IntelliEPI Inc. (Cayman) · TPEX:4971
IntelliEPI Inc. (Cayman) — IntelliEPI — Conference Presentation (July 2013)
26 slides from IntelliEPI Inc. (Cayman)'s conference presentation, July 2013
Slide 1: IntelliEPI 4971
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Slide 2: 簡報大綱
簡報大綱 公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 2
Slide 3: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 • 成立時間:1999年1月1日 Facility Photo • 董 事 長:康潤生 • 總 經 理:高永中 • 實收資本:新台幣2.59億元 • 員工人數: 45人 • 公司地址: PO Box 309, Ugland House, Grand Cayman, KY1-1104, Cayman Islands 美國德州二廠 • 工廠地址:美國德州,1250 E. Collins Blvd., Richardson, TX, USA • 商業模式:三五半導體磊晶晶片代工製造廠 • 主要產品: * 砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)磊晶晶片 微波通訊(手機、平板、Wi
Slide 4: 公司簡介-經營理念
公司簡介-經營理念 • 使命: 尖端科技磊晶材料服務提供者 • 遠景: 全球化的卓越公司,產業的領導者及產品的創新者 • 經營理念: 以「誠信」員工為核心,以「創新」(Innovation)、「品質」(Quality)、 「增加價值」(Value Addition)及「利潤成長」(Profitable Growth)形成的 「營運矩陣」策略,追求營利之餘,扮演企業公民角色,產製符合綠色環保產品, 回饋社會、投資人、及員工。 4
Slide 5: 公司簡介-全球據點
公司簡介-全球據點 據點 照片 開始時間 面積與用途 功能 優勢 美國德州李察森市 總部 北美最大MBE磊晶片生產工廠 總面積23,000 平方英尺. 2002 磊晶生產 全球磷化銦銻化鎵磊晶片代工領導 生產區面積13,000平方英 無塵室產品測試 廠商 尺 美國德州亞倫市 8,000 平 方 英 尺 100 to 銻化鎵長晶 提高產能以因應生產高峰時所需 2011 10K 無塵室 切片研磨拋光 MBE機台未來擴充產能 台灣台北市 台灣市場客戶服務 靠近台北市東區金融特區可就近服 2013 1,000平方英尺辦公室面積 投資人關係 務投資人與客戶 上市相關事宜 中國天津市 基板再生 砷化鎵磷化
Slide 6: 公司簡介-主要里程碑
公司簡介-主要里程碑 101年10月US-Allen二廠長出第一支4吋銻化鎵晶棒 101年8月與美國量測大廠A公司簽訂總產值約新台 幣數億之5年獨家供應InP HBT磊晶片合約 100 年4月成立本公司作為集團之控股公司 100 年1月榮獲2010年世界最大的III-V半 導體公司,S公司年度最佳供應商獎,(準 99年10月成立日本子公司以服務主要客戶 時供應、零缺點、優良客戶支援服務) 96年2月ISO 9001- 2000品質管理系統認證 99年10月獲美國陸軍合約開發尖端銻化鎵第二型紅外線偵 測磊晶結構 98年4月成功做出銻化鎵/銻化銦磊晶等級基板 91年2月獲當時世界最大的 95年5月
Slide 7: . =aS4eXNX |...
. =aS4eXNX |... @inteie?/ Aodliist-s<seK Pe. SAMAR UR SRE EL . SBE LAR EIR BLL Bo EAM RSL pa SEEN fResSenior Member of Technical Staff BTR CREE Toseph R. SHSNREAD LM 88.01.18 SESS Bd 30 ‘Thomason SEERA S GAIT SE ARE AL SHINAI EL pat Paul Pinsukanjana «88.02.01 AEA SIS RORA IEE RM Mende of Technical
Slide 8: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 8
Slide 9: 產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路
產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路 主要產品: • 砷化鎵(GaAs)假型高電子遷移電晶體(pHEMT)磊晶晶片 主要應用於手機開關市場:微波通訊(Wi-Fi、GPS、衛星) mm 0.25 Base Emitter Collector 新市場機會:(>10G)超高頻應用通訊元件 • 磷化銦(InP)異質接面雙極電晶體(HBT)磊晶晶片 主要應用於高頻光纖網絡、高頻量測儀器元件 新市場機會:雲端計算、資料庫、資料傳遞 9
Slide 10: 產品應用領域介紹-銻化鎵(紅外線探測器、熱光伏電池)
產品應用領域介紹-銻化鎵(紅外線探測器、熱光伏電池) 主要產品: • 紅外線探測器磊晶晶片(探測器,聚焦平面列陣(FPA)、熱光伏電池) 主要應用於保全、防疫、國土安全、太空科技 取代II-VI化合物既有市場 • 大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料(4英寸至6英寸) 7in銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣(FPA)紅外 聚焦平面列陣(FPA) 4in 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 T2SLS epi-structure 10
