Intelliepi Inc. (cayman) · TPEX:4971
Intelliepi Inc. (cayman) — Conference Presentation (September 2015)
43 slides from Intelliepi Inc. (cayman)'s conference presentation, September 2015
Slide 1: IntelliEPI 4971
4971 (2 IntelliE€P/ Se 5 fa 2 Ay fn BR DO]
Slide 2: 簡報大綱
簡報大綱 公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 2
Slide 3: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 • 成立時間：1999年1月1日 Facility Photo • 董 事 長：康潤生 • 總 經 理：高永中 • 總公司：開曼群島 • 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓 • 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA 美國德州二廠 • 商業模式：三五半導體磊晶晶片代工製造廠 • 主要產品： * 砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）磊晶晶片 微波通訊（手機、平板、Wi-Fi、GPS、衛星、國防）、雲端運算、資料中心 * 銻化鎵（GaSb）紅外線磊晶晶片 保全、防疫、國土安全、太空科技、熱光伏 * 光電元件磊晶晶片（雷射二極體、光接收器：PIN
Slide 4: 公司簡介-全球據點
公司簡介-全球據點 據點 照片 開始時間 面積與用途 功能 優勢 美國德州李察森市 總部 北美最大MBE磊晶片生產工廠 總面積23,000 平方英尺. 全球磷化銦銻化鎵磊晶片代工領導 2002 磊晶生產 生產區面積13,000平方英 廠商 無塵室產品測試 尺 美國德州亞倫市 8,000 平 方 英 尺 100 to 銻化鎵長晶 提高產能以因應生產高峰時所需 2011 10K 無塵室 切片研磨拋光 台灣台北市 台灣市場客戶服務 位於台北市士林區可就近服務投資 2013 3,000平方英尺辦公室面積 投資人關係 人與客戶 上市相關事宜 中國天津市 基板再生 砷化鎵磷化銦4~6英吋基板再生 2009
Slide 5: 公司簡介-經營團隊
公司簡介-經營團隊 技術團隊來自: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室 5
Slide 6: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 6
Slide 7: 晶體結構之定義
晶體結構之定義 非晶體結構(amorphous) - 原子排列無規律模式 - 例如: 玻璃 多晶體結構(polycrystalline) - 原子排列有局部規律模式 - 例如: 砂子、多晶矽基板 單晶體結構 (single crystalline) - 原子排列有單一且全面規律模式 - 例如: 單晶矽基板、砷化鎵單晶基 板、磷化銦單晶基板、銻化鎵單晶 基板 7
Slide 8: 甚麼是磊晶
甚麼是磊晶 磊晶層 7 6 5 4 3 2 1 磊晶層 • 不同顏色代表不同化學成分與不同晶 格大小 • 每一層厚度、成份、摻雜濃度須經磊 晶結構設計師模擬計算 單晶基板 • 磊堆在單晶基板上的單晶層就是磊晶 • 空間中每一個原子跟其他原子都有規則排 列之對應關係 8
Slide 9: 磊晶怎麼長出來
磊晶怎麼長出來 磊晶層是用MBE或MOCVD在加熱的單晶基板上一個原子一個原 子規則排列堆疊長出來的 • MBE (超高真空度底下, 10-11 torr) Ga + As GaAs • MOCVD (低真空度, 0.1~1 torr) Ga + 3(CH3) Ga(CH3)3 As + 3/2 (H2) AsH3 Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs + 3(CH3) + 3H 圖片來源: 科技台灣 9
Slide 10: 為什麼是三五族半導體
為什麼是三五族半導體 • 甚麼是三五族半導體 Electron and hole mobility of 化學元素週期表中三族和五族元素的化合物 III-V semiconductors 就是三五族半導體，如砷化鎵(GaAs)ヽ磷化 銦(InP)ヽ銻化鎵(GaSb)ヽ氮化鎵(GaN)等等 Electron • 為什麼高頻通訊元件要用三五族半 Hole 導體材料來做呢 三五族半導體電子遷移速率比矽和鍺半導體 高很多，所以可以驅動到更高頻率 InP系列(900GHz) > GaAs系列(100GHz) > Ge > Si III IV V B硼 C碳 N氮 Al 鋁 Si 矽 P 磷 Ga 鎵 G
Slide 11: 三五半導體產業上中下游介紹
