 DFBレーザー部分の回折格子形成に干渉露光が適用で ※本画像はAIにより生成されたイメージですきる可能性がある。
Slide 88: 技術・製品の概要と独自性
技術・製品の概要と独自性 ●UX-4シリーズ・高生産性・様々なウェハへの対応 TAIKO®ウェハ*：60μmt ・深い焦点深度様々な用途のウェハに対応可能 *『TAIKO』は株式会社ディスコの日本及びその他の国における登録商標です。「登録商標第5297658号」「登録商標第6874049号」段差構造でも安定したパターン形成 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 88
Slide 89: 技術・製品の概要と独自性（干渉露光装置）
技術・製品の概要と独自性 ●干渉露光装置（開発中）・装置外観図・原理・DFBレーザー回折格子露光プロセスでの比較 EB(電子ビーム) 項目干渉露光 ※現在の方式現在逼迫している課題タクト〇 4w/h × 0.１w/h 解像度〇 >150nm 〇 >150nm 将来的に波長精度のピッチ精度〇 0.01nm △ ＜1nm程度要求が高まった際の課題高いピッチ精度と高タクトを両立 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 89
Slide 90: 市場環境とターゲット顧客（層）
市場環境とターゲット顧客（層）順位１２３＝並列拡大＝性能向上４ AI需要５６７８出所：Lightcountingによる光トランシーバーとCo-Packaged Optics（100Gbps以上）の売上高予測(Jan.2026)を基にウシオ作成出所：2025年自社調査を基に作成光トランシーバーとCo-Packaged Optics（100Gbps以上）の売上高予測（Jan.2026）中でも上位２社のCoherent、Lumentumには生成AIブームで需要が増大 NVIDIAから$2Bの投資がされている Confidential Copyright© Ushio
Slide 91: ロードマップとマイルストーン
ロードマップとマイルストーン ●UX-4シリーズ（参考）プレスリリース開発完了、ウェハ向け一括投影露光装置UX-4シリーズの新製品製品販売中「UX-45114SC」を受注開始 ●干渉露光装置（開発中）（参考）プレスリリース 2027年販売に向け光電融合に対応ウシオがピッチ補償光学系と位相シフト製品化検討中形成機能を備えた新たな干渉露光装置を開発 Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights reserved. 91
Slide 92: リスクと事業ポテンシャル
リスクと事業ポテンシャル【事業ポテンシャル】生成AI需要に後押しされ右肩上がりの成長が期待されます。 ●UX-4 【UX-4 売上高推移】現状の４～５倍の売上高規模を目指す EMLレーザー向けに加え、受光側のフォトダイオードやAI データセンター及び関連設備で水晶振動子やパワー半導体向けの増加も見込まれます。 FY2025以前 FY2030 目標 ●干渉露光干渉露光については、現在、開発中及びレーザーメーカーにてデバイス評価中ですが、今後、ARデバイス向けの導波路への用途展開が期待されます。ただし、既に需要が急速に高まるなか、評価において如何に優位性が認識され、適切なタイミング
Slide 94: イントロダクション（半導体検査）
イントロダクション半導体市場の方向と検査の必要性先端ロジックデバイスロードマップ 3D NAND ※本画像はAIにより生成されたイメージです AIアクセラレータ向けのHBMとロジッ３次元フラッシュメモリクの2.5D/3D実装（CoWoSなど）、チップレット構造の普及により、TSV ※ウシオ調べに基づきAIで生成したイメージです 200層超の高アスペクト比構造で（スルーシリコンビア）やμバンプな非破壊・深部メトロロジーが必須に。ど微細接合部の品質がシステム性能と EUVとマルチパターニングの組み合わせにより、歩留まりを左右。パターンのエッジラフネスや形状ばらつきが顕在化。
