Ulvac, Inc. · TSE:6728
Ulvac — Investor Day (2023)
53 slides from Ulvac's investor day presentation, 2023
Slide 1: IR Seminar greeting
本日はお忙しいところ、株式会社アルバックのIRセミナーにご参加いただきありがとうござ います。 私は、理事IR部長の梅田です。 1
Slide 2: Agenda and presenters
本日は、アジェンダに記載の通り、 EVバッテリー用両面蒸着巻取装置の市場動向とビジネス展開について FPD事業部長の磯、R2R Group 部長の山本、先進技術研究所 真空応用技術研究部 部長の武井よりご説明します。 続いて、次世代パワーデバイスの市場動向と当社の取組について 電子機器事業部長 岩井よりご説明します。 2
Slide 3: New mid-term plan and market background
アルバックは本年8月に新中期経営計画を公表しました。 26年6月期には、売上高3,000億円、営業利益480億円を目指す計画です。 スマート社会化・デジタル化・メタバースなどに生成AIの活用が加わり、中長期的にデー タ量・解析量・通信量の飛躍的な増加が見込まれ、サーバー、センサーや各種デバイス 需要が増す一方、電力使用量も増加するため、グリーンエネルギー化・エネルギー効率 向上等が求められます。 グリーンエネルギー化と両立させるためには、パワーデバイスの効率性向上、半導体の微 細化、バッテリーの効率性向上などが求められます。 3
Slide 4: Battery and power device order growth
こうした中、19年6月期に初めて参入できたロジック分野とメモリ、そして各種電子デバイ スと共に、バッテリー関連とパワーデバイスが今後の成長を牽引します。 バッテリー関連は前年度４Qから投資が本格化し１Qは年間計画170億円のうち140 億円を受注する勢いとなっています。 また、パワーデバイス投資も１Qに集中し、年間計画300億円の約半分の150億円を 受注しました。 これは、世界の工場と言われる中国でいよいよパワーデバイスを国産に置き換える動きが 本格化し、投資が活発化していることに加えて、日本でも主にEV向けにSi-IGBTから SiCにシフトする投資が活発化していること、の2つの要因で大き
Slide 5: ULVAC's contribution to green energy
アルバックは、ウエハー・ガラス・プラスティックフィルムなど様々な基板に対する真空薄膜技 術でスマート社会・デジタル社会の実現に貢献する共に、微細化・高性能化・低消費 電力化等によりグリーンエネルギー化・低消費電力化にも貢献しています。 本日ご紹介するバッテリーのアルミ箔の両面蒸着膜への置き換えやパワーデバイスも グリーンエネルギー化や低消費電力化に大いに貢献する技術となっています。 第一部の「EVバッテリー用両面蒸着巻取装置の 市場動向とビジネス展開」についてご 説明します。 第二部では「次世代パワーデバイスの市場動向と当社の取組」について、ご説明します。 5
Slide 6: Part 1: EV battery double-sided deposition equipment
6 アルバックFPD事業部長の磯と申します。 本日は、EVバッテリー用装置ビジネスの拡大にむけて新設したR2R Group、Group長 である山本と、先進技術研究所の部長の武井の3名で、「EVバッテリー用両面蒸着巻 取装置の市場動向とビジネス展開」について紹介します。
Slide 7: Session overview
本日の概要でございます。 まずはじめに、なぜ蒸着膜か？という疑問に対して、EV及びEVバッテリーが急拡大する中、 バッテリーが抱える安全性向上・小型軽量化・コスト低減・環境負荷低減という技術課題 の解決策として、蒸着膜が貢献することを説明します。 その後、本市場のビジネス展開として、正極集電体を従来のAL箔からAL両面蒸着膜に 置き換える動きの本格化、正極側の両面蒸着膜を起点とした、負極集電体や負極といっ た他のバッテリーレイヤーへの蒸着技術の拡大、を紹介します。 7
Slide 8: Carbon neutrality and the shift from gasoline vehicles
本セッションの背景ですが、地球温暖化の対策として、各国が「カーボンニュートラル」目 標値を定め、脱ガソリン車の流れが決定的となっております。 8
Slide 9: EV market growth and battery demand
このような背景のもと、22年から30年にかけてのEV市場の年平均成長率は25%を示 し、EVバッテリーの需要は8倍に増加するとの見通しが示されています。 9
Slide 10: Battery performance roadmap and vacuum deposition