三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 磊晶片 IET, IQE, 全新 (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 晶圓製程 穩懋, 宏捷 IDM: 半導體封裝 Skyworks, RFMD, Triquint 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • • • • • • • 穿戴裝置 • 平板 • 手機 • 驅動IC • 收發模組 RFID Wi-Fi連結 測試與量測 智慧型能源系統 醫療 太空 / 國防 車用電子 / 防撞雷達 無線基地台 有線電視 / 衛星通訊 磊晶片品質: 決定電子 元件品質, 效能, 良率 11
Slide 12: 產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路
產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 –主要應用於行動通訊裝置，如手機開關及微波通訊(基地台 ,GPS,衛星) Base 0.25 µm –新市場機會：(>40G)超高頻應用通訊元件,汽車防撞雷達 Emitter Collector •磷化銦(InP)磊晶晶片 –主要應用於高頻光纖網絡，高頻量測儀器元件，光通訊用光 接收器 –新市場機會：雲端計算，資料庫，資料傳遞 12
Slide 13: 汽車防撞雷達原理
汽車防撞雷達原理 汽車防撞雷達將成為安全基本配備 汽車供應鏈切入需３～５年 （若有機會） UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片市佔第一之供應商 英特磊是UMS在Soitec併購後唯一磊晶片供應商 資料來源: 網路資訊 13
Slide 14: 汽車防撞雷達原理
汽車防撞雷達原理 UWB (Ultra Wide Band) FMCW (Frequency Modulated • 測距 Continuous Wave) • 較無空間多重反射干擾之 • 測距 問題 • 測速(都普勒效應) • 定位能力較佳 • 系統較為單純 • 需要較複雜的時序控制 • 容易被干擾 資料來源: 網路資訊 14
Slide 15: 汽車防撞雷達系統架構圖
汽車防撞雷達原理 汽車防撞雷達系統架構圖 資料來源: 網路資訊 15
Slide 16: 汽車防撞雷達(UMS solution)
汽車防撞雷達(UMS solution) 資料來源: UMS網站 16
Slide 17: 汽車防撞雷達(UMS solution)
汽車防撞雷達(UMS solution) 資料來源: UMS網站 17
Slide 18: 產品應用領域介紹-銻化鎵
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 主要產品： 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 主要應用於夜視、保全、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 新市場機會：聚焦平面列陣(FPA)可取代II-VI化合物 既有市場 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣（FPA） 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 T2SLS epi-structure 18
Slide 19: 產品應用領域介紹-銻化鎵
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 第0頁 第1,2頁 第9,10頁 紅外線攝影機可看出紅外線穿透紙張 紅外線攝影機可看出溫度變化 19
Slide 20: 產品應用領域介紹-銻化鎵
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 高解析度紅外線攝影 20
Slide 21: 產品應用領域介紹-銻化鎵
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 可見光影像 紅外線影像 21 圖片來源: 美國太空總署網站; 紅外線磊晶片: 英特磊產品
Slide 22: 碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板
碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板 • 熱影像偵測飛彈追熱系統 • γ 伽瑪射線偵測器 • 正子電腦斷層掃描（PET/CT） 資料來源: 網路資訊 22
Slide 23: 碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板
碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板 正子電腦斷層掃描（PET/CT） 正子電腦斷層造影（PET／CT）是一種高科技醫學檢查，使用一種 帶有微量正子與葡萄糖相似的分子”氟化去氧葡萄糖（簡稱FDG）” 注入體內。經由血液循環至體內組織器官，再結合掃描儀器顯現全 身各層次影像。PET ／CT產生的影像就好比電視氣象報告中所顯示 的衛星雲圖一樣，PET以色譜顯示癌細胞聚集處，重疊於CT所顯示 的解剖影像，清楚告訴醫師癌細胞的位置，PET／CT精確的將癌細 胞活動狀況及位置融合在一張影像資料中。 鼻咽癌 肺癌 CT （PET/CT） （PET/CT） CT 資料來源: 網路資訊 23
