Ingentec Corporation · TPEX:4768

Ingentec — Earnings Presentation (December 2019)

37 slides from Ingentec's earnings presentation, Dec 5, 2019

  1. Slide 1: INGENTEC CORP. 2019 Dec 5th 法說會

    INGENTEC CORP. 晶呈科技股份有限公司 2019 Dec 5th 法說會 股票代號: 4768 Insist doing well to any simple thing. 1

  2. Slide 2: 免責聲明

    免責聲明 此內容由晶呈科技股份有限公司提供，其目的僅作為訊息提供，並不具有 購買/銷售或由第三方作為營利之目的。 此內容可能包含晶呈科技股份有限公司其管理階層前瞻性之聲明，如預估 其目前可獲得之信息。這些陳述是晶呈科技股份有限公司管理層級之意見，本 公司不會保證這些信息的準確性、可靠性和完整性，因可能有重大的風險導致 與前瞻性陳述產生顯著差異，投資者不應該過份依賴此內容。可能的風險包括 但不限於經濟條件、外匯匯率波動、市場環境變動、法規的變動及不可抗拒之 天災因素。 本公司並無義務更新任何前瞻性聲明資訊，除非法律要求，本公司將不負 責更新或公告新資訊、未來項目或其他的訊息。 Insist do

  3. Slide 3: 目錄

    01 公司簡介 02 產品簡介 目錄 03 核心技術 04 未來展望 Insist doing well to any simple thing. 3

  4. Slide 4: 公司簡介

    01 公司簡介 實收資本額: TWD 296,265,280 主要營業項目: • 半導體級, 乾式化學品(特殊氣體) 製造買賣 • 半導體級, 矽晶圓Rebirth(矽晶圓重生)服務 • 銅磁晶片(CMW)製造銷售 • 其他貿易類 History： 2010 Dec. 公司設立 2011 Dec. “毒化物營運執照”正式取得 2014 Feb. 晶呈科技(成都), “危險品營運執照”取得 2016 Feb. 竹南廠啟用, 總公司搬遷, 廠辦合㇐ 2016 Aug. 晶詠呈(晶呈南京分公司)取得危化物營運許可，開始營運 2016 Sep. 取得ISO-9001品質管理系統認證 2018 Aug.

  5. Slide 5: 公司簡介-投資架構

    01 公司簡介-投資架構 Ingentec Corp 50% Location: Taiwan Capital : USD 10M ASINTA Corp Location: Taiwan Staff : 43 Capital : USD 5M Area : 4,000 M2 Staff : 8 Area : 2,500 M2 100% Ingentec Nan-Jing Location: China (Nanjin) Capital : USD 5M Staff : 3 Area : 20,000 M2 Near by ChuNan Science Park/Taiwan Insist d

  6. Slide 6: 公司簡介-全球佈局

    01 公司簡介-全球佈局 Russia Astor (Partner) West USA Manufactory Japan Coming Soon Logistics center Establishing Shang Hai Logistics center Nan Jing Taiwan Logistics & Ingentec/ASINTA Manufactory manufactory & Constructing -- Logistics center Singapore Logistics center Establishing Insist doing well to any

  7. Slide 7: 公司簡介-三大核心競爭優勢

    01 公司簡介-三大核心競爭優勢 先進材料設備代理銷售 (亞洲區) 特殊氣體(危險品/毒化物) 製造及物流 Advanced Material And equipment Trading 自有創新與專利產品行銷世界 自有產 品行銷 世界 Insist doing well to any simple thing. 7

  8. Slide 8: 公司簡介-各季營收及毛利概況

    01 公司簡介-各季營收及毛利概況 Insist doing well to any simple thing. 8

  9. Slide 9: 產品簡介-商品型錄

    02 產品簡介-商品型錄 Insist doing well to any simple thing. 9

  10. Slide 10: 產品簡介-商品對應產業

    02 產品簡介-商品對應產業 Specialty Gas and wet chemical relatedness: Semiconductor Wafering: 半導體前段 與 矽晶片產業 半導體前段 (28nm以下) 與 面板(LTPS/OLED 製造產業)  300 mm Reclaim wafer Specialty Gas:  300 mm ~ 450 mm Si Wafer Rebirth CF4, C3F8, C4F6, C4F8, CH2F2, CH3F, SiF4, F2/N2, SF6  Tungsten Cable Laser Gas: KrF: Kr/Ne+

