Slide 1: IRセミナー 2023
株式会社 アルバック IRセミナー 2023 2023年12月11日 本IRセミナー資料および説明は、技術的な目的で作成され たものではなく、投資家の皆様にご理解いただきやすいよう、 単純化している部分がありますことご承知おきください。 1
Slide 2: 本日のアジェンダ
＜本日のアジェンダ＞ I. EVバッテリー用両面蒸着巻取装置の市場動向とビジネス展開 P.6 FPD事業部 事業部長 磯 佳樹 2002年入社。FPD（事）蒸着・スパッタの技術者を経て、2012年からはPM・企画部門を 経験、 2023年よりFPD（事）事業部長 R2R Group 部長 山本 良明 2006年入社。FPD（事）レーザ・CVD・スパッタの技術者を経て、2021年からFPD（事） 開発部門長としてスパッタ・蒸着装置開発に従事、2023年より同事業部R2R Group長 先進技術研究所 真空応用技術研究部 部長 武井 応樹 2005年入社。先進技術研究所で2015年まで主にスパッタ
Slide 3: 中長期的に成長する半導体・電子デバイス・バッテリー市場
中長期的に成長する半導体・電子デバイス・バッテリー市場 「スマート社会化・デジタル化・メタバース」×「AI」×「グリーンエネルギー化」 半導体・各種電子デバイス・バッテリー：「技術革新」×「増産」 地域サプライチェーン構築（政府支援） データ量 解析量 AI 通信量 グリーンエネルギー化 エネルギー効率・蓄電効率アップ パワーデバイス バッテリー モバイル センサー AR/VRディスプレイ 各種電子デバイス スマートシティ スマートファクトリー スマートモビリティ スマートハウス 地域サプライチェーン構築 政府支援による工場誘致 3
Slide 4: 成長ドライバーの受注計画
成長ドライバー(パワー・各種電子デバイス、半導体、バッテリー)が成長牽引 成長ドライバーの受注計画 【単位：億円】 バッテリー ロジック メモリ 各種電子デバイス パワーデバイス 23/6期比 バッテリー › EV バッテリーの正極集電体のAl両面蒸着膜への置き換え投 資本格化（1Q集中） 1.6倍 4.7倍 1,600 ⇒ 今後の成長をけん引（26/6期300億超を見込む） 1,400 1Q達成度：39％ 1,200 1,090 1,000 941 800 600 426 449 293 › 日本・中国の6インチSiC投資が1Qに集中 400 200 パワーデバイス › 8インチSiC投資は
Slide 5: スマート社会・デジタル社会実現とグリーンエネルギー化を技術革新で支える
スマート社会・デジタル社会実現とグリーンエネルギー化を技術革新で支える 社会的課題解決 スマート社会・ グリーンエネルギー化 デジタル社会実現 低消費電力化 メモリ ロジック IC センサー・電子部品 パワーデバイス バッテリー 微細化/高性能化/低消費電力化 ウエハー ガラス プラスチック スパッタリング 蒸着 CVD エッチング・アッシング イオン注入 真空薄膜形成技術 コンポーネント マテリアル カスタマーサポート 5
Slide 6: EVバッテリー用両面蒸着巻取装置の市場動向とビジネス展開
EVバッテリー用両面蒸着巻取装置の 市場動向とビジネス展開 FPD事業部 事業部長 磯 佳樹 R2R Group 部長 山本 良明 先進技術研究所 真空応用技術研究部 部長 武井 応樹 Leading the World In Vacuum Technology 6
Slide 7: 概要
概要 本日は、EVバッテリー用 両面蒸着膜および製造装置の市場動向および EVバッテリー用R2R蒸着装置のビジネス展開を紹介 なぜ蒸着膜技術か？： EV及びEVバッテリーが急拡大する中、バッテリーが抱える安全性向上・小型軽量化 コスト低減・環境負荷低減という技術課題の解決策として両面蒸着膜が貢献 集電体(バッテリー構成部材のひとつ)を従来の金属箔から両面蒸着膜への置き換えが本格化 全固体電池を見据えた更なる需要拡大の可能性 今後のビジネス展開は？： 正極集電体用のアルミニウム(AL)両面蒸着装置の開発が完了、事業化フェーズに突入。 正極側の両面蒸着膜を起点に他のバッテリーレイヤ
