Tokyo Electron Ltd. · TSE:8035

Tokyo Electron — Q1 FY2014 Earnings Presentation

36 slides from Tokyo Electron's earnings presentation, Jul 30, 2013

  1. Slide 1: 2014年3月期 第1四半期 決算説明会

    2014年3月期 第1四半期（2013年4月～6月） 東京エレクトロン 決算説明会 内容：  第1四半期連結決算の概要 取締役執行役員 原田 芳輝  2014年3月期業績予想修正と中期経営計画 代表取締役会長兼社長、CEO 東 哲郎 2013年7月30日 CORP IR/July 30, 2013

  2. Slide 2: 第1四半期連結決算の概要

    第1四半期連結決算の概要 取締役執行役員 原田 芳輝 2013年7月30日 CORP IR/July 30, 2013

  3. Slide 3: 業績サマリー

    業績サマリー （億円） 2013年3月期 2014年3月期 対前年 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 1Q増減 売上高 1,341 1,324 919 1,387 1,034 -22.9% 売上総利益 441 415 282 448 299 -32.2% 下段：売上総利益率 32.9% 31.4% 30.7% 32.3% 28.9% 販管費 348 386 351 376 395 +13.6% 営業利益 92 29 -68 72 -96 ― 下段：営業利益率 6.9% 2.2% -7.5% 5.2% -9.3% 税前利益 112 43 -61 84 -98 ― 当期純利益 57 3 -70 70

  4. Slide 4: 部門別売上高

    部門別売上高 （億円） 2013年3月期 2014年3月期 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 売上高 構成比 売上高 構成比 売上高 構成比 売上高 構成比 売上高 構成比 SPE 1,087 81% 1,059 80% 680 74% 1,093 79% 749 72% FPD 47 4% 44 3% 46 5% 62 4% 49 5% PVE 0 0% 0 0% 0 0% 0 0% 20 2% EC/CN 206 15% 218 17% 191 21% 230 17% 214 21% その他 1 0% 1 0% 0 0% 1 0% 1 0% 合計 1,341 100% 1,324 100% 9

  5. Slide 5: セグメント情報

    セグメント情報 SPE FPD PVE EC/CN （半導体製造装置） （FPD製造装置） (太陽光パネル製造装置） （電子部品/コンピュータ・ネットワーク） （億円） （億円） （億円） （億円） 1,500 200 200 400 売上高 売上高 売上高 売上高 セグメント利益 セグメント利益 売上高 セグメント利益 セグメント利益率 セグメント利益 セグメント利益 150 150 300 1,087 1,059 1,093 233 1,000 220 214 208 100 100 200 192 749 680 62 47 49 50 44 46 50 100 500 20 0 0 0

  6. Slide 6: SPE部門地域別売上高

    SPE部門地域別売上高 日本 米国 欧州 韓国 （億円） （億円） （億円） （億円） 600 600 600 600 324 291 288 300 300 266 300 300 242 137 151 144 116 129 130 111 100 101 104 63 76 76 56 57 0 0 0 0 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q FY13 FY14 FY13 FY14 FY13 FY14 FY13 FY14 台湾 中国 東南アジア・他 地域別構成比 （億円） （億円） （億円） 600 6

  7. Slide 7: 受注額・受注残高

    受注額・受注残高 （億円） 2,000 1,500 977 1,000 500 144 11 0 FY11 FY12 FY13 FY14 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q SPE受注額 1,332 1,502 1,286 1,558 1,126 735 1,449 1,064 760 669 913 1,082 977 FPD受注額 27 80 36 73 144 114 224 152 263 89 17 50 28 PVE受注額 0 0 0 0 11 SPE受注残高 2,023 2,155 2,288 2,289 2,207 1,667 2,20

  8. Slide 8: 地域別受注額: SPE+FPD+PVE

    地域別受注額： SPE+FPD+PVE （億円） 2,500 2,000 1,821 1,727 1,446 1,438 1,500 1,500 1,216 1,156 1,133 1,093 949 1,000 752 788 750 500 0 １ FY11 FY12 FY13 FY14 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 国内 256 173 222 439 250 163 149 117 100 163 115 187 183 米国 186 466 245 254 311 248 297 368 240 184 317 249 264 欧州 6

  9. Slide 9: 貸借対照表

    貸借対照表 資産 負債・純資産 （億円） （億円） 7,670 7,450 7,535 7,755 7,786 7,670 7,755 7,786 37 7,450 7,535 45 30 29 72 有利子負債 1,661 1,463 1,583 1,666 1,707 その他負債 2,401 2,295 現金同等物 2,526 2,341 2,862 1,005 958 売上債権 804 1,235 949 1,472 1,356 1,514 たな卸資産 1,441 5,963 5,956 5,923 6,051 6,006 純資産 1,329 417 その他流動資産 467 451 49

