Kokusai Electric Corporation · TSE:6525
Kokusai Electric — Q2 FY2027/3 Earnings Presentation
42 slides from Kokusai Electric's earnings presentation, Nov 9, 2026
Slide 1: 2027年3月期第2四半期 決算説明資料
2027年3月期第2四半期（2026年4月～9月） 決算説明資料 2026年11月9日 株式会社 KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
Slide 2: 注意事項
注意事項 本資料及び本資料にて提供される情報は企業情報等の提供のために作成されたものであり、国内外を問わず、当社の発行する株式その他有価証券の勧 誘を構成するものではありません。 ◼ 将来見通しについて 本資料に記述されている当社グループの事業計画、将来予測などは、当社グループが作成時点で入手可能な情報に基づいて判断したものであり、将来 の結果や業績を保証するものではありません。さまざまな外部要因・内部要因の変化により、実際の業績、成果は計画、予測と大きく異なる結果となる可 能性があります。当社グループは、適用される法令または証券取引所の規則により要求される場合を除き、本資料に含まれるいかなる
Slide 3: 2027年3月期第2四半期連結決算概要
2027年3月期第2四半期連結決算概要 KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
Slide 4: ハイライト
ハイライト 2027年3月期第2四半期連結決算概要 ◼ 半導体デバイス市場は、AI関連用途の高性能なLogicとDRAMを中心に世代交代・生産規模拡大投資が前期に増し て高水準で推移。NANDは世代交代投資が中心。民生電子機器向けや自動車・産業機器向けの需要回復は緩やか。 ◼ 当社2Qは、DRAM、Logic/Foundry向けを中心とした装置販売、サービス売上の伸長により前年同期比で増収増益。 2Q累計では、前年同期比で増収増益となったものの、製品構成の変化により売上総利益率は低下。 2027年3月期連結業績予想と今後の見通し ◼ 半導体デバイスメーカーは高性能デバイス向けを中心に、世代交代
Slide 5: 連結業績サマリー
連結業績サマリー 2Qは、前年同期比・直前四半期比ともに増収増益。売上総利益率も改善。 2Q累計は、前年同期比で増収増益。売上総利益率は前年同期より低下したものの、調整後営業利益以下の 利益率は改善。 26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 2Q累計 1Q 2Q 前年同期比 前四半期比 2Q累計 前年同期比 売上収益 518 654 1,172 754 886 ＋35.5% ＋17.5% 1,640 ＋40.0% 売上総利益 222 273 495 307 380 ＋39.2% ＋23.8% 686 ＋38.7% 売上総利益率 42.9% 41.7% 42.2% 40.7% 42.8%
Slide 6: 2027年3月期第2四半期実績 増減要因
2027年3月期第2四半期実績 増減要因 売上収益は、世界各国向け装置売上とサービス売上が伸長し、前年同期比36%増加。調整後営業利益は、 販売等の増加および売上総利益率の改善が寄与し、前年同期比56％増加。 売上収益 調整後営業利益 （億円） （億円） ＋50 886 ＋176 ＋6 ＋107 ＋0 225 △27 654 NAND ＋6 NAND △65 DRAM ＋107 DRAM ＋47 144 販売等増加 ＋97 Logic/Foundry ＋61 Logic/Foundry ＋39 売上総利益率増加 ＋10 その他 ＋2 その他 △15 26/3期 世界各国向け 中国地場向け サー
Slide 7: 2027年3月期第2四半期（累計）実績 増減要因
2027年3月期第2四半期（累計）実績 増減要因 売上収益は、中国地場向け装置売上が大手メーカーの投資端境期により減少したものの、世界各国向け装 置売上とサービス売上が伸長し、前年同期比40%増加。調整後営業利益は、製品構成の変化により売上総 利益率が低下したものの販売増加が大きく寄与し、前年同期比57％増加。 売上収益 調整後営業利益 （億円） （億円） ＋101 1,640 ＋191 ＋386 △19 ＋0 398 △47 1,172 NAND ＋18 NAND △124 DRAM ＋246 253 DRAM ＋62 Logic/Foundry ＋123 Logic/Foundry ＋66
Slide 8: 四半期別売上収益 アプリケーション別