Slide 8: 世界各国でEVシフト加速
世 界 各 国 で EV シ フ ト 加 速 - 2030年までにハイブリッド車を含む内燃機関 - 2035年までにガソリン車の新車販売を禁止 車(ガソリン/ディーゼル)の新車販売を禁止 (ハイブリッド車を除く) 各国がカーボンニュートラル目標値を表明 自動車産業大国は”脱ガソリン車” 2030-2035年以降：ガソリン車禁止の流れ - 2030年にゼロエミッション車を新車販売の50%へ - 2035年にガソリン車の新車販売を禁止 - 2035年までにカリフォルニア州でガソリン車の新車販売 (ハイブリッド車を除く) を禁止 8
Slide 9: EV・バッテリー市場
EV・バッテリー市場 ・ EV市場は22年から30年で年平均25%成長 ・ EVバッテリーは30年に22年対比で8倍（年平均30%成長）の見通し EVバッテリー 電気自動車用バッテリー市場の見通し (出典：SNE Research/SNE Analyst Day 2022) EV 9
Slide 10: 次世代EV用バッテリー技術および真空技術採用の動向
次世代EV用バッテリー(LiB)技術および真空技術採用の動向 EVバッテリーの高性能化にむけて エネルギー密度 ～300Wh/kg ~400Wh/kg ~500Wh/kg ~600Wh/kg 各種部材の高エネルギー化・薄型化が進む 正極集電体 正極 セパレータ・電解質 負極集電体 現行LiBは 真空技術不要 正極集電体 アルミニウム(Al)箔 12μm厚 6μm厚 4μm厚 正極 次世代LiB材料に LFP・NCM 高Ni化合物 硫黄 / 空気 セパレータ PP PP+セラミックコート 電解質 液系 真空技術を活用 ポリマー系 全固体 (硫化物系) 全固体 (酸化物系) 負極 黒鉛 黒鉛＋シリ
Slide 11: 次世代EV用バッテリー(LiB)の技術課題
次世代EV用バッテリー(LiB)の技術課題 課題１：安全性向上 ４つの技術課題の解決策として 電池内部でショート現象で発生する 正極集電体(CCC)等のバッテリー部材 熱暴走の抑制 への両面蒸着膜の採用が本格化 課題2：小型・軽量化 ULVACの目指す 液系LiB 走行距離の延長やドローンやEVTOLなどの バッテリー構造 航空用途への応用への期待 基本構造 両面蒸着膜ACC Cu/Polymer/Cu 課題3：部材コスト低減 ACC(Cu Foil) Anode バッテリーのコストが車両コストの Li負極 約40％を占める Separator Separator (Anode) Cathod
Slide 12: アルバックのバッテリー戦略
アルバックのバッテリー戦略 ・フィルムキャパシタ技術を応用した、両面蒸着タイプの正極集電体(CCC)製造R2R装置が事業化段階に。 ・両面蒸着膜タイプの負極集電体(ACC)への拡大により中期的な成長を目指す。 ・負極にも真空技術を応用。Li金属負極の製造技術を確立させ、長期的な成長を目指す。 FY2020 FY2021 FY2022 FY2023 FY2024 FY2025 フィルムキャパシタ ・極薄フィルム搬送技術 ・AL高速成膜技術 両面蒸着膜 正極集電体(CCC) ・AL厚膜成膜技術 両面蒸着膜 負極集電体(ACC) ・両面成膜 PET ・幅広フィルム対応 ・Cu厚膜成膜技術 4~6 μ
Slide 13: なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？
なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？ 理由１：安全性向上 理由2：小型・軽量化 理由3：部材コスト低減 理由4：GHG削減効果 13
Slide 14: 理由1：安全性向上
なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？ 理由１：安全性向上 電池内部でショートの発生を抑制できる 金属箔集電体 両面蒸着膜集電体 釘 釘 両面蒸着膜 ACC 電流 電流 樹脂フィルム ACC Anode Separator Cathode 両面蒸着膜 CCC 樹脂フィルム CCC 熱暴走が発生 樹脂フィルムが溶断することで燃焼防止 14
Slide 15: 理由2：小型・軽量化
なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？ 理由2：小型・軽量化 従来の銅箔とアルミニウム箔を両面蒸着膜に置き換えることで軽量化・高エネルギー密度化が可能 液系LiB基本構造 両面蒸着膜 ACC 両面蒸着膜ACC Anode Separator Cathode 両面蒸着膜CCC CCC 1MWhあたり 単位 液系LiB構造 両面蒸着膜採用 差分 ACC重量 kg 645 289 -55% CCC重量 kg 389 139 -64% その他電池重量 kg 2,966 2,966 0% 電池重量 kg 4,000 3,394 -15% エネルギー密度 wh/kg 250 294 18% 15 (出所
Slide 16: 理由3：部材コストの低減
なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？ 理由3：部材コストの低減 金属箔に比べて製造工程が少なく、広幅化が容易なため生産性が高く製造コストを低減 圧延箔(アルミ箔) 電解箔(Cu/AL) (真空)蒸着箔 圧延ローラ 陰極ドラム フィルム 陽極 冷却ローラ 電解槽 蒸発源 圧延箔 電解箔 蒸着箔 製造工程 圧延法 メッキ法 真空蒸着法 厚み範囲 6～100μm 4.5～140μm 0.05～3μm 最大幅 650mm 1380mm 1650mm→拡張性あり 生産難易度 長い生産サイクル 短い生産サイクル 真空設備 比較的複雑なプロセス 比較的簡単なプロセス 樹脂との密着性 16
Slide 17: 理由4：GHG削減効果
なぜ両面蒸着膜CCCに注目しているのか？ 理由4：GHG削減効果 EV製造時のCO2排出量はバッテリーが半分以上を占め、その1/3がCCC/ACC EV製造時の 車載バッテリー製造時の 両面蒸着集電体を使用時の CO2排出量 CO2排出量 車載バッテリー製造時のCO2排出量 CCC/ ACC 車体 CCC/ACC 電池 モータ その他 その他 20%削減 など (出所)IEA Global EV Outlook 2019を元に作成 ULVACにて試算 17
Slide 18: 両面蒸着膜CCC市場に対してのULVACの差別化技術
両面蒸着膜CCC市場に対してのULVACの差別化技術 両面蒸着膜CCC製造装置 フィルムキャパシタ製造装置 片面蒸着 高速蒸着 薄Film 両面一括 厚膜蒸着 7μm・m/min. 2μmフィルム 蒸着膜 ~1μm スパッタ:0.6μm・m/min シリコンウエハ:775μm 半導体：0.001μm ポテトチップスの袋:60μm キャパシタ:0.02μm テレビ:0.2μm 18
Slide 19: 両面蒸着膜CCC/ACCの市場感
両面蒸着膜CCC/ACCの市場感 EVの市場成長率(CAGR30%)以上に、両面蒸着膜CCC/ACC市場、CCC/ACC成膜装置市場は急成長の見通し CCC/ACC市場需要(億㎡) 成膜装置必要台数 300 1900台 成膜装置1台で EV 1万台を生産 250 (仮定) ・EV1台に100kWh搭載 ACC 200 ・100kWhにCCC1000m2必要 需要 1100台 ・装置1台のCCC年産目標1000万m2 150 CCC 需要 100 450台 50 30台 0 2023 2024 2025 2026 2027 19 複合集電体国際会議のデータを元にULVACで作成
Slide 20: なぜ両面蒸着膜ACCに注目しているのか？