こちらはバッテリーの高性能化にむけてのロードマップになります。 現在主流となっているLiBには、これまで真空技術は使用されてきませんでした。 昨今、現行バッテリーの性能改善や全固体電池等に代表される次世代バッテリーへの 展開にむけて、バッテリー部材そのものの在り方が見直され始めており、次世代型バッテ リー部材の製造技術として、真空蒸着技術に注目があつまり、一部部材では採用が始 まっております。 なぜバッテリー市場で、真空蒸着が注目されているのか、ここからご説明します。 10
Slide 11: Four technical challenges of EV batteries
EV市場の拡大にあわせ急拡大しているEV用バッテリーですが、４つの大きな技術的課 題を抱えています。 １つは安全性の向上です。過去にもEV用バッテリーの発火事件の発生や、巨額のリ コール問題に発展するなど、使用者にとっても製造メーカーにとっても、重大な課題となっ ています。 ２つめは、EVの走行距離の延長や、ドローンやEVTOLなどの航空用途への用途拡大 にむけて、「より小さく・より軽い次世代バッテリー」＝「重量あたりの蓄電容量が大きな バッテリー」が必要となっています。 また、EVの価格を下げるには車両コストの40％を占めるバッテリーのコスト低減も課題で あり、「NET ZERO」の実現にむ
Slide 12: ULVAC battery strategy
これらのバッテリ―部材への真空蒸着技術の採用にむけた、当社のバッテリー戦略を説 明します。 バッテリーの正極集電体CCCについては、私たちが従来保有していた、フィルムキャパシタ 市場むけR2R蒸着技術を応用することで、すでに蒸着技術開発および装置開発を完 了させ、事業化段階に入っており、すでに複数の材料加工メーカーに当社設備をご購 入いただいております。 今後の方向性として、正極集電体の技術を起点とし、集電体市場において正極ALか ら負極Cuへ両面蒸着技術を拡大、また、負極材料にも対応領域を拡大していくことで、 中長期的な成長を目指します。 このあと、正極集電体CCCに関してR2Rグループ長の
Slide 13: Why double-sided deposition film CCC
それでは、R2Rグループ長の山本から、「なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？」 について説明します。 13
Slide 14: Reason 1: battery safety
両面蒸着膜CCCが注目されている理由の一つ目は、LiBの安全性向上です。 両面蒸着膜集電体を使うことで、ヒューズの役割となり電池内部でショートの発生を抑 制できることです。 現在主流の金属箔集電体は釘などが刺さりACCとCCC間でショート現象が発生した場 合、電流の伝達を阻むことができず発熱し、熱暴走が発生します。 一方、PETなどの樹脂フィルムを使った両面蒸着集電体を用いた場合、釘などが刺さっ てACCとCCC間でショート現象が発生して過電流が流れて発熱したとしても、両面蒸着 集電体では金属層の厚さが薄く、樹脂フィルムが熱に弱いため、バッテリーが燃焼するま えに樹脂フィルムが溶けてしまいます
Slide 15: Reason 2: smaller and lighter batteries
両面蒸着膜CCCが注目されている理由の２つ目は、LiBの小型・軽量化です。 ここでは1MWhあたりのバッテリーのACC/CCCの重量とエネルギー密度を例に示します。 従来のLiBで使われている銅箔とアルミニウム箔の集電体の重さは電池重量の約1/4を 占めます。 両面蒸着膜集電体に置き換えることで、ACC/CCCそれぞれの重量が50-60%程度 低減します。それにより、電池全体の重量としては約15%軽くなり、重量当たりの蓄電 容量であるエネルギー密度は約18%蓄電容量が増加します。これにより電気自動車の 走行距離の向上に効果があります。 15
Slide 16: Reason 3: lower material cost
両面蒸着膜CCCに注目する３つ目の理由は、部材コストの低減です。 現在の金属箔集電体は主に圧延法で作られた圧延AL箔とメッキ法で作った電解銅箔 が用いられています。金属箔は厚さが4.5~10μmが一般的に使われており、 これより薄くするとハンドリングが難しく生産性が悪化するのが問題です。 これらの製法に比べて、両面蒸着集電体は樹脂フィルムの両面に真空蒸着で金属の 薄膜を形成するため、金属層を薄膜化することができ、材料を削減できます。 また、真空蒸着は他の製法に比べてフィルムの幅を広くすることが容易であり、そのため 生産性が高く、製造コストを低減することができます。 16
Slide 17: Reason 4: greenhouse gas reduction