Slide 24: 碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板
碲化锌鎘 (CdZnTe (CZT)) 單晶基板 ＣＺＴ成長方式ＨＢ成長法 ３０年成長經驗 已獲得特殊應用供應鏈大廠研磨技術共同開發計畫 圖片來源: 網路資訊 24
Slide 25: 產品應用領域介紹-光電元件
產品應用領域介紹-光電元件 主要產品： 面射型雷射（VCSEL）磊晶晶片 主要應用於資料通訊 光通訊用光接收器磊晶晶片（PIN和APD） 主要應用於光纖網路、資料庫和雲端運算 25
Slide 26: 英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示
英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電 • 手機高頻元 • OC768- • 光纖網路 件 40Gbps 網路 • 圖像識別 應用 • 汽車防撞雷 • OC192- 達 10Gbps 網路 • 國防用途 • GaAs pHEMT • InP HBT • GaAs PIN/APD • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP PIN/APD 器件類別 • InP HEMT • GaAs mHEMT • QWIP • InP HBT • Diode laser (紅色為量產產 • GaSb T2 SLS IR 品) detector 26
Slide 27: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 27
Slide 28: 集團架構與市場分布
集團架構與市場分布 IET-Cayman Europe: 12% 2014 (2% 2013) China IntelliEPI Japan: Sourcing & North America: 11% 2014 R&D 76% 2014 (10% 2013) IntelliEPI IR* (85% 2013) Korea/Taiwan 2% 2014 IntelliEPI/ IntelliEPI/ China Japan Designates office locations 北美歐洲市場佔營收 ~ 90% 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主 公
Slide 29: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 29
Slide 30: 核心競爭優勢–智慧型分子束磊晶系統（Smart MBE）
核心競爭優勢–智慧型分子束磊晶系統（Smart MBE） 即時監測系統 即時生長資料：溫度 & 通量 ABES light source: Light pipe, or Heater filament Sensor Data Optical Pyrometer OFM Proprietary In Situ Composition Setup Optical- based Flux Optical Reflectometry Monitor (OFM) 美國專利智慧型磊晶層即時監控系統 即時監控元素通量、溫度，確保磊晶層成分、厚度、溫度之精確性 縮短產品開發、驗證時間 降低生產成本提高生產良率
Slide 31: 核心競爭優勢–硬體自主維修改良能力
核心競爭優勢–硬體自主維修改良能力 100%硬體自主能力（維修、零件、次系統設計組裝能力） 次系統自主維修改良，延長機台使用週期 降低機台維修成本 縮短機台維修復機時間 31
Slide 32: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ Skyworks Solutions 最佳供應商獎，產品涵蓋手機與其他高頻應用產品(車聯網,物聯網, 國防等等) 高頻量測儀器大廠 Keysight Technology (前身為安捷倫科技（Agilent))獨家磊晶片供 應商,5年8億台幣合約, 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商 美國特殊應用合約開發尖端紅外線材料 美國特殊應用大廠委託開發CdZnTe (CZT)晶片研磨技術 5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術 32
Slide 33: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 33
Slide 34: 未來發展
未來發展 2012-2014:大面積銻化镓紅外線晶體成 長、研磨、拋光 發展方向朝向高毛利及對MBE磊晶技術有優勢之產品 34 34
Slide 35: 擴充與合作