なぜ両面蒸着膜ACCに注目しているのか？ 理由5：銅原材料の削減 理由１：安全性向上 銅原料需要 銅原料の 供給不足 建設中の銅鉱山 理由2：小型・軽量化 稼働中の銅鉱山 電解金属箔 両面薄膜 銅薄膜 理由3：部材コスト低減 1μm Cu箔 0.0054 0.0024 6μm 樹脂フィルム g/cm2 g/cm2 4.5μm 理由4：GHG削減効果 銅の使用量を50%以上削減 20
Slide 21: 両面蒸着膜ACCに対する取り組み状況
両面蒸着膜ACCに対する取り組み状況 金属箔 両面薄膜 両面蒸着膜 FY2023 FY2024 FY2025 銅メッキ 銅蒸着 銅 樹脂 樹脂 スパッタ 小型実験機 実機相当 実機 メッキ フィルム フィルム 基礎評価 応用評価 シード層 展開 フィルム 銅メッキ 銅蒸着 冷却 ローラ 銅厚み 6μm 1+1μm 1+1μm 蒸発源 ドライ ~15 ~20 ー 量産機 生産速度 m/min m/min 単一蒸発源 多連蒸発源 EWG-165 メッキ ~X ~5 (Cu) ー 生産速度 m/min m/min 製造コスト 1 1.5 0.6 製造コストはULVAC推定値 21
Slide 22: なぜリチウム金属負極に注目しているのか？
なぜリチウム金属負極に注目しているのか？ 更なる小型・軽量化 液系LiB基本構造 両面蒸着膜CCC/ACC グラファイト負極 ACC リチウム金属負極 Anode Separator Cathode CCC 1MWhあたり 単位 液系LiB構造 両面蒸着膜の採用 リチウム金属負極の採用 ACC重量 kg 645 289 289 CCC重量 kg 389 139 139 負極重量 kg 1,200 1,200 32 その他電池重量 kg 1,766 1,766 1,766 電池重量 kg 4,000 3,394 2,226 エネルギー密度 wh/kg 250 294 450 (出所)方正証券研究
Slide 23: リチウム金属負極の生産技術課題
リチウム金属負極の生産技術課題 真空中における銅箔搬送技術 銅箔上へリチウムを蒸着 従来のR2R装置は伸縮性の高い樹脂フィルムへ 金属箔搬送に必要な PET等基材で最適化した 成膜が一般的であるが、バッテリーの負極は、 搬送システムを使用 技術を導入 伸縮性が低くシワになりやすい金属箔へ成膜が必要 Li付Cu箔 Li付Cu箔 Li付SUS箔 (10μmt) (10μmt) (10μmt) リチウム金属負極 物性 銅箔 PET (Li/Cu) 伸縮性 7% 188% (伸び率) Li 1~10μm 150mm幅web小型R&D装置での基礎検証 Cu 6~10μm 23
Slide 24: ULVACの巻取蒸着技術が貢献する次世代バッテリー領域
ULVACの巻取蒸着技術が貢献する次世代バッテリー領域 Energy Density (Wh/kg) ULVACの目指す領域 600 ULVAC R＆D for HAPS, Drone Battery for New EV Battery Li Metal Battery 400 日経産業新聞 (Liquid type） Li anode for Solid state Battery Current LiB 200 2023年11月13日 dozens hundreds thousands Cycle 24 performance
Slide 25: 次世代パワーデバイスの市場動向と当社の取組
次世代パワーデバイスの市場動向と当社の取組 電子機器事業部 事業部長 岩井治憲 Leading the World In Vacuum Technology 25
Slide 26: パワーデバイスの市場動向と取組
１．パワーデバイスとは ２．パワーデバイスの市場規模、トレンド ３．SiCパワーデバイスの製造工程 ４．ULVACのSiC向け装置ラインアップ ５．GaNへの取り組み 26
Slide 27: あらゆる分野で活用されるパワーデバイス