四半期別売上収益 アプリケーション別 2Qは、前年同期比でDRAM、Logic/Foundry向け装置売上が増加。直前四半期比では主要アプリケーション 全てにおいて増加。2Q累計は、前年同期比でDRAM、Logic/Foundry向け装置売上とサービス売上が増加。 四半期 2Q累計 （億円） 886 1,640 21% 754 20% サービス 654 2% 1,172 4% 620 23% その他 19% 559 28% 21% 518 19% 6% 27% 5% 22% 7% 9% Logic/Foundry 23% 26% 23% 12% 22% 10% 23% DRAM 19% 21%
Slide 9: 四半期別売上収益 アカウント別
四半期別売上収益 アカウント別*1 2Qの世界各国向け売上は、前年同期比・直前四半期比ともにDRAM向け装置売上とサービス売上が増加。 中国地場向け売上は、前年同期比・直前四半期比ともにDRAM、Logic/Foundry向け装置売上とサービス売 上が増加。中国地場向け売上の急拡大により中国地場向け売上比率は35%に上昇。 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益 （億円） （億円） 566 577 460 367 384 サービス 323 309 287 その他 194 Logic/Foundry 175 188 160 DRAM NAND 26/3期 27/3期 26/3期 27/3期
Slide 10: 四半期別売上収益 仕向地別
四半期別売上収益 仕向地別 2Qは、前年同期比で全ての地域向けで増加。直前四半期比では、中国向け、台湾向けが増加。 2Q累計は、前年同期比で全ての地域向けで増加し、中国向け売上比率は34％に低下。 四半期 2Q累計 （億円） 886 1,640 754 中国 39% 34% 654 620 28% 1,172 欧州他 559 1% 1% 518 1% 5% その他アジア 28% 5% 48% 5% 33% 1% 47% 韓国 5% 28% 45% 1% 32% 25% 1% 0% 7% 台湾 1% 5% 31% 4% 2% 28% 19% 米国 17% 21% 19% 17% 18% 20%
Slide 11: 四半期別貸借対照表
四半期別貸借対照表 2Q末の資産合計は、売上の増加に伴う現金及び現金同等物の増加、営業債権及びその他の債権の増加によ り26年3月期末比で304億円増加。資本合計は、利益剰余金等の増加により26年3月期末比で179億円増加。 資産 負債／資本 （億円） （億円） 3,901 3,901 現金及び現金同等物 3,709 3,597 3,709 3,597 3,521 3,521 445 3,415 3,433 697 3,415 3,433 504 有利子負債 570 営業債権及び 499 477 565 558 （借入金＋リース負債） 428 438 544 その他の債権 603 728 42
Slide 12: 四半期別自己資本比率＆現金及び現金同等物／有利子負債
四半期別自己資本比率＆現金及び現金同等物／有利子負債 2Q末の自己資本比率は、直前四半期末比で0.2ポイント増加し60.8%。 2Q末のネットキャッシュは、営業CFの改善等により直前四半期末から186億円増加し252億円。 資産合計／資本合計／自己資本比率 現金及び現金同等物／有利子負債 （億円） （億円） 資産合計 資本合計 自己資本比率 現金及び現金同等物 有利子負債 4,500 70% 4,000 3,901 697 3,597 3,709 3,415 3,433 3,521 65% 3,500 603 61.0% 60.6% 60.8% 558 565 570 58.2% 544 3,
Slide 13: 四半期別キャッシュ・フロー
四半期別キャッシュ・フロー 2Qは、営業CFが投資CFを大きく上回り、フリーCFは216億円。 財務CFは長期借入金の返済や自己株式取得等により、99億円の支出。 216 営業CF 投資CF 財務CF フリーCF 154 （億円） 276 73 204 119 71 66 115 121 20 49 △29△44 △48△64 △43△43 △50△64 △55△64 △60 △99 26/3期 27/3期 （億円） 1Q 2Q 3Q 4Q 1Q 2Q 営業CF ＋49 ＋119 ＋115 ＋204 ＋121 ＋276 投資CF △29 △48 △43 △50 △55 △60 財務CF △44
Slide 14: 四半期別研究開発費／設備投資額／減価償却費
四半期別研究開発費／設備投資額／減価償却費 2Qの研究開発費、設備投資額、減価償却費は計画通りに推移し、下期も計画通り進捗予定。 研究開発費 設備投資額／減価償却費 （億円） 研究開発費 研究開発費率 （億円） 大型設備投資（新工場建設、デモルーム拡張など） 60 9% 通常設備投資 8.8% 6.0% 7.4% 8% 減価償却費 50 39 7.4% 5.9% 7% 23 7.4% 32 40 6% 29 13 5% 39 40 30 36 37 54 4% 35 53 34 48 45 20 42 3% 3 39 2% 28 30 10 20 20 20 21 1% 0 0% 26/3期