擴充與合作 2014英特磊和Soitec 簽訂整廠設備移轉與技術授權合約合約 與既有客戶完成產品認證，獨家供貨，主要客戶包括歐 洲最強的汽車防撞雷達晶片廠ＵＭＳ，美國TriQuint- 德州廠 2014英特磊承接Skyworks Solutions 所有MBE生產設備 獨家供應Skyworks Solutions 所有非行動裝置之高頻 磊晶片 2016完成新廠建置進一步擴充產能 布局中國大陸市場，尋求合作機會 35
Slide 36: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 36
Slide 37: IntelliEPI 4971
4971 AS uaF iEP/ Intell FSF ot) ST-2T ST-TT ST-OT ST-60 ST-80 ST-£0 ST-90 ST*SO ST-v0 ST-£0 ST-ZO ST-TO bT-2t PL-TT PT-OT bT-60 PT-80 bT-£0 PT-90 bT-SO bT-v0 PT-E0 bT-ZO PT-TO ET-2T EL-TT £T-OT £T-60 £T-80 ET-£0 £T-90 £T-SO ET-v0 ET-€0 £T-20 £T-TO ABU
Slide 38: 季度營業收入、營業利益與毛利率
單位: 新台幣仟元 Q1-12 Q2-12 Q3-12 Q4-12 Q1-13 Q2-13 Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 營業收入 $120,193 $142,903 $147,182 $147,864 $134,057 $169,099 $135,484 $131,703 $122,747 $152,878 $208,504 $171,486 $207,892 $224,008 營業利益 $16,996 $47,585 $42,266 $14,037 $14,379 $37,393 $39,732 $14,969 $20,84
Slide 39: 2015年第2季合併損益表 (IFRSs)
2015年第2季合併損益表 (IFRSs) 佔營收 佔營收 佔營收 (每股盈餘：新台幣仟元) 2014 第2季 比率 2015 第1季 比率 2015 第2季 比率 QoQ YoY 營業收入 $152,878 $207,892 $224,008 7.8% 46.5% 歷史新高 營業成本 -105,213 -132,059 -124,225 營業毛利 47,665 31.2% 75,833 36.5% 99,783 44.5% 31.6% 109.3% 歷史新高 營業費用 -35,175 23.0% -34,057 16.4% -34,682 15.5% 1.8% -1.4% 歷史新高 營業淨利
Slide 40: 2015年第2季合併資產負債表(IFRSs)
2015年第2季合併資產負債表(IFRSs) 6/30/2014 3/31/2015 6/30/2015 單位：新台幣仟元 金額 % 金額 % 金額 % 現金 210,228 22.0% 230,538 16.2% 284,191 19.4% 應收帳款淨額 89,948 9.4% 103,318 7.2% 105,824 7.2% 存貨 125,263 13.1% 109,620 7.7% 131,937 9.0% 其他流動資產 126,411 13.3% 263,970 18.5% 262,751 17.9% 流動資產合計 551,850 57.9% 707,446 49.6% 784,70
Slide 41: 主要產品別銷貨收入
主要產品別銷貨收入 產品別銷貨收入 年度 2010 2011 2012 2013 2014 2015 Q1 2015 Q2 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷 化 鎵 (GaAs)磊 晶 片 66.0% 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 55.1% 50.3% 磷 化 銦 (InP)磊 晶 片 17.1% 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 21.3% 17.4% 銻 化 鎵 (GaSb)及 勞 務 收 入 11.5% 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 23.2% 31.6% 其他 5.4% 9.0% 4.5% 3.1% 0.6% 0.
Slide 42: 營收展望
營收展望 2015 Soitec客戶營收貢獻 2015 UMS營收貢獻 2015 營收成長動能 SWKS 其他高頻應用產品 Keysight 高頻量測產品 UMS 汽車防撞雷達 GaSb-IR 進入量產商業化產品 ------------------------------------------ CZT 紅外線追熱系統 切片研磨技術開發計畫 高毛利 2016~2020 5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術 42
Slide 43: IntelliEPI 4971
(2 intelliEP/ 4971 a AR + Santa ee QRA
IntelliEPI Inc. (Cayman) — Conference Presentation (September 2015) on 6ix