両面蒸着膜CCCが注目されている理由の４つ目は、環境課題への貢献として温室効 果ガスの削減効果です。 EV製造時のCO2排出量は、バッテリーが半分以上を占めています。さらに分解するとそ の1/3が集電体の銅箔、アルミ箔となっています。アルミ箔はその製造工程の圧延法で は多くの電力を使用するため、これを両面蒸着集電体に置き換えることで金属材料使 用量を削減でき、CO2削減にも貢献できると考えています。 17
Slide 18: ULVAC's differentiating technology
以上の理由から、アルバックではこれまで培ってきたR2R技術を活かし、両面蒸着膜 CCC市場に新たな差別化技術を盛り込んだ製品を提供しています。 これまでのアルバックのバックグラウンド技術としては、スパッタ方式より10倍速い高速成 膜技術とポテトチップスの袋の1/30の厚さの、約2μmの薄フィルム搬送により、EV用の 高容量フィルムキャパシタ製造用AL蒸着R2R装置でNo.1のShareを持っています。 LiB向け両面蒸着膜CCC製造装置ではこれらの技術に、独自の技術で両面一括蒸 着とフィルムキャパシタの50倍の厚さの膜厚のアルミ蒸着技術を付与したことで、競合 メーカを上回る生産性と高品質CCC
Slide 19: CCC/ACC market and equipment demand
ここまで両面蒸着膜の期待感と我々の差別化技術について説明してきました。 我々は両面蒸着膜CCC/ACC市場およびその成膜装置市場はEVの市場成長率以 上に急成長すると考えています。両面蒸着膜CCC市場は2027年には100億m2, 両 面蒸着膜ACC市場は約200億m2の需要になると考えています。このときに世界で必 要とされる蒸着装置の台数は合わせて1900台にもなる試算です。市場成長率として は300%となります なお、成膜装置1台でできるEVは年間1万台生産できるので、1000万台以上のEVの 生産となると予測しています。 我々の両面蒸着膜ACCへの取り組みについては武井から説明します。
Slide 20: Why double-sided deposition ACC
先進技術研究所の武井と申します。まず、ACCの両面蒸着膜が注目される理由を説 明します。 CCCで説明した左の４つの理由に加え、利用資源の削減が期待されます。 銅は2025年以降、原材料の供給不足が予測される貴重な資源の一つです。 現在のバッテリーには6μm以上の電解銅箔が用いられますが、両面薄膜にすることで 50%以上削減することができ、課題解決策として期待されています。 20
Slide 21: Copper deposition ACC development plan
現在の両面薄膜のACCは樹脂フィルムの両面にスパッタでシード層を形成したのち銅 メッキすることで製造試作されています。しかし、この製法ではコストがUPしてしまうという 課題があります。 そこで我々は先ほど紹介したAL両面蒸着の技術を応用し、銅の両面蒸着膜製造装 置を開発し、利用資源の削減とコスト削減、両方の観点で価値を提供することを目指 しています。 この開発は今年度小型実験機を用いた基礎評価を終え、来年度実機相当の応用評 価、2025年度には製品展開する計画です。 21
Slide 22: Lithium metal anode
次に、次世代の負極として注目されるリチウム金属負極について説明します。 Li金属負極を適用することで、バッテリーの更なる小型軽量化に貢献できます。 先ほど説明しました既存の液系LiBや両面蒸着膜CCC/ACCを適用したLiBの負極に はグラファイト負極が用いられ、1MWh当たりの負極重量は、1200kgに上り、バッテ リーの約1/3の重量を占めております。 このグラファイト負極からリチウム金属負極に転換すると負極重量を約40分の1に削減 することが可能であり、結果、電池のエネルギー密度を現行の約2倍に向上することがで きます。 22
Slide 23: Metal foil transport for lithium deposition
昨年度のセミナーにおいて、リチウム金属負極の生産技術課題に触れており、今回は代 表的な進捗について説明します。 リチウム金属負極の生産技術課題の一つとして、真空中における銅箔、金属箔の搬送 があります。 CCCの製造で用いられるようなポリマーフィルムの搬送技術を、物性の異なる金属箔搬 送にもちいると、真ん中の写真のように外観異常が発生してしまいます。 今年度、我々は金属箔搬送に必要な技術を習得しており、こちらのように外観異常な くリチウム蒸着膜を金属箔上に形成することができています。このリチウム蒸着膜をバッテ リーのリチウム金属負極として用い、次世代バッテリーの評価を行っております。 23
Slide 24: Lithium anode battery performance and summary