あらゆる分野で活用されるパワーデバイス 機械式スイッチ パワーデバイス 電流 電流 遮断時 電気信号 OFF 電流 電流 導通時 電気信号 物理的な力 ON 駆動部分が無いため、小型、高速、長寿命 なスイッチ 27
Slide 28: パワーデバイスの役割（EVの例）
パワーデバイスの役割（EVの例） コンバーター • 家庭用電源 (オンボードチャージャー) 交流(AC) 交流 交流直流変換 コ コンバーター • コンバーター 家庭などの交流電源から 交 ン 直 流 バ 流 （オンボードチャージャー) 変換 (オンボードチャージャー) バッテリー充電用の直流 ー 電力に変換する回路 タ ー バッテリー • リチウム電池 どちらも複数の (リチウム電池) 直流 パワーデバイスや 電子部品を組合せ インバーター 作製される インバーター • インバーター 変換 直流交流変換 イ ン バッテリーの直流電力を 直 バ 交 流 モーター • 交流モーター 交流モー
Slide 29: パワーデバイス需要も飛躍的に拡大
パワーデバイス需要も飛躍的に拡大 EV市場見通し（万台） (出典：SNE Research/SNE Analyst Day 2022) 29
Slide 30: 進化するパワーデバイス
進化するパワーデバイス 10000 電車 SiC 1000 低 電力容量（kVA） 発電 EV 100 Si IGBT 10 GaN Si MOSFET 1 通信 家電 0.1 1k 10k 100k 1M 10M 動作周波数（Hz） 出所：「NEDO技術戦略研究センターレポート Vol.103」を元に弊社作成 Si SiC GaN 長所 低コスト 低電力ロス、小型 高周波動作、小型 30 短所 電力、動作周波数に上限 高価 高価、低電流
Slide 31: パワーデバイスの市場動向と取組
１．パワーデバイスとは ２．パワーデバイスの市場規模、トレンド ３．SiCパワーデバイスの製造工程 ４．ULVACのSiC向け装置ラインアップ ５．GaNへの取り組み 31
Slide 32: SiC・GaN市場の成長
SiC・GaN市場の成長 ($M) Si MOSFET ($M) Si IGBT 20,000 20,000 CAGR（22-27） CAGR（22-27） 15,000 ＋1.2% 15,000 ＋10.7% 10,000 10,000 5,000 5,000 0 0 2021 2022 2023F 2024F 2025F 2026F 2027F 2021 2022 2023F 2024F 2025F 2026F 2027F ($M) SiC ($M) GaN 10,000 1,000 CAGR（22-27） CAGR（22-27） 8,000 800 ＋38.8% ＋51.1% 6,000
Slide 33: 国産化政策で成長する中国パワーデバイス市場
国産化政策で成長する中国パワーデバイス市場 ($M) 日本 ($M) 中国 CAGR(2022-2027) 16,000 16,000 (％) 14,000 14,000 100 12,000 12,000 ■Si MOSFET ■Si IGBT ■SiC ■GaN 90 10,000 10,000 8,000 8,000 80 6,000 6,000 70 4,000 4,000 2,000 2,000 60 0 0 50 2021 2022 2023F 2024F 2025F 2026F 2027F 2021 2022 2023F 2024F 2025F 2026F 2027F 40 ($
Slide 34: 基板サイズアップと構造変化でビジネスチャンス拡大
基板サイズアップと構造変化でビジネスチャンス拡大 中国 日本 基板：6インチ 基板：6インチ → 8インチ 移行中 構造：プレーナ 構造：プレーナ → トレンチ 移行中 ※数年後には中国でも、8インチ基板 ※基板反り：6インチ 200um程度 トレンチ構造へ移行する見込み 8インチ 300-500um程度 プレーナ 構造 トレンチ 工程が単純 長所 チャネル抵抗が低い (50%↘) 小型化が可能 (20%↘) チャネル抵抗が高い 短所 工程が複雑 小型化に限界 34