  10. Slide 10: たな卸資産・売上債権の回転日数

    たな卸資産・売上債権の回転日数 （億円） （日） 3,000 150 売上高 たな卸資産回転日数 売上債権回転日数 2,500 118 125 112 104 104 99 100 100 2,000 92 92 100 86 86 86 85 96 87 1,500 82 75 76 74 75 71 72 73 74 67 1,000 60 50 55 500 25 0 0 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q FY11 FY12 FY13 FY14 回転日数 ＝ 売上債権もしくはたな卸資産÷各四半期末までの12ヶ月間売上高×365 9 Corp I

  11. Slide 11: キャッシュ・フロー

    キャッシュ・フロー 2013年3月期 2014年3月期 （億円） 1Q 1Q 営業キャッシュ・フロー 358 △13 税引前利益 112 △98 減価償却費 55 63 売上債権の減少（△増加） 260 51 たな卸資産の減少（△増加） 51 △157 仕入債務の増加（△減少） △ 114 7 法人税等の支払額または還付額 △ 52 △17 その他 45 138 投資キャッシュ・フロー △ 460 132 設備投資 △ 73 △32 企業買収に伴う株式取得等による支出 △ 158 - 満期3ヵ月超の預金等の増減額 △210 176 その他 △19 △12 財務キャッシュ・フロー △ 48 △1

  12. Slide 12: PEOPLE. TECHNOLOGY. COMMITMENT.

    PEOPLE. TECHNOLOGY. COMMITMENT. OKYO ELECTRON

  13. Slide 13: 2014年3月期 業績予想修正と中期経営計画

    2014年3月期 業績予想修正と中期経営計画 代表取締役会長兼社長、CEO 東 哲郎 2013年7月30日 CORP IR/July 30, 2013

  14. Slide 14: CORP IR/July 30, 2013

    ~ m= Tokyo ELECTRON conrean.200 SO) yoars

  15. Slide 15: 事業環境 2013年7月時点での見方

    事業環境 2013年7月時点での見方  半導体設備投資 CY2013の半導体前工程（WFE）の設備投資は、前年比ほぼ同水準の$30Bを見込む  ロジック／ファウンドリ: 先端ロジック向け能力増強投資は継続が見込まれる  メモリ: スマートフォン、タブレットに牽引され需要が拡大する NAND: 需給が引き締まり、投資増加を見込む DRAM: モバイルDRAM向け投資が回復する  FPD設備投資 CY2013の液晶パネル用製造装置の需要は、前年比50%前後の増加を見込む。 大型パネル向け投資は中国での新規投資再開による改善が見られ、中小型パ ネル向け投資は継続が見込まれる。有機ELテレビ市

  16. Slide 16: 四半期 受注額

    四半期 受注額 2013/4-6月期 （億円） 3,000 SPE 977億円 (-10%) 半導体製造装置（SPE） FPD製造装置 PV製造装置 FPD 144億円 (+97%) PVE 11億円 2,500 合計 1,133億円 (-2%) （ ）内%は 2013/1-3月期からの増減 2,000 増減率は1円単位の数字を元に計算 1,500 1,000 500 0 00/7-9 10-12 01/1-3 4-6 7-9 10-12 02/1-3 4-6 7-9 10-12 03/1-3 4-6 7-9 10-12 04/1-3 4-6 7-9 10-12 05/1-3 4-6 7-9

  17. Slide 17: 四半期 アプリケーション別SPE受注

    四半期 アプリケーション別SPE受注 100% 15 17 19 16 22 22 28 25 17 18 24 23 26 34 37 6 33 31 27 37 80% 7 4 8 41 44 39 44 15 46 52 47 45 46 45 11 4 58 58 12 16 21 27 15 23 60% 8 6 33 49 35 26 36 0 22 28 15 3 22 25 44 37 21 18 19 26 42 9 24 40% 35 12 12 9 26 30 32 44 10 19 16 18 32 44 55 55 11 15 15 52 8 51 24 20% 39

  18. Slide 18: 2014年3月期 業績予想修正

    2014年3月期 業績予想修正 CORP IR/July 30, 2013

  19. Slide 19: 2014年3月期 業績予想修正

    2014年3月期 業績予想修正 （億円） FY2014 上期 下期 通期 通期 FY2013 対前年 新予想 修正額* 新予想 修正額* 新予想 修正額* 増減 売上高 4,972 2,520 - 3,100 -80 5,620 -80 +13% SPE 3,920 1,960 +60 2,400 - 4,360 +60 +11% FPD 200 100 - 160 - 260 - +30% PVE 0 40 -60 70 -80 110 -140 - EC/CN 846 420 - 470 - 890 - +5% その他 4 - - - - - - - 営業利益 125 -65 +15 24