リチウム金属負極を適用したバッテリーについて少しご紹介いたします。 このグラフは縦軸にエネルギー密度、横軸に電池の寿命に相当する充放電可能回数を 示しております。我々のリチウム蒸着膜を負極に採用した電池はR＆Dlevelでは 500Wh/kgを超える性能を得ることができています。こちらは、日経産業新聞に早稲田 大学様との共同評価の成果として紹介されております。これから電池メーカーや大学・研 究機関などの産学連携により、こちらの次世代EVに搭載するバッテリーへ応用できるよう にグリーンイノベーション基金事業を通じて開発を継続していきます。 バッテリーについて、まずはアルミ蒸着膜の正極集電体が安全
Slide 25: Part 2: Next-generation power devices
電子機器事業部事業部長の岩井です。 本日は「次世代パワーデバイスの市場動向と当社の取組」について紹介します。 25
Slide 26: Presentation outline
本日の発表のアウトラインになります。 まず始めにパワーデバイスの動作、用途などについて簡単に説明します。 26
Slide 27: How power devices work
パワーデバイスの特徴は、左の機械式スイッチでは物理的に接点が動いて電流の切り替 えを行うのに対して、パワーデバイスは電気信号のON/OFFで切り替えを行えることにあ ります。駆動部がないため小型で高速に大電流を流すことができ、あらゆる分野で活用 されています。 世界の電力需要の半分はモーターを回すために使われていると言われており、省エネ化 にはパワーデバイスは極めて重要となります。 27
Slide 28: Power devices in EVs
パワーデバイスがどのように使われているかを、EVを例にとって説明します。 交流である家庭用電源から、直流であるバッテリーへ充電する際、交流を直流に変換 する必要があります。よって、コンバーターと言われる交流ー直流変換回路が使われます。 走行時は、バッテリーの直流の電気を交流モーターで使用するため、インバーターで直流 を交流に変換します。コンバーターもインバーターも複数のパワーデバイスや電子部品を 組み合わせて作製されています。 EV用途では、直流から交流に変換を行うインバーターが約8割とパワーデバイスの主な 役割になっています。 28
Slide 29: EV market and SiC substrate demand
EV市場は環境対策や各国の規制もあいまって大きな市場の拡大が見込まれます。 23年は1,300万台程度ですが、25年には2000万台超、30年には6000万台近くま で増加しつづけると予測されており、これに伴ってEV用のパワーデバイス需要も飛躍的に 拡大する見込みです。 弊社の予測では、25年には月産100万枚、30年には月産300万枚規模のSiC基板 が必要になると見込んでいます。 29
Slide 30: Power device materials: Si, SiC, GaN
EV市場の拡大、低消費電力化や小型化などの市場ニーズなどにより、パワーデバイスの 技術革新が進展しています。 パワーデバイスの基板材料は、従来のシリコンから、SiC、GaNへと技術革新が進んでい ます。家電などの比較的小電力の用途には、主にシリコンが使われています。しかし、電 車、太陽光や風力発電など大電力が必要な用途では、シリコンからスイッチ切り替え時 の発熱が少なく電力ロスが少ないSiCが使われています。 EV用途では現在、シリコンとSiCの両方が使われていますが、高価格製品では小型で 電力ロスの少ないSiCが採用されています。 GaNは小型化できるメリットを活かして一部の電気製品に使われ
Slide 31: Power device market size and trends
次にパワーデバイスの市場規模、トレンドについて説明します。 31
Slide 32: Market by device type and investment trends
Si MOSFET・IGBTは活用分野も広く、市場規模は大きいものの、成長率はそれほど 大きくありません。 一方、EV需要の高まりもあり、近年はSiCへの投資意欲が拡大しています。25年頃か らSiCの8インチ化が進み、コスト面での改善も進むと予想されているため、あしもとのパ ワーデバイス投資の中心はSiCへシフトしてきています。成長率が最も高いのはGaNです。 5年後以降に市場規模も大きくなると予測されています。 我々装置メーカーの目線で見ると、デバイスの増加分が新規設備投資となり、デバイス 増加の2年～3年前に設備投資が行われます。足下はSiC装置の投資が伸びており、 続いてGaN装置が伸
Slide 33: Regional market growth
地域別にみると、国産化政策とEV化の進展が牽引する中国の市場規模と成長が最も 大きくなっています。 右側のグラフは、材料別に見た、各地域の成長率です。SiC、GaNともに中国が大きく 伸びると予測されています。 アルバックは成長する中国のSiC市場において、イオン注入装置で高いシェアを確保して おり、今後も大きく成長できると考えています。 33