Slide 11: 產品應用領域介紹-光電元件
產品應用領域介紹-光電元件 主要產品: • 面射型雷射(VCSEL)磊晶晶片 主要應用於資料通訊 • 光通訊用光接收器磊晶晶片(PIN和APD) 主要應用於光纖網路、資料庫和雲端運算 11
Slide 12: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 12
Slide 13: 市場概況介紹–全球III-V磊晶片市場
市場概況介紹–全球III-V磊晶片市場 • 全球砷化鎵磊晶市場規模每年約美金四億元($400 Million)MBE占40%,MOCVD占 60% • 3G/4G及智慧手機市場,無線寬頻,及汽車防撞雷達 增加砷化鎵磊晶片商機 • MOCVD 超過99%的MOCVD磊晶片(手機PA)已由專業代工廠提供,無大幅成長空間 • MBE 相當數量的磊晶片來自於晶片元件廠自供,未來代工訂單釋出機會大,專業代工廠有大幅成長 空間 世界上僅存兩家專業磊晶片代工廠:英特磊IntelliEPI及IQE 磊晶片的大量需求將來自高頻射頻元件: 開關、WLAN功率擴大機、汽車防撞雷達 13
Slide 14: 市場概況介紹–英特磊全球營收比重
市場概況介紹–英特磊全球營收比重 • 北美市場佔營收80% ~ 90% • 日本市場主要來自資料通訊(datacomm)以磷化銦關鍵元件為主 1.0% 2012營收 6.8% 2012營收 北美 90.0% 2012 營收 0.6% 2012營收 據點位置 公司於全球主要市場均有據點,具備全球競爭能力 14
Slide 15: 市場概況介紹–英特磊營收成長動能
市場概況介紹–英特磊營收成長動能 砷化鎵磊晶片 • 砷化鎵IDM 廠商為降低成本,提高委外代工比重 • 三五半導體產業規模將隨智慧型手機(及平板電腦)市場需求而持續增長 • 具備提供高度客製化商品之彈性及導入量產之能力,MBE機台自行組裝維修能力,生產成本 具備絕對優勢 磷化銦磊晶片及光電元件磊晶片 • 高頻、高速網路之發展,將帶動三五半導體下一代產品應用主流: 高效能之磷化銦元件在 通訊市場具備高度發展優勢及潛能 • 持續在高頻量測設備磊晶片供應上提昇產出擴大營業額 • 具備與世界級客戶維持長期且良好之合作關係之能力(如Agilent 與 Finisar) 銻化鎵紅外線材料與磊晶片 •
Slide 16: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 16
Slide 17: 核心競爭優勢–智慧型分子束磊晶系統(Smart MBE)
核心競爭優勢–智慧型分子束磊晶系統(Smart MBE) • 美國專利智慧型磊晶層即時監控系統 • 即時監控元素通量、溫度,確保磊晶層成分、厚度、溫度之精確性 • 縮短產品開發、驗證時間 • 降低生產成本提高生產良率 17
Slide 18: 核心競爭優勢–硬體自主維修改良能力
核心競爭優勢–硬體自主維修改良能力 • 100%硬體自主能力(維修、零件、次系統設計組裝能力) • 次系統自主維修改良,延長機台使用週期 • 降低機台維修成本 • 縮短機台維修復機時間 18
Slide 19: 核心競爭優勢-自有磊晶技術研發能力
核心競爭優勢-自有磊晶技術研發能力 • 所有磊晶技術均係公司內部自行研發 • 研發至量產無缝接軌 • 累積深厚技術庫存,協助客戶進行高端研發 19
Slide 20: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 • 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ • 蘋果i-Phone、i-Pad 供應鏈大廠Skyworks Solutions 最佳供應商獎 • 高頻量測儀器大廠安捷倫科技(Agilent)獨家磊晶片供應商5年8億台幣合約 • 光通訊大廠Finisar面射型雷射供應 • 與國際大廠長期合作提供機台專用服務 • 美國國防合約開發尖端紅外線材料 20
Slide 21: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 21
Slide 22: 未來發展
未來發展 發展方向朝向高毛利及對MBE磊晶技術有優勢之產品 22 22
Slide 23: 簡報大綱
公司簡介 產品應用領域介紹 市場概況介紹 核心競爭優勢 未來發展 經營實績 23
Slide 24: 經營實績-營業收入及獲利
經營實績-營業收入及獲利 單位:新台幣仟元 營業收入 本期淨利 558,142 522,420 117,545 382,665 87,783 61,398 2010 2011 2012 2010 2011 2012 2010年 2011年 2012年 產品別 金額 比率 金額 比率 金額 比率 砷化鎵(GaAs)磊晶片 252,605 66.01% 323,622 61.95% 220,827 39.60% 磷化銦(InP) 磊晶片 65,336 17.07% 93,298 17.86% 224,967 40.30% 其他(包含銻化鎵、 20,792 5.43% 47,236 9.04% 25
Slide 25: 經營實績-經營效率
經營實績-經營效率 資產報酬率(%) 純益率(%) 股東權益報酬率(%) 每股盈餘(元) 4.53 3.59 2.91 0.23 25
Slide 26: IntelliEPI 4971
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