  20. Slide 20: CORP IR/July 30, 2013

    Ch Ae Sat m= Tokyo ELECTRON conrean.200 SO) yoars

  21. Slide 21: モバイル機器が牽引するSPE市場

    モバイル機器が牽引するSPE市場 （M Units） （M Units） 1,800 450 1,600 400 1,400 4G 350 1,200 Phone 300 1,000 250 Tablet 800 3G 200 600 Phone 150 400 100 200 50 0 0 1997 1999 2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013 2015 2017 1997 1999 2001 2003 2005 2007 2009 2011 2013 2015 2017 Source: iSuppli, Mar 2013 モバイル機器需要は激増、高機能な機

  22. Slide 22: 増大するデータ通信量

    増大するデータ通信量 モバイル用途のデータ量は大幅な増加が期待される – 2012年比で2017年には12.6倍、CAGR66%の爆発的成長 66% CAGR 11.1EB 0.9EB Source: Cisco, Feb 2013 超高速データ処理技術、低消費電力技術のニーズは継続 21 Corp IR/July 30, 2013

  23. Slide 23: 半導体前工程（WFE）市場

    半導体前工程（WFE） 市場 Gartner 実績/予測 (B$) TEL予測 50 WFE市場規模 2013年:30B$ ⇒ 2016年:40B$ 40 30 20 10 0 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 Source: Gartner ロジック投資の継続、NAND新工場の投資により ＷＦＥ市場は継続的に拡大が見込まれる 22 Corp IR/July 30, 2013

  24. Slide 24: WFE市場拡大の背景

    WFE市場拡大の背景  ロジック 今後も半導体設備投資の過半を占める FinFETなど高性能な半導体デバイスへの要求が高まる 微細化は7～5nmまで継続  NAND モバイル機器向け及び、ストレージ市場（SSD）を軸に拡大 2Dから3D-NANDのシフトにより、新棟投資による継続的な市場成長が見込まれる  DRAM PC需要は伸び悩んでいるが、モバイル機器台数の急増と機器一台あたりの 搭載量の増加により、モバイルDRAM向け設備投資の継続が見込まれる 23 Corp IR/July 30, 2013

  25. Slide 25: 最新技術トレンドへの当社の対応

    最新技術トレンドへの当社の対応 Lithography/Patterning New structures EUV Multiple patterning DSA FinFET 3D NAND • コータ/デベロッパの 開発においてimec、 SEMATECHとの共 同開発を実施中 • 業界をリード • 4重露光の開発推進 • コンソーシアム、材 • 量産ラインで • 顧客評価中 • 当社装置により11nm 料メーカー、大学と 採用済み • 主要顧客との のパターンを実現 共同開発中 • 主要顧客と先端 共同開発を実施中 • 顧客評価中 開発を実施中 EUV: Extreme Ultravio

  26. Slide 26: SPE事業での取り組み

    SPE事業での取り組み シェア向上  エッチング装置 - RLSAエッチング装置によるPolyエッチ市場でのシェア拡大（FinFETゲート工程） - 当社の強みである深掘エッチング技術で3D-NANDでのポジション獲得  洗浄装置 - 枚葉洗浄装置のシェア拡大に注力 - 微細化に伴う技術への対応でドライ洗浄装置の売上拡大  熱処理成膜装置 - セミバッチ式のALD成膜装置で、枚葉市場での売上拡大 新規分野  先端パッケージング分野 - 製品ラインアップの拡充により中期的に収益拡大を目指す 25 Corp IR/July 30, 2013

  27. Slide 27: 先端パッケージ分野に向けたTEL製品

    先端パッケージ分野に向けたTEL製品 CELLESTA™+ TELINDY PLUS™ VDP Tactras™ FAVIAS Cleaning Dielectric liner deposition Deep Si etcher Apollo Physical vapor deposition CLEAN TRACK™ LITHIUS™ Pro TSV TEL NEXX製品 Patterning Cu Pillar Stratus Electrochemical deposition Synapse™ V Synapse™ Z Wafer bonder Wafer de-bonder 3DI

  28. Slide 28: STT-MRAM向け製品ラインアップ

    次世代メモリデバイスの開発 STT-MRAM向け製品ラインアップ GCIB装置 洗浄装置 エッチング・ 磁場アニール装置 酸窒化膜 磁性・金属 (TEL Epion) CVD装置 (TEL Magnetic Solutions) スパッタ装置 CVD装置 STT-MRAM: Spin Transfer Torque-Magnetoresistive Random Access Memory ► 共同開発 imec (Belgium) Tohoku University (Japan) 開発加速により､早期量産適用を目指す 27 Corp IR/July 30, 2013