Slide 35: パワーデバイスの市場動向と取組
１．パワーデバイスとは ２．パワーデバイスの市場規模、トレンド ３．SiCパワーデバイスの製造工程 ４．ULVACのSiC向け装置ラインアップ ５．GaNへの取り組み 35
Slide 36: SiCパワーデバイスの各工程に対して装置ラインアップ
SiCパワーデバイスの各工程に対して装置ラインアップ ＜表面工程＞ ※各工程の（）内は、アルバックから提供可能な装置 N+注入 Al+注入 Carbon Cap Carbon Cap除去 SiO2マスク成膜 (イオン注入) (イオン注入) (SP/CVD, ANL) (Etching) (PECVD) SiO2-HM加工 Source電極形成 (Etching) SiO2成膜加工 (Sputter/Etching) SiCトレンチ加工 ゲート電極加工 (Etching) (Etching) (PECVD/Etching) 同業他社の装置ラインアップ ＜裏面工程＞ ULVAC A B C イオン
Slide 37: SiCパワーデバイスの課題解決に答えるアルバックの真空技術
SiCパワーデバイスの課題解決に答えるアルバックの真空技術 顧客の課題(VOC) Si SiC 課題 デバイス課題 1) イオン注入 １工程での １回 複数回 スループット 電界集中抑制 処理回数 (ラウンド加工) 2) 低ダメージ イオン注入 イオン注入濃度制御 常温 低温/高温 (平滑加工) 処理温度 スループット 応力制御 3) 基板反り抑制 (基板反り抑制) 基板反り 小（無し） 大 反り基板の搬送 不純物ドーピング 制御（高温注入） 4) 基板価格 低 高 搬送信頼性 半導体レベル 5) トレンチ構造 Si半導体の 新規開発が 生産技術 加工形状制御 への対応 実績転用 必要 Φ4”
Slide 38: パワーデバイスの市場動向と取組
１．パワーデバイスとは ２．パワーデバイスの市場規模、トレンド ３．SiCパワーデバイスの製造工程 ４．ULVACのSiC向け装置ラインアップ ５．GaNへの取り組み 38
Slide 39: SiCパワーデバイスとアルバックの貢献
SiCパワーデバイスとアルバックの貢献 システムの制約に 課題を解決するため アルバックに適応 最終製品 顧客の課題(VOC) なっている課題 のキーテクノロジー する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 デバイス設計 電界集中抑制 (Trench構造) (ラウンド加工) 小型化 電気自動車 低ダメージ イオン注入装置 低欠陥SiC基板 (平滑加工) 高出力化 充電ステーション 応力制御 基板薄型化 (基板反り抑制) 低損失 太陽電池 不純物ドーピング 高信頼性 スパッタ装置 コンバーター 制御（高温注入） 高温動作 半導体レベル 大口径化 生産技
Slide 40: SiCパワーデバイスとアルバックの貢献
SiCパワーデバイスとアルバックの貢献 システムの制約に 課題を解決するため アルバックに適応 最終製品 顧客の課題(VOC) なっている課題 のキーテクノロジー する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 デバイス設計 電界集中抑制 (Trench構造) (ラウンド加工) 小型化 電気自動車 低ダメージ イオン注入装置 低欠陥SiC基板 (平滑加工) 高出力化 充電ステーション 応力制御 基板薄型化 (基板反り抑制) 低損失 太陽電池 不純物ドーピング 高信頼性 スパッタ装置 コンバーター 制御（高温注入） 高温動作 半導体レベル 大口径化 生産技
Slide 41: イオン注入装置の強み