Slide 34: Substrate size and planar vs trench structures
市場規模の大きい中国では、基板サイズは6インチ、デバイス構造はプレーナが主流で す。日本では足下は6インチでの投資となっていますが、今後は、8インチ基板、トレンチ 構造への移行が進みます。 数年後には中国でも8インチ、トレンチ構造への移行が進む見込みで、日本での実績が 重要視されると考えています。 アルバックでは、既にSiCの8インチ用スパッタリング装置・イオン注入装置のラインアップを 揃えています。基板が大きくなると、基板の反りも大きくなり、基板の反りの抑制や反りの ある基盤を搬送する技術等が重要となります。 プレーナ構造とトレンチ構造のデバイスの違いについて説明します。 プレーナは製造工程
Slide 35: SiC manufacturing process and ULVAC strengths
次に現在急成長しているSiCパワーデバイスについて、製造工程の概要と製造工程にお ける課題、アルバックの強みについて説明します。 35
Slide 36: SiC power device manufacturing process
SiCパワーデバイスの製造工程の概要です。先ほど説明したトレンチ構造の例になります。 洗浄などのウェット工程や露光などのリソグラフィ工程は省略していますが、SiCパワーデバ イスの製造は半導体の前工程が転用されているため、多くの工程で真空装置が使用さ れています。 この図でピンク色の四角枠で示されている工程は、アルバックが提供している真空装置に なります。イオン注入装置、スパッタリング装置、エッチング装置、PECVD装置など、競 合他社と比べてすべての真空装置を提供できることが強みになります。 36
Slide 37: SiC manufacturing challenges
SiCの場合、基板が堅いため、複数回のイオン注入が必要で、かつイオン注入温度もプロ セスによって変える必要があります。よって生産性を高めることが課題となります。 ・SiCは基板が高価で、反りが大きいため、反りの抑制や反り基板でも割れないように搬 送する技術が重要となります。 ・トレンチ構造は、特にエッチング時の加工形状制御もデバイス特性にとって重要です。 アルバックはこれらの課題を解決するため、お客様の声を聞き、技術開発を行い、技術革 新でお客様の期待に応えています。 37
Slide 38: SiC equipment lineup and strengths
SiC向け装置ラインアップと強みについて説明します。 38
Slide 39: SiC challenges and ULVAC products
この図は左から、SiCの最終製品、課題、その課題を解決するキーテクノロジー、前の ページで説明しました製造課題、その課題を解決するアルバックの製品を示しています。 それぞれの装置について、詳細を説明します。 39
Slide 40: Ion implanter
まずはイオン注入装置ですが、電気自動車の場合、小型化・高出力化・電力ロス低 減・低コスト化などの課題を解決する必要があります。 イオン注入装置では、低温での注入に加え、高温での注入や半導体レベルでの生産技 術、ウエハサイズアップへの対応などが求められます。 40
Slide 41: Ion implanter strengths
SiCの場合、高温と低温で複数回のイオン注入が必要になりますが、他社装置は、高 温と低温の切り替えの際、セッティング変更が必要となり、ダウンタイムが発生するため、2 台以上の装置が必要となります。 アルバックのイオン注入装置は、高温・低温の切り替えをレシピの設定で簡単に行うこと ができるため、1台で高生産性を実現しています。高エネルギーから低エネルギー領域ま での複数のプロセスを1台でカバーできるということで高く評価いただき、SiCで先行する中 国市場で7割以上のシェアを確保しています。 また、反り基板や薄い基板にも対応した高い搬送信頼性を有していることも強みとなっ ています。 さらに、SiC
Slide 42: Ion implanter details
SICNI-FN4AALPINYIORR RAEMRI SED OF 5 ere | TIMARE (BAIL—TY b) FAR - inn ANY FRE 42 ULVAC RISANYSUY FARB(COW CHHALET. 42
Slide 43: Sputtering equipment strengths
アルバックのスパッタリング装置の主な特徴は、反り基板や薄い基板にも対応した高い搬 送信頼性を有しており、また応力制御による基板の反りコントロールができることです。 Si基板はほぼ平坦ですが、SiC基板は反りが大きく、安定して搬送することが難しいとい う課題がありました。 アルバックのこれまでの技術開発により、他社と比較して反りの大きな基板の搬送や反り をコントロールできるることが優位点となっています。 43
