Intelliepi Inc. (cayman) · TPEX:4971
Intelliepi Inc. (cayman) — Investor Presentation (March 2016)
24 slides from Intelliepi Inc. (cayman)'s investor presentation, March 2016
Slide 1: IntelliEPI 4971
4971 (2 IntelliE€P/ Se 5 fa 2 Ay fn BR DO]
Slide 2: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 • 成立時間：1999年1月1日 Facility Photo • 技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室 • 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓 • 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA • 商業模式：三五半導體MBE磊晶晶片代工製造廠 美國德州二廠 • 主要產品： * 砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）磊晶晶片 微波通訊（手機、平板、Wi-Fi、GPS、物聯網、車聯網、衛星、國防）、 雲端運算、資料中心 * 銻化鎵（GaSb）紅外線磊晶晶片 保全、防疫、國土安全、太空科技、熱光伏 * 光電元件磊
Slide 3: 甚麼是磊晶
甚麼是磊晶 磊晶層 7 6 5 4 3 2 1 磊晶層 • 不同顏色代表不同化學成分與不同晶 格大小 • 每一層厚度、成份、摻雜濃度須經磊 晶結構設計師模擬計算 單晶基板 • 磊堆在單晶基板上的單晶層就是磊晶 • 磊晶層與基板中每一個原子跟其他原子都有規則排 列之對應關係 • 英特磊專精於控制磊晶層成長之品質與生產效率 3
Slide 4: 磊晶怎麼長出來
磊晶怎麼長出來 磊晶層是用MBE或MOCVD在加熱的單晶基板上一個原子一個原 子規則排列堆疊長出來的 • MBE (超高真空度底下, 10-11 torr) Ga + As GaAs 使用純元素為原料, 原料來源無限制, 可成長任何成分之材料 • MOCVD (低真空度, 0.1~1 torr) Ga + 3(CH3) Ga(CH3)3 As + 3/2 (H2) AsH3 Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs + 3(CH3) + 3H 使用有機金屬為原料, 原料來源較有限制 有機金屬裂解反應複雜, 較不易控制 圖片來源: 科技台灣 4
Slide 5: 三五族半導體產業上中下游介紹
三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 磊晶片 IET, IQE, 全新 (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 晶圓製程 穩懋, 宏捷 IDM: 半導體封裝 Skyworks, RFMD, Triquint 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • • • • • • • 穿戴裝置 • 平板 • 手機 • 驅動IC • 收發模組 RFID Wi-Fi連結 測試與量測 智慧型能源系統 醫療 太空 / 國防 車用電子 / 防撞雷達 無線基地台 有線電視 / 衛星通訊 磊晶片品質: 決定電子 元件品質, 效能, 良率 5
Slide 6: HBT基本原理
HBT基本原理 IE IB IC 磊晶層 E (每層約1um) B C 單晶基板 GaAs substrate IC IE = IB + IC 放大倍率 IB = • 電流運行方向垂直於磊晶 層方向 • 磊晶層厚度控制均勻性與 磊晶層介面品質較不敏感 放大倍率 = 100 6
Slide 7: pHEMT基本原理
pHEMT基本原理 VD VG ID 2~8 奈米, Spacer Layer, Undoped AlGaAs Drain Source 磊晶層 Gate (總厚度約1um) 2 DEG Channel Layer, 單晶基板 SI-GaAs substrate Undoped GaAs • 電流運行方向平行於磊晶層方向 • 磊晶層厚度控制均勻性與磊晶層 介面品質要求極高 • Spacer Layer厚度極薄 MBE成長厚度均勻性控制較好 (2~8nm=0.002~0.008um) I-V 圖片來源:中央大學論文 7
Slide 8: PIN –Photo Detector基本原理
PIN –Photo Detector基本原理 PIN光偵檢器 PIN Photo Detector (PIN-PD) • 光子能量被吸收產生電子 – 電洞 對 • 光強度越強產生之電子 – 電洞對 越多 • 電子被電場驅使移動產生電流 • 電流大小代表光強度大小 • 每一單位光功率產生之電流為: 響應度Responsivity (單位: 安 培/瓦, A/W) 圖片來源:Fiber-Optics.info 8
Slide 9: APD –Photo Detector基本原理
APD –Photo Detector基本原理 雪崩式光偵檢器 Avlanche Photo Detector (APD) • 光子能量被吸收產生電子 – 電洞對 • APD有電場控制層形成局部高電場使 電子被電場加速撞擊其他價電子產 生連鎖反應製造更多電子 – 電洞對 • 原本一個光子產生一組電子 – 電洞對 連鎖反應後可能產生數10或數100組 電子 – 電洞產生電流放大 • 電流大小代表光強度大小 • 每一單位光功率產生之電流為: 響應度Responsivity (單位: 安培/瓦, A/W) 圖片來源:Fiber-Optics.info 9
Slide 10: 英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示
英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電 • 手機高頻元 • OC768- • 光纖網路 件 40Gbps 網路 • 圖像識別 應用 • 汽車防撞雷 • OC192- 達 10Gbps 網路 • 國防用途 • GaAs pHEMT • InP HBT • GaAs PIN/APD • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP PIN/APD 器件類別 • InP HEMT • GaAs mHEMT • QWIP • InP HBT • Diode laser (紅色為量產產 • GaSb T2 SLS IR 品) detector 10
Slide 11: 產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路