イオン注入装置の強み 高温/低温デュアルプラテンによる高生産性 切替時にセッティング 変更が必要 他 社 Down Time ⇒ ダウンタイムが発生 生産量確保には2台必要 ア 高温注入 低温注入 高温/低温の切替は ル バ レシピで即対応 ッ ⇒ 1台で高生産性を実現 ク IHシリーズ 広いエネルギー領域で複雑なSiCの工程にも対応 Si 注入処理は SiC エネルギーを変えて デュアルステージ搭載で高温＆低温の瞬時切 １回のみ 複数回処理必要 ① ③ り替えにより高生産性を実現 ━ イオン注入後の 濃度 濃度 ② ④ 不純物濃度分布 高エネルギーから低エネルギー領域までの ① ⑤
Slide 42: SiCパワーデバイスとアルバックの貢献
SiCパワーデバイスとアルバックの貢献 システムの制約に 課題を解決するため アルバックに適応 最終製品 顧客の課題(VOC) なっている課題 のキーテクノロジー する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 デバイス設計 電界集中抑制 (Trench構造) (ラウンド加工) 小型化 電気自動車 低ダメージ イオン注入装置 低欠陥SiC基板 (平滑加工) 高出力化 充電ステーション 応力制御 基板薄型化 (基板反り抑制) 低損失 太陽電池 不純物ドーピング 高信頼性 スパッタ装置 コンバーター 制御（高温注入） 高温動作 半導体レベル 大口径化 生産技
Slide 43: スパッタリング装置の強み
スパッタリング装置の強み 反り基板に対する搬送信頼性 SiC Si 反り(～数百um) ほぼ平坦 アルバックの技術により、反りの大きな基板の搬送にも対応 ⇒高価なSiC基板に対する高い搬送信頼性 uGmni-200S 応力制御による基板の反りコントロール 条件A 条件B 反りあり 43 SRH-420 反りなし
Slide 44: SiCパワーデバイスとアルバックの貢献
SiCパワーデバイスとアルバックの貢献 システムの制約に 課題を解決するため アルバックに適応 最終製品 顧客の課題(VOC) なっている課題 のキーテクノロジー する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 デバイス設計 電界集中抑制 (Trench構造) (ラウンド加工) 小型化 電気自動車 低ダメージ イオン注入装置 低欠陥SiC基板 (平滑加工) 高出力化 充電ステーション 応力制御 基板薄型化 (基板反り抑制) 低損失 太陽電池 不純物ドーピング 高信頼性 スパッタ装置 コンバーター 制御（高温注入） 高温動作 半導体レベル 大口径化 生産技
Slide 45: エッチング装置の強み
エッチング装置の強み 加工形状制御によるデバイス性能向上 一般的な処理 アルバックの技術を適用 p+ n+ n+ p+ p 側壁の p 平滑化 n- n- 角部の n+ ラウンド化 n+ アルバックの技術で形状を制御 ⇒ デバイスの特性向上 新プラズマ源：ISM-duoによる面内分布制御 uGmni-200E ■加工形状制御によるデバイス特性向上 （ラウンド形状、低ダメージ、側壁平滑化） ■６～8インチSiC搬送対応（反り/薄い基板） ■面内分布の制御 ■各工程(材料)で共通のプラズマ源で対応可能 45 ⇒ 顧客のプロセスに合わせて分布形状を制御可能
Slide 46: SiCパワーデバイス向け量産装置ラインナップ
SiCパワーデバイス向け量産装置ラインナップ Ion Implantation ・高温/低温プロセス1台で対応 Ion Plantation System ・広いエネルギー範囲 IH series ・８インチ基板対応 Sputtering Sputtering System ・反り基板搬送 SRH-420 ・膜の応力制御 uGmni-200S Dry Etching ・加工形状制御 Dry Etching System ・面内分布の制御 uGmni-200E ・共通のプラズマ源 Evaporation Vacuum Evaporation System ・低コスト ・コンパクト ei-5 46
Slide 47: パワーデバイスの市場動向と取組