Slide 15: 2027年3月期連結業績予想
2027年3月期連結業績予想 KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
Slide 16: ハイライト
ハイライト 2027年3月期第2四半期連結決算概要 ◼ 半導体デバイス市場は、AI関連用途の高性能なLogicとDRAMを中心に世代交代・生産規模拡大投資が前期に増し て高水準で推移。NANDは世代交代投資が中心。民生電子機器向けや自動車・産業機器向けの需要回復は緩やか。 ◼ 当社2Qは、DRAM、Logic/Foundry向けを中心とした装置販売、サービス売上の伸長により前年同期比で増収増益。 2Q累計では、前年同期比で増収増益となったものの、製品構成の変化により売上総利益率は低下。 2027年3月期連結業績予想と今後の見通し ◼ 半導体デバイスメーカーは高性能デバイス向けを中心に、世代交代
Slide 17: 2027年3月期業績・配当予想（変更無し）
2027年3月期業績・配当予想（変更無し） 1Q決算時に修正した通期業績予想に沿って推移。通期業績予想・配当予想に変更無し。 26/3期 27/3期 （億円） 上期実績 下期実績 通期実績 上期実績 下期予想 通期予想 前期比 売上収益 1,172 1,179 2,351 1,640 1,760 3,400 ＋44.6% 売上総利益 495 473 968 686 776 1,462 ＋51.0% 売上総利益率 42.2% 40.1% 41.2% 41.8% 44.1% 43.0% ＋1.8pts 調整後営業利益 253 223 476 398 462 860 ＋80.7% 調整後営業利益率
Slide 18: 2027年3月期業績予想 前期比増減要因
2027年3月期業績予想 前期比増減要因（変更無し） 売上収益は、世界各国向け装置売上、中国地場向け装置売上、サービス売上のそれぞれが増加し、前期比 45％増加となる見通し。調整後営業利益は、販売増加と売上総利益率の上昇により81％増加の見通し。 売上収益 調整後営業利益 （億円） ＋106 3,400 （億円） ＋266 ＋678 ＋494 ＋0 860 △110 2,351 NAND ＋225 NAND △15 DRAM ＋228 DRAM ＋215 Logic/Foundry ＋231 Logic/Foundry ＋96 その他 △6 その他 △31 476 販売等増加 ＋433 売上総
Slide 19: 2027年3月期業績予想 アカウント別売上収益
2027年3月期業績予想 アカウント別*1売上収益（変更無し） 世界各国向け売上は、主にNANDとLogic/Foundry向け装置の需要拡大により、前期比では49%増加の見 通し。中国地場向け売上は、主にDRAM向け装置の需要拡大により、前期比では37%増加する見通し。 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益 （億円） （億円） 1,748 サービス 1,535 1,340 その他 Logic/Foundry 1,010 1,050 799 816 DRAM 709 NAND 27/3期 27/3期 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 23/3期 24/3期 25/3期 26
Slide 20: 2027年3月期業績予想 アプリケーション別装置売上収益
2027年3月期業績予想 アプリケーション別装置売上収益（変更無し） 前期比でNAND向けは49％増加、DRAM向けは61％増加、Logic/Foundry向けは65％増加、サービス売 上は22％増加とそれぞれ増加の見通し。サービス売上比率は17％の見通し。 （億円） 3,400 17% 5% 2,457 2,389 2,351 サービス 20% 24% 20% 20% その他 11% 1,808 11% 9% 21% Logic/Foundry 20% 21% 24% 13% DRAM 34% 16% 24% NAND 31% 36% 33% 30% 19% 18% 11% 10% （億円）
Slide 21: 今後の見通し
今後の見通し KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
Slide 22: 事業環境の見通し
事業環境の見通し AI関連の需要がデバイスメーカーの設備投資を引き続き強力に牽引、高性能デバイス向け装置需要は さらに増加する見通し。 半導体デバイス市場 半導体製造装置（WFE）市場 ■AI関連の需要がデバイスメーカーの設備投資を引き続き強力にけん引。 ■AI関連の需要拡大に伴って、高性能デバイス向け装置への需要は 高性能デバイス向けの投資は大きく拡大。 さらに増加傾向が続く見通し。 ■AI関連以外の産業機器向けデバイスの需要は回復局面。 ■成熟ノード向け装置への需要は今後の回復に期待。 ■中長期的には、データセンター拡充への投資、民生電子機器の ■半導体デバイス市場の拡大に伴い、半導体製造