  29. Slide 29: SPE事業成長シナリオ

    SPE事業成長シナリオ CY2013（2014/3月期） CY2016 （2017/3月期） コータ/ コータ/ デベロッパ TEL TAM: $17B デベロッパ TEL TAM: $13B エッチング装置 エッチング装置 熱処理成膜装置 熱処理成膜装置 枚葉成膜装置 WFE: $30B WFE: $40B 枚葉成膜装置 洗浄装置 + 新規分野 洗浄装置 新規分野  ＳＰＥ ビジネス ： ３年で60%の成長 （売上高: 4,360億円 ⇒ 6,900億円） • 市場拡大による成長 ： 30% • シェア向上による成長 ： 15% • 新規分野による成長 ： 15% 28 Corp IR/J

  30. Slide 30: FPD事業での取り組み

    FPD事業での取り組み ► G8向け新型ICPエッチング装置を市場投入し、収益およびシェア拡大を狙う。 ► 2016年より本格化が見込まれる大型TV用有機ＥＬパネル製造に向けて、 OLED成膜装置の早期開発を実現し、収益拡大を図る。 ► 中国昆山工場における装置製造により、顧客対応力向上目指す。 また、段階的に現地調達率を高め、利益率改善を図る。 東電光電半導体設備（昆山）有限公司 Tokyo Electron (Kunshan) Limited ICP: Inductively Coupled Plasma（誘導結合プラズマ） 29 Corp IR/July 30, 2013

  31. Slide 31: PV事業での取り組み

    PV事業での取り組み 薄膜Siの優位性  材料依存度低く、製造工程がシンプル（低コスト）  高温環境や低照度条件下で高い発電性能を発揮  有毒物質、希少材料は不使用 変換効率向上の施策  光マネージメント技術  半導体製造装置技術を応用 • プラズマ均一化技術 • 薄膜均一塗布技術 • MEMS技術 テクノロジーセンターつくば 早期に変換効率向上を達成し、 グリッドパリティを超える製造コスト$0.4/Wp以下を実現する 30 Corp IR/July 30, 2013

  32. Slide 32: 収益性向上への取り組み

    収益性向上への取り組み ►開発・製造一貫体制によるコスト低減と新生産方式によ る生産効率化を推進 ►中国昆山工場におけるFPD装置製造により 段階的に現地調達率を高め、利益率改善を図る ►開発の効率化を推進 ►新生産拠点、新開発拠点への大型投資は一巡しており、 今後は減価償却費など減少の方向 31 Corp IR/July 30, 2013

  33. Slide 33: 中期成長目標

    中期成長目標 FY2017 （億円） FY2014 売上 9,200 SPE 6,900 （億円） WFE: $40B FPD 500 売上 5,620 PVE 600 シェア：16% SPE 4,360 EC/CN 1,200 WFE: $30B FPD 260 シェア：13% PVE 110 営業利益率 >20% EC/CN 890 営業利益 180  市場拡大 営業利益率 3.2%  シェア拡大  新規分野参入 SPE事業は営業利益率27%以上、連結では20%以上を目指す 32 Corp IR/July 30, 2013

  34. Slide 34: 経営方針

    経営方針 ►技術革新が市場と利益を創造する経営を貫く ►顧客第一主義のもと、グローバルレベルで技術 サポート力を強化 ►現場からトップまで、創造性、挑戦意欲、情熱、責任感 に満ちた活力のある会社づくり ►ワールドクラスの高収益体質と更なる成長を実現 33 Corp IR/July 30, 2013

  35. Slide 35: 将来見通しについて

    将来見通しについて 本資料に記述されている当社の業績予想、将来予測などは、当社が作成時点で入手可能な情 報に基づいて判断したものであり、経済情勢、半導体/FPD/PV市況、販売競争の激化、急速な 技術革新への当社の対応力、安全・品質管理、知的財産権に関するリスクなど、様々な外部要 因・内部要因の変化により、実際の業績、成果はこれら見通しと大きく異なる結果となる可能性 があります。 数字の処理について 記載された金額は単位未満を切り捨て処理、比率は1円単位の金額で計算した結果を四捨五入 処理しているため、内訳の計が合計と一致しない場合があります。 為替リスクについて 当社の主力製品である半導体製

  36. Slide 36: Corp IR/July 30, 2013

    35 Corp IR/July 30, 2013

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