  11. Slide 11: 產品簡介-特殊氣體應用

    02 產品簡介-特殊氣體應用 對應製程： 對應產業鏈：  半導體蝕刻製程: C3F8(八氟丙烷)、  半導體產業鏈 C4F8(八氟環丁烷)、C4F6(六氟丁二烯)、 CH2F2(二氟甲烷)、SF6(六氟化硫)。 矽原料製造 矽晶片製造 半導體積體 3C產品製造  半導體層膜製程: SiF4(四氟化矽)、Xe(氙)。 石化副產品 乾式化學品 電路製造與 或基礎原料 製造 封測  半導體清腔製程: F2/N2、F2/Ar/N2(混合氣 分解合成製 (晶呈產品) 體) 。 造  半導體曝光準分子雷射製程: Xe(氙)、Neon Mixture(氖混合氣體)。  平面顯示器產業鏈  平面

  12. Slide 12: 產品簡介-特殊氣體重要性

    02 產品簡介-特殊氣體重要性 特殊氣體在半導體產業之重要性 2019年6月，大阪G20高峰會在美國總統川普宣布放寬對華為的禁令後落幕，貿易戰陰霾消散不到兩天， 日本就宣布限制多項特殊原料對南韓出口，包括含氟聚醯亞胺(Fluorine Polyimide)、光阻劑(Resist)及 蝕刻氣體(Etching Gas)。這3項半導體製程關鍵原料，直接衝擊三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix) 生產線，被視為日韓貿易戰第一槍，也讓剛從美中貿易戰暫時喘口氣的全球經濟，再次屏住呼吸。 晶呈科技為台灣唯㇐生產半導體級蝕刻氣 體的製造商, 品質已達世界第㇐級水準, 並 已經開始外銷 歐/日

  13. Slide 13: 產品簡介-晶呈特殊氣體產業地位

    02 產品簡介-晶呈特殊氣體產業地位 蝕刻、薄膜、離子植入氣體 曝光顯影與低溫回火用 雷射氣體 已應用於先進製程 晶呈科技有完整產品線 Insist doing well to any simple thing. 13

  14. Slide 14: 產品簡介-自製商品與貿易商品簡介

    02 產品簡介-~2019自製商品與貿易商品簡介 自製商品  Fluorinate Gas: F2/N2, SF6, CH2H2, CH3F, CF4, C3F8, C4F6 C4F8, SiF4 (全程自製)  Laser Gas: ArF, KrF, XeCl  Rare Gas: Xe(6N), Ne(6N) Purifying Component Vessel producing Parts Trace Ultra High Purity & And/or Blending Filling & TQA Analysis High Pressure Distillation & E

  15. Slide 15: 產品簡介-自製商品與貿易商品演進

    02 產品簡介-~2019自製商品與貿易商品演進 自製商品占比 700,000,000 22% 590M 51% 62% 逐步轉型, 已由「貿易型 600,000,000 40% 511M 520M 態」公司, 轉為為「專業 500,000,000 458M 之半導體材料製造商」 400,000,000 50% 195,541,000 253,081,000 459,225,000 309M 274,757,000 300,000,000 Trading 156,080,000 200,000,000 Manufacture 324,739,000 258,522,000 100,000,00

  16. Slide 16: 核心技術-永續成長動能

    03 核心技術-2019~永續成長動能 從自有核心3技術/Patented Technology 為基石穩健展開 1. 乾式化學品精餾技術(Fine Chemical Distillation Technology) 2. 氣態分解溶蝕技術(Vapor Etching and Decomposition Technology) 3. 導磁膜散熱技術(Intrinsic Magnetization Filmy thermal Conductivity) Insist doing well to any simple thing. 16

  17. Slide 17: 核心技術-專利佈局

    03 核心技術-專利佈局 氣態分解溶蝕技術 導磁膜散熱技術 垂直型發光二極體晶粒 具有多腔體 的結構及其製造方法 (C.M.W.) 之氣相蝕刻設備 Vapor Etching Safety Chamber 台灣發明專利 其他 I635631 單排直立式引腳之 封裝結構 Single Column Surface Mount Lead Korea, Japan, China, India, USA 已申請, 待核准 M450062 3181979 (Taiwan) (Japan) M441927 3179625 CN202712119U 具有磁性發光元件之顯 大型氣體瓶站立裝置 Taiwan J