Slide 95: 技術・製品の概要と独自性及び開発状況
技術・製品の概要と独自性及び開発状況開発中開発中高輝度X線/EUV光源タイムストレッチ分光技術 (Laser Produced Plasma) 外観イメージ「写真提供：TNO」・高強度レーザを液体金属に照射・高速測定(1測定あたりマイクロ秒～ミリ秒) 特長・波長20nm以下のEUV及びX線を放射・非破壊・非接触・金属プラズマから発生するデブリを抑制・スキャタロメトリ（3D構造解析、オーバーレイ解析）用途・マスクおよびウェハ検査・異物・欠陥からの散乱を検出 ※Semi journalを基にAIによりウシオ作成開発状況・検査装置メーカーと協議中・半導体検査市場
Slide 96: 事業ポテンシャル（市場環境とターゲット顧客）
事業ポテンシャル（市場環境とターゲット顧客（層）） KLA Corporation 単位：10億ドル Lasertec CAGR6.8% Applied Materials Hitachi High-Technologies ASML Onto Innovation SCREEN Semiconductor Solutions ZEISS Nova Camtek Skyverse Toray Engineering ※出典：Business Research INSIGHTSの2033年までの半導体検査機市場予測データを基にウシオ作成 Muetec Microtronic Merck 半導体検
Slide 98: イントロダクション（PFAS光分解）
イントロダクション PFASが含まれた水は規制対象となりつつあるが、その無害化技術はまだ世の中に確立していない。ウシオがもつ光技術を利用し無害化技術を提供する。無機化 PFAS UPDR 蛍砂化 HF水溶液無害化 ※本画像はAIにより生成されたイメージです Ca(OH)2添加によりフッ化カルシウムに変換 UshioPfasDecompositionReactor PFOA、PFOS、PFHxSに続き、フッ素化合物全ても規制視野に。移行期間5年規制案公表パブリックコメント協議、意見募集及び法案審議及び移行期間 (18ヶ月)後（～2031年）高い分解力をもつVUV光に
Slide 99: 技術・製品の概要と独自性
技術・製品の概要と独自性エキシマランプの技術を応用特長エキシマランプ光+水和電子+OHラジカルによる直接分解（光を用いた分解では唯一無二の技術）ウシオ電機が世界で最初に製品化したランプ。常温常圧、燃料・添加剤不要、短分子も分解可能。液晶基板の洗浄工程や半導体製造工程に応用展開され、現有する活性炭などの処理技術に対し、オンサイすでに商用化実績のあるランプトで無害化が可能無機化蛍砂化（安定した無害化）世界シェア廃水改質 90％中心波長：172nm シェアは自社調べ（2026年3月31日時点） Confidential Copyright© Ushio Inc.
Slide 100: 市場環境とターゲット顧客
市場環境とターゲット顧客（層）背景 PFASは産業界の基幹材料であるが規制が掛かってきた。 PFAS分解技術はまだ完全に確立しておらず、世間の注目もあり対策が急務な市場。 PFAS対策に課題感を持つ市場例上水市場産業排水市場 ※市場調査レポートを基にウシオ作成主な情報出典例（参考） •市場調査レポート • Grand View Research, "PFAS Water Treatment Market Size, Share & Trends Analysis Report" • MarketsandMarkets, "PFAS Remediation Market - Glo