１．パワーデバイスとは ２．パワーデバイスの市場規模、トレンド ３．SiCパワーデバイスの製造工程 ４．ULVACのSiC向け装置ラインアップ ５．GaNへの取り組み 47
Slide 48: GaNパワーデバイス向け装置ラインナップ
GaNパワーデバイス向け装置ラインナップ システムの制約に 課題を解決するため 顧客の課題(VOC) アルバックに適応 最終製品 なっている課題 のキーテクノロジー （装置メーカ対応） する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 低ダメージ加工 小型化 デバイス構造 極薄膜加工制御 エッチング装置 RF (高選択比/再現性) (uGmni-200E) Communication 高出力化 低欠陥基板 トレンチ構造 （矩形、平滑） 低損失 基板薄型化 Power Device 不純物ドーピング スパッタ装置 制御 (SEGul) 高周波 高信頼性 LE
Slide 49: GaNパワーデバイス向け装置ラインナップ
GaNパワーデバイス向け装置ラインナップ システムの制約に 課題を解決するため 顧客の課題(VOC) アルバックに適応 最終製品 なっている課題 のキーテクノロジー （装置メーカ対応） する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 低ダメージ加工 小型化 デバイス構造 極薄膜加工制御 エッチング装置 RF (高選択比/再現性) (uGmni-200E) Communication 高出力化 低欠陥基板 トレンチ構造 （矩形、平滑） 低損失 基板薄型化 Power Device 不純物ドーピング スパッタ装置 制御 (SEGul) 高周波 高信頼性 LE
Slide 50: GaNパワーデバイス用エッチング装置の強み
GaNパワーデバイス用エッチング装置の強み 横型GaN 縦型GaN GaN用エッチング装置の開発 状況：装置 開発完了 開発完了 -名古屋大学との連携- ：デバイス 量産中 プロセス調整中 「GaN トレンチ形成」について学会発表実施 Shinji Yamada et al., Appl. Phys. Lett. 118, 102101 構造 (2021); 電子(電流)が 水平 垂直 流れる方向 平滑な側壁 出力電流 小 大 垂直形状 プロセス難易度 中 難 2023.11.21 弊社シンポジウムにて コスト 低～中 高 左より 清田、 岩井、 名古屋大学 加地先生、 梅田 （使用基板） S
Slide 51: GaNパワーデバイス向け装置ラインナップ
GaNパワーデバイス向け装置ラインナップ システムの制約に 課題を解決するため 顧客の課題(VOC) アルバックに適応 最終製品 なっている課題 のキーテクノロジー （装置メーカ対応） する技術と商品 システム システム課題 キーテクノロジー デバイス課題 適用技術・商品 低ダメージ加工 小型化 デバイス構造 極薄膜加工制御 エッチング装置 RF (高選択比/再現性) (uGmni-200E) Communication 高出力化 低欠陥基板 トレンチ構造 （矩形、平滑） 低損失 基板薄型化 Power Device 不純物ドーピング スパッタ装置 制御 (SEGul) 高周波 高信頼性 LE
Slide 52: GaNパワーデバイス用スパッタリング装置の強み
GaNパワーデバイス用スパッタリング装置の強み ■成膜原料は Ga 、N2、 Ar と SiまたはGeのみ ■＜700℃の低温成長 ■高キャリア濃度 n-GaN [1.0E20(/cm3)] ■8インチ基板面内均一性 [＜±10%] MOCVD GaNスパッタ 成膜温度 1000℃超 700℃未満 除害設備 必要 × 不要 〇 ガスの無害化設備等 製造コスト 高 × 低 〇 結晶性 最良 ◎ 良 〇 キャリア濃度 1019 (/cm3) 1020 (/cm3) SEGul-200 〇 ◎ 52
Slide 53: BETO /OL-T
BETO /OL-T ID< 6] ZD<HB ULVAC