Slide 23: 中期経営計画（変更無し）
中期経営計画（変更無し） 24年の中期経営計画策定時から市場環境が大きく変化したことを受け、中期目標の達成時期とアプリケー ション別売上構成比を26年5月13日に見直し。急速な需要拡大に伴い売上収益は2年前倒しで27/3期に達成 見通し。調整後営業利益率は28/3期の達成をめざす。 従来の中期目標*1 見直し後の中期目標 WFE市場規模 達成時期 2029年3月期まで 1,200億ドル以上 アプリケーション別売上構成比*3 売上収益 3,300億円以上 3,300億円以上 装置ビジネス 売上比率 75％程度 80％程度 サービス サービスビジネス 約40% 売上比率 25%程度 20%程度 約
Slide 24: 2028年3月期の方向感
2028年3月期の方向感 WFE市場は、CY27もAI関連用途の高性能デバイス向け投資が引き続き市場を牽引し、二桁成長が継続する 見通し。当社は、28/3期においてもWFE市場成長を上回る売上成長をめざす。 （億円） 2027年のWFE市場見通し（2026年比） ⚫ 市場全体：+30%以上 サービス ⚫ 市場規模：$1,900億程度 装置 3,400 ⚫ AI関連用途の高性能デバイス向け 投資が市場を牽引 2,351 WFE市場成長を上回る売上成長のドライバー 高シェアを有する先端装置の販売拡大 成長を支える生産能力の増強 26/3期 27/3期 通期予想 28/3期 方向感 KOKUSAI
Slide 25: 2028年3月期の方向感 利益率改善
2028年3月期の方向感 さらなる売上収益の拡大と高付加価値製品の販売拡大を軸に、調整後営業利益率の中期目標である30%以 上の達成をめざす。 利益率改善を支える3つの柱 3 28/3期 通期 03 生産拡大・ 達成目標 2価値に応じた 生産効率・固定費 販管費の適正水準化 1 価格適正化 TAM拡大による成長 レバレッジ 収益性の持続的な改善 27/3期 通期 高付加価値製品の 半導体デバイスの世代交代 段階的に寄与 継続的に改善 ・生産稼働率上昇による生 予想 POR拡大 ・半導体デバイスの世代交代 産コストの低減。 調整後営業利益率 先端デバイス向けPORの維持・拡大 • 高付加価値装置
Slide 26: NAND向け装置ビジネスの現状と見通し
NAND向け装置ビジネスの現状と見通し デバイスの世代が進むと各工程で、バッチALD*1対応装置がラージバッチからミニバッチに進化。 2025 2026 2027 2028 2029 NAND向け装置売上 多層化 3D NAND ～200 layers 200～500 layers 500 layers～ Blocking Layer Charge Trap Layer Tunnel Dielectric Channel Si Blocking Metal Oxide A Barrier Metal A 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3期予想 Treatment ✓：P
Slide 27: DRAM向け装置ビジネスの現状と見通し
DRAM向け装置ビジネスの現状と見通し デバイスの世代が進むとPOR数が増加。ラージバッチALD *1対応装置のモデルチェンジも進み、3D DRAMで のミニバッチALD *1対応装置の採用にも期待。 2021 2023 2026 2027 2028~ Advanced 微細化・複雑化→三次元化 DRAM向け装置売上 2D DRAM D1a D1b D1c D1d D0a以降 bWL Treatment ― ― ― Top Electrode Bottom Electrode Treatment Capacitor Support ― ― Gapfill 23/3期 24/3期 25/3期 2
Slide 28: Logic/Foundry向け装置ビジネスの現状と見通し
Logic/Foundry向け装置ビジネスの現状と見通し GAA特有の高難易度成膜POR獲得によりデバイスの世代進化とともにPOR数が大きく増加。 アドバンスドパッケージ向け装置需要のさらなる拡大、成熟ノード向け装置需要の回復にも期待。 2024 2025 2027 2028 2031 Logic/Foundry向け装置売上 複雑化→三次元化 Logic FinFET GAA(2nm) GAA(1.4nm) GAA(1.0nm) CFET(0.7nm) Gate Spacer Inner Spacer ー Hard Mask*1 ー Gapfill1 ー ー Gapfill2 ー ー ー ー
Slide 29: 生産体制について