Slide 44: Sputtering equipment details
SICNI-FN4AALPINYIORR RAEMRI SED OF 5 ere | TIMARE ere hil (39> FMI) 4 ¢ FAR - inn (BAIL—TY b) CRaoL) AL AIL ET o4 IyF > 7Re 44 Be S(CLyF > FAR B(COWCHRIALET. 44
Slide 45: Etching equipment strengths
先ほど、トレンチ構造にすることによって、チャネル抵抗すなわち電力ロスを低くすることが でき、小型化を実現するには、製造工程が複雑で、高度なプロセス技術・ノウハウが必 要となると説明しました。 トレンチ構造を実現するためには、エッチング技術の加工形状制御によるデバイス特性の 向上がキーとなります。トレンチ側壁部はエッチングのダメージがあるとデバイスの信頼性が 低下してしまいます。 しかし、アルバックのエッチング技術により、側壁を平滑に加工をすることが可能です。 また、トレンチ底の角部は電界が集中し、デバイスの絶縁破壊電圧が低下するという課 題があります。 これもアルバックのエッチング技術で、角部
Slide 46: Summary of ULVAC equipment strengths
これまでご紹介したアルバックの装置の強みを整理しています。 イオン注入装置、スパッタリング装置、エッチング装置の他に、中国のミドルエンドからロー エンドのパワーデバイス用の蒸着装置も現地生産で対応しています。 46
Slide 47: GaN initiatives
次に、次世代パワーデバイスとして研究開発が,盛んに行われているGaNに対する、アル バックの取り組みについて説明します。 47
Slide 48: GaN challenges and ULVAC technology
GaNの課題とアルバックの装置・技術について整理したものです。 詳細については次のページ以降で説明します。 48
Slide 49: GaN device applications and etching
GaNNI-FN4AMUGRBS1Yty7 RF Communication LED/Laser YAF LOMB BO CWS RAEMRI SED OF Fa Ar BEORA VOC) (Si x>—DwE) TIMARE PUNY TA TSERHCH FAR - inn IyFLISE (uGmni-200E) 49 Dd IYF>IREICOWUT anBALES 49
Slide 50: Lateral vs vertical GaN devices
左の表は、現在量産されている横型と、次世代のデバイスとして研究開発が行われてい る縦型について説明したものです。 縦型では大電流が流せるようになるため、１章で説明した出力の比較的小さい電気製 品以外にも、高出力向けの用途が広がることが期待されます。アルバックでは、縦型向 け装置開発にも取り組んでいます。 名古屋大学様と連携で開発を行った成果は学会にて発表されています。 アルバックのエッチング技術で、各部の加工形状制御を低ダメージで対応できます。 よって、デバイスの特性を向上させることで評価をいただいております。 50
Slide 51: GaN sputtering equipment
GaNNI-FN4AMUGRBS1Yty7 RF Communication LED/Laser VAT LOMB ISD CWS RA BBAMERI SID OF-77/035— 5 ere | = =—s AARHE BEORA VOC) (Si x>—DwE) TIMARE PUNY TA TSERHCH FAR - inn FRE (SEGul) 51 RlSGANMUIANYIV> TBO MACS. 51
Slide 52: Sputtering advantages and power device summary
こちらはGaNを成膜可能なスパッタリング装置になります。従来はMOCVDのプロセスで 成膜されていました。スパッタリングに変更することにより最小源の原料で成膜が可能とな ります。 MOCVDでは化学的な成膜を行うためにガスを活用し、そのガスを無害化するために必 要な除外設備が必要です。スパッタリング装置の場合は特殊なガスを使わないため、除 外設備も不要となります。 またＭOCVDと比較して低温で成膜できるため、デバイスへの熱履歴が小さく、かつ高移 動度のn型GaN薄膜が形成できるメリットもあります。 スパッタリング装置には、設備コストを抑え、環境にも優しいなどの優位性があり、GaNの 活用が本
Slide 53: ULVAC closing
R277/0O>-T ID< 3] @D<S ULVAC 53