Slide 101: 開発・事業化スケジュールと今後の展開計画
開発・事業化スケジュールと今後の展開計画開発・事業化のスケジュール 2025年度：実証試験実施 2026年度：標準リアクターの開発完了 2027年度：初号機の出荷 2028年度：量産化 ✓ １ｓｔターゲットは既に濃いPFASを排出しており、処理水量が少ない工業排水 ※濃縮不要今後の展開計画 ✓ ２ｎｄターゲットは薄いPFASを排出している処多い理水量が多い工業排水、その後に浸出水など ※濃縮必要処理水量 1st 少ない薄い PFAS濃度濃い Confidential ※本画像はAIにより生成されたイメージです Copyright© Ushio Inc., All
Slide 102: 事業ポテンシャルとリスク
事業ポテンシャルとリスク事業ポテンシャル ※現状の活性炭による処理を含む・PFAS処理市場規模は各国での規制強化などにより2030年に向け拡大・現状の活性炭による吸着処理に対して、当社の光分解・無害化技術が必要とされるかがキーとなる・まずは日本市場より参入を計画・その後、世界市場を視野に展開 ※市場調査レポートを基にウシオ作成事業リスク・今後のPFAS規制状況により、ニーズや市場規模は上下すると予想されること・処理にかけられるコストの制約や競合技術の登場もリスクとなり得ること Confidential Copyright© Ushio Inc., All Rights r
Slide 104: 事業ポートフォリオの変革
事業ポートフォリオの変革 …現在 …2030年の目指す姿注力事業として投資拡大し成長案件の絞り込みと投資で育成不採算事業のてこ入れによる安定収益化 IP事業 LS事業 VI事業 PHS事業 IP 開発や成長投資及びリソースを集中する将来のコア事業創出に向けた投資を行う。 LS ただし、事業成長の道筋がより見込める案件に絞り込んで投資を行う LS 将来的に注力事業へことで新たな製品を生み出し成長拡大事業 IP 事業育成事業投資注力事業投資投資効果の見極めと投資し継続的な成長売上売上成長性次世代ビジネスの創出売上を実現する事業へ課題事業 PHS 事業投資安
Slide 105: IP事業の拡大（今後の成長イメージ）
IP事業の拡大（今後の成長イメージ） 2030年目指す姿各製品の強みを活かし、着実な成長を成し遂げる売上高：1,400～1,500億円以上 2030年以降の持続的な営業利益率:18～20％成長拡大（イメージ） IP事業の売上高イメージ* 成長拡大フェーズ継続的な開発投資を通じ、技術トレンド先行投資優先/IP事業への集中投資変化と顧客ニーズを確実に取り込む＝＞売上・利益の最大化現在＋売上高：821億円売上高：771億円露光装置営業利益率:13.2％営業利益率:8.4％ CAGR15％以上低単価ながら、採用範囲を拡大することで少額投資による安定成長を目指す＝＞
Slide 106: IP事業の拡大（2030年以降の新規事業創出への取り組み）
IP事業の拡大（2030年以降の新規事業創出への取り組み）マーケットイン及びウシオのコアコンピタンスを生かした新規事業アイデア創出の活動を強化 2030年以降の持続的な成長を見据えた全社ロードマップを作成中【全社ロードマップのイメージ】世の中の主な課題 ①ムーアの法則の減速（モア・ムーア、モア・ザン・ムーアへ）参入すべき製品・ソリューション ②持続可能性市場参～FY45 ・省電力化(消費電力の増大予測は持続不可能な領域）入すべ～FY35 ・環境対策（PFAS、Hg等）きアイ～FY30 テウシオのコア技術ム＋～FY28 新たに獲得すべき技術・リソース（M