生産体制について 既存3拠点の最大活用により、WFE市場の急速な成長に機動的に対応。 稼働時間・人員・生産スペースを段階的に増強し、需要に見合った生産能力を段階的に引き上げ。 足元の生産体制 シフト体制の拡充 生産スペースの拡張 既存3拠点で生産稼働率70～80％ 需要に合わせて稼働時間と クリーンルームを拡張し 足元の生産体制 人員体制を増強 足元の生産体制 足元の生産体制 生産スペースを追加確保 富山事業所 砺波事業所 段階的に2.5シフト体制まで増強 砺波事業所の生産スペースを増強 人員増強 稼働時間延長 既存建屋活用 段階的増強 Cheonan Factory KOKUSAI ELEC
Slide 30: まとめ
まとめ 半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により高付加価値製品の適用機会が拡大、 技術的優位性を生かして市場成長を上回る事業拡大の持続をめざす。 2024 2025 2026 2027 2028 2029 2030 2031 NAND ＞200 Layers ＞400 Layers ＞600 Layers Advanced 2D DRAM 3D Stacked DRAM D1a/D1b D1c D1d D0a VCT DRAM DRAM GAA Logic Fin-FET 2nm 1.4～1.0nm CFET(0.7nm~) 短期～中期 長期 ◼ NAND ◼ NAND
Slide 31: Appendix
Appendix KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All rights reserved.
Slide 32: ESGの取り組み
2027年3月期第2四半期の主な活動報告 経営・事業活動 ◼ 横浜国立大学と共同で表面前処理なしでウェーハ接合を促す「自己活性化」材料薄膜 ©（公社）とやま観光推進機構 同士の接合メカニズムを発見。（26/9） ◼ 「SEMICON® Taiwan 2026」「SEMICON® India 2026」出展。（26/9） ◼ 「ICSCRM2026」に出展。（26/9） ◼ 第39回計算力学講演会にて信州大学と共著のポスター発表を実施。（26/9） ◼ 第87回応用物理学会 秋季学術講演会に協賛。（26/9） おわら風の盆に協賛 ◼ 当社従業員による学術論文が応用物理学分野の学術誌「Applie
Slide 33: 2027年3月期業績予想 アカウント別上下別売上収益
2027年3月期業績予想 アカウント別*1上下別売上収益 世界各国向け売上収益 中国地場向け売上収益 （億円） （億円） 844 サービス 690 その他 482 Logic/Foundry 334 DRAM NAND 26/3期 上期 26/3期 下期 27/3期 上期 27/3期 下期予想 26/3期 上期 26/3期 下期 27/3期 上期 27/3期 下期予想 世界各国比率 59% 72% 70% 65% 中国地場比率 41% 28% 30% 35% *1 世界各国デバイスメーカー（中国以外に本拠のあるメーカー）向け、中国地場デバイスメー KOKUSAI ELECTRIC CORPOR
Slide 34: 2027年3月期業績予想 仕向地別売上収益
2027年3月期業績予想 仕向地別売上収益（変更無し） 前期比ですべての地域仕向け売上が増加。中国仕向け比率は38%の見通し。 3,400 （億円） 中国 38% 欧州他 2,457 2,389 2,351 その他アジア 34% 1% 5% 韓国 1,808 47% 39% 2% 台湾 6% 22% 46% 1% 5% 1% 米国 23% 4% 1% 16% 24% 日本 4% 20% 17% 21% 18% 18% 6% 10% 6% 6% 6% 3% 13% 12% 8% 10% 8% 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3期 通期予想 海外向け 87% 88% 92%
Slide 35: 2027年3月期業績予想 装置別売上収益
2027年3月期業績予想 装置別売上収益（変更無し） 27年3月期の高付加価値製品比率*1は68％となる見通し。 今後デバイスの世代交代によりバッチALD*2対応装置と枚葉トリートメント装置の導入は加速していく見通し。 他 バッチCVD対応装置 ＋バッチ酸化・拡散装置 バッチALD*2対応装置 枚葉トリートメント装置 23/3期 24/3期 25/3期 26/3期 27/3期 通期予想 高付加価値 67% 54% 64% 73% 68% 製品比率*1 *1高付加価値製品比率はバッチALD対応装置と枚葉トリートメント装置を合算した比率です。 *2当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給す
Slide 36: 損益計算書及び研究開発費、設備投資額、減価償却費