  18. Slide 18: 核心技術-乾式化學品精餾技術

    03 核心技術-1-乾式化學品精餾技術 技術特點 氣體純度可達99.99997% 3-Cut Separation Technology The Russian unique designed 3-Cut Separation Technology setup in Asinta Special Material Corp., in Miao-Li County, Taiwan Insist doing well to any simple thing. 18

  19. Slide 19: 核心技術-乾式化學品精餾技術 3-Cut Separation Brief

    03 核心技術-1-乾式化學品精餾技術 3-Cut Separation Brief Traditional purification process ASINTA purification process versus Insist doing well to any simple thing. 19

  20. Slide 20: GC/MS Analysis Result(第三方)

    03 核心技術-1-乾式化學品精餾技術 GC/MS Analysis Result(第三方) c-C4F8 晶呈/亞欣達 c-C4F8 n-CxFy c-C4F8 i-CxFy N-FA 競爭者 c-C4F8 C-FA The Ingentec/Asinta c-C4F8 shows no significant impurities with clean gas-chromatography. Insist doing well to any simple thing. 20

  21. Slide 21: 晶呈集團 Now and future, more products on board

    03 核心技術-1-乾式化學品精餾技術 晶呈集團Now and future, more and more products will be on board. Fab Manufacturing Nominal items Capacity, Application 內/外 銷比重 t/year 規劃 Fab 1 C4F8/C3F8 380 t/y Etching / Semi 350~4 nm 30/70 (Distillation) CH2F2/CH3F Fab (new 1) SiF4 300 t/y Etching / Semi 350~4 nm 50/50 (Synthesize

  22. Slide 22: 核心技術-氣態分解溶蝕技術

    03 核心技術-2-氣態分解溶蝕技術 氣態分解溶蝕技術(Vapor Etching) ： 專利(發明)取得：  3179625 (Japan) マルチチャンバーを備えた気相エッチング装置  CN202712119U(China) 具有多腔體的氣相蝕刻設備  I496211(Taiwan) 具有多腔體之氣相蝕刻設備 專利特色： 透過不同化學品氣相特性搭載特製模組進行蝕刻動作，同時確保工 作腔體內氣體不外洩至大氣中。 專利應用與相關市場：  氣相蝕刻技術 (半導體業、TFT 玻璃薄化…)  氣相溶解技術 (面板製造業、輪胎業、生物廢棄物..…)  精密零件清洗重生(Parts clea

  23. Slide 23: 半導體矽晶圓Rebirth技術

    03 核心技術-2-氣態分解溶蝕技術 2018/4Q 商品化 首次對外發表 – 半導體矽晶圓”重生 “技術 ® AHF Mixture Waste Gas Film Bare Si Wafer Bare Si Wafer 針對Mulish film去除，重生半導體廠準報廢矽晶圓。 Insist doing well to any simple thing. 23

  24. Slide 24: 氣態分解溶蝕技術 film removal results

    03 核心技術-2-氣態分解溶蝕技術 Before Nitride film TI/Oxide film POLY film Oxide film 80nm 2um 0.35um 0.15um After Insist doing well to any simple thing.

  25. Slide 25: 全球300mm FAB 數量成長預測

    03 核心技術-2-氣態分解溶蝕技術 全球300mm FAB 數量成⾧預測 Source: IC Insights • 因為客戶成本考量與 除膜難度增加，In- house Dummy wafer Reclaim已是主流製 程，每年穩定成長。 • 每一個FAB Rebirth保 守需求 2000 片/M， 2023年預估40% FAB 會自設 In-house reclaim line，換算 Rebirth 在2023年需求 量, 應為1320K 片/ 年。 • 因Rebirth 所使用的化 學品與用水量遠遠低 於傳統濕製程, 若考量 矽晶圓 環保因素(排酸排廢減 Rebirth 量), 需求

  26. Slide 26: Rebirth 進度 與 市場地位

    03 核心技術-2-氣態分解溶蝕技術 Rebirth® 進度