Ushio — Investor Presentation (June 2026) on 6ix

Ushio — Investor Presentation (June 2026)

Slide 1: Industrial Process事業説明会

Slide 2: 留意事項

Slide 3: 目次

Slide 4: 1. 光源事業

Slide 5: 光加熱とは何か

Slide 6: 競合技術に対する光加熱製品の優位性

Slide 7: 光加熱製品の主要ラインアップ

Slide 8: 光加熱製品の主な用途

Slide 9: 半導体分野とウシオの光加熱製品の関わり

Slide 10: 半導体製造工程で活躍するウシオの光加熱製品

Slide 11: ウシオの光加熱製品の強み

Slide 12: 半導体製造工程向けハロゲンランプヒータの主要ラインアップ

Slide 13: ハロゲンランプヒータ製品の豊富なバリエーション

Slide 14: ハロゲンランプヒータ製品の特長（対競合赤外線ヒータ）

Slide 15: ハロゲンランプヒータ製品の特長（高い光変換効率）

Slide 16: ハロゲンランプヒータ製品の使用例①

Slide 17: ハロゲンランプヒータ製品の使用例②

Slide 18: ハロゲンランプヒータ製品の使用例③

Slide 19: フラッシュランプアニール用照射ユニットの用途

Slide 20: 競合技術に対するフラッシュランプアニール用照射ユニット搭載装置の優位性

Slide 21: 競合技術に対するフラッシュランプアニール用照射ユニット搭載装置の優位性

Slide 22: 競合技術に対するフラッシュランプアニール用照射ユニット搭載装置の優位性

Slide 23: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル

Slide 24: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル

Slide 25: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル

Slide 26: 光加熱製品の今後の期待ポテンシャル

Slide 27: 1. 光源事業

Slide 28: 事業概要

Slide 29: 事業概要（機能/効果）

Slide 30: 事業概要（反応メカニズム）

Slide 31: 事業概要（エキシマランプの強み/競争優位性）

Slide 32: 半導体市場での取り組み（More Moore)

Slide 33: 半導体市場での取り組み（More than Moore）

Slide 34: 事業ポテンシャル

Slide 35: 1. 光源事業

Slide 36: 超高圧UVランプについて

Slide 37: 世界シェアについて

Slide 38: ウシオの強み

Slide 39: ウシオの強み 露光装置に合わせた製品展開

Slide 40: ウシオの強み ものづくり力

Slide 41: ウシオの強み 独自技術

Slide 42: 今後の目指す方向性

Slide 43: 2. 露光装置事業

Slide 44: アドバンスドパッケージ向け露光装置ラインアップ

Slide 45: マスクレスDIとステッパー それぞれの強み

Slide 46: 業界トレンド：ＡＩデータセンター投資

Slide 47: 業界トレンド：ＡＩサーバー向けLogic半導体

Slide 48: 技術トレンド：インターポーザ―

Slide 49: 技術トレンド：サブストレート

Slide 50: 技術トレンド：プリント基板

Slide 51: サマリー：ＡＩサーバー向けアドバンスドパッケージ・露光装置需要の増加

Slide 52: 2. 露光装置事業

Slide 53: 製品紹介（UX-5シリーズ）

Slide 54: 製品紹介（UX-5シリーズ）FC-BGAの構造

Slide 55: 製品紹介（UX-5シリーズ）

Slide 56: 特長（UX-5シリーズ）高い生産性

Slide 57: 特長（UX-5シリーズ）高歩留まり

Slide 58: 特長（UX-5シリーズ）高歩留まり（変倍機能）

Slide 59: AIの進化とサブストレート需要の拡大（UX-5シリーズ）

Slide 60: 技術開発のロードマップ（UX-5シリーズ）

Slide 61: 事業ポテンシャルとリスク（UX-5シリーズ）

Slide 62: 2. 露光装置事業

Slide 63: 株式会社アドテックエンジニアリング

Slide 64: 製品概要説明

Slide 65: 技術の概要と特長

Slide 66: 技術の概要と特長

Slide 67: 技術の応用・製品・サービス

Slide 68: 技術の応用・製品・サービス

Slide 69: 技術開発のロードマップ

Slide 70: 事業ポテンシャル

Slide 71: 2. 露光装置事業

Slide 72: アドバンスドパッケージ向けデジタルリソグラフィ(DLT)装置

Slide 73: アドバンスドパッケージにおけるトレンド(1)高密度化

Slide 74: アドバンスドパッケージにおけるトレンド(2)大型化、パネル化

Slide 75: DLT装置

Slide 76: DLT装置による微細配線形成

Slide 77: DLT装置による高重ね合わせ露光

Slide 78: DLT装置 まとめ

Slide 79: 3. Photonics Solution(PHS)事業

Slide 39: ウシオの強み露光装置に合わせた製品展開

Slide 40: ウシオの強みものづくり力

Slide 41: ウシオの強み独自技術

Slide 45: マスクレスDIとステッパーそれぞれの強み

Slide 78: DLT装置まとめ

Slide 107: IR室お問い合わせ先