損益計算書及び研究開発費、設備投資額、減価償却費 26/3期 27/3期 （百万円） 1Q 2Q 2Q累計 3Q 4Q 通期 1Q 2Q 2Q累計 売上収益 51,789 65,416 117,205 55,852 62,021 235,079 75,414 88,629 164,043 売上総利益 22,220 27,277 49,497 22,883 24,430 96,810 30,678 37,967 68,645 売上総利益率 42.9% 41.7% 42.2% 41.0% 39.4% 41.2% 40.7% 42.8% 41.8% 調整後営業利益 10,902 14,439 25,
Slide 37: 調整後利益等の計算における調整項目
調整後利益等の計算における調整項目 26/3期 27/3期 （百万円） 1Q 2Q 2Q累計 3Q 4Q 通期 1Q 2Q 2Q累計 営業利益 9,717 12,993 22,710 9,809 9,317 41,836 15,926 20,888 36,814 －その他の収益 △304 △83 △387 △70 △51 △508 △56 △120 △176 ＋その他の費用 18 53 71 74 223 368 21 213 234 （調整額） ＋企業結合により識別した無形資産等の償却*1 1,476 1,476 2,952 1,477 1,476 5,905 1,476 1,476 2,9
Slide 38: 貸借対照表及び主要財務指標
貸借対照表及び主要財務指標 26/3期 27/3期 26/3期 27/3期 （百万円） 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末 2Q末 （百万円） 1Q末 2Q末 3Q末 4Q末 1Q末 2Q末 資産 流動資産 現金及び現金同等物 42,766 43,806 47,728 56,543 56,974 69,749 負債 流動負債 借入金＋リース負債 11,956 12,044 12,161 12,373 12,462 12,531 営業債権及びその他の債権 39,087 38,066 36,152 37,941 42,223 46,178 営業債務及びその他の債務 24,574 25,658
Slide 39: キャッシュ・フロー計算書
キャッシュ・フロー計算書 （百万円） 26/3期 27/3期 1Q 2Q 2Q累計 3Q 4Q 通期 1Q 2Q 2Q累計 営業活動によるキャッシュ・フロー 4,923 11,936 16,859 11,538 20,404 48,801 12,127 27,553 39,680 投資活動によるキャッシュ・フロー △ 2,942 △ 4,789 △ 7,731 △ 4,263 △ 4,960 △ 16,954 △ 5,520 △ 5,981 △ 11,501 フリー・キャッシュ・フロー 1,981 7,147 9,128 7,275 15,444 31,847 6,607 21,572 28,
Slide 40: マーケットシェアの推移
マーケットシェアの推移（5月13日公表） CY25は、バッチ成膜装置市場においてトップシェアを獲得。 バッチALD*1対応装置シェアは80%に到達、枚葉トリートメント装置（Plasma Gate Modification Tools）もトップシェアを維持*2。 （CY25） Gartnerの分類に基づく市場シェア*3 バッチ成膜装置 バッチALD*4対応装置の市場規模と当社シェア 2023 2024 2025 バッチALD*1 US$0.8B*5 US$1.0B*5 US$0.6B*5 D社 対応装置 41.1% 49.2% バッチCVD 対応装置 11.8% ～70%*5 ＞70%*5 >8
Slide 41: 用語集
用語集 ◼ バッチ処理装置：多数のウェーハを一括処理する装置 ◼ 枚葉トリートメント装置：ウェーハを１枚単位で処理する枚葉方式により成膜後の膜質を改善する装置 ◼ ALD：Atomic Layer Depositionの略 当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を 「ALD」と呼んでいます。 ◼ CVD:Chemical Vapor Depositionの略 ◼ CFET:Complimentary Field Effect Transistorの略 ◼ FinFET:Fin Field Effect Transistorの略 ◼ GAA:G
Slide 42: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION and its Affiliates Proprietary Copyright © KOKUSAI ELECTRIC Corporation 2026. All
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