產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 0.25 µm Base –S公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi連結, Emitter 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智慧型能 Collector 源系統, 測試與量測 –U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達 •磷化銦(InP)磊晶晶片 –K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器) –S公司(HBT):高頻特殊應用 –光通訊用光接收器 PIN/APD (10G PON) 11
Slide 12: 產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 主要產品： 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視、保全 、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 商業公司:主要應用於夜視、保全 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣（FPA） 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 T2SLS epi-structure 12
Slide 13: 汽車防撞雷達原理
汽車防撞雷達原理 汽車防撞雷達系統架構圖 資料來源: 網路資訊 13
Slide 14: 汽車防撞雷達(UMS solution)
汽車防撞雷達(UMS solution) 資料來源: UMS網站 14
Slide 15: 5G手機PA 磊晶材料演進
5G手機PA 磊晶材料演進 4G手機PA GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz 5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz - 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘 - 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙 - 頻率上符合需求之選項 GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構) - InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小， 只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。 MBE 在成長GaAs(pHEMT)與InP(HBT)均有優勢 15
Slide 16: 產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 16
Slide 17: 產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 高解析度紅外線攝影 17
Slide 18: 產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 高解析度紅外線攝影 18
Slide 19: 集團架構與市場分布
集團架構與市場分布 IET-Cayman Europe: 12% 2014 (2% 2013) China IntelliEPI Japan: Sourcing & North America: 11% 2014 R&D 76% 2014 (10% 2013) IntelliEPI IR* (85% 2013) Korea/Taiwan 2% 2014 IntelliEPI/ IntelliEPI/ China Japan Designates office locations 北美歐洲市場佔營收 ~ 90% 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主 公
Slide 20: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨 MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON) 的 PIN 及 APD有明顯優勢 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發 20
Slide 21: 15Q4 revenue 188,789 NTD, 2015 YoY 30.5%
單位: 新台幣仟元 15Q4 revenue 188,789 NTD, 2015 YoY 30.5% 21
Slide 22: 主要產品別銷貨收入
主要產品別銷貨收入 年度 2011 2012 2013 2014 2015 Q1 2015 Q2 2015 Q3 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷 化 鎵 (GaAs)磊 晶 片 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 55.1% 50.3% 54.4% 磷 化 銦 (InP)磊 晶 片 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 21.3% 17.4% 26.7% 銻 化 鎵 (GaSb)及 勞 務 收 入 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 23.2% 31.6% 18.6% 其他 9.0% 4.5% 3.1% 0.6% 0.4% 0.7% 0.
Slide 23: 營收展望
營收展望 2016 營收成長動能 SWKS 其他高頻應用產品 (物聯網、車聯網、國防) Keysight 5G 高頻量測產品 UMS 汽車防撞雷達 GaSb-IR 進入量產商業化產品 光通訊 PIN/APD for 10G PON • 2016~2020 5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術 GaAs HBT vs. GaAs pHEMT vs. InP HBT MOCVD vs. MBE 23
Slide 24: IntelliEPI 4971
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IntelliEPI Inc. (Cayman) — Investor Presentation (March 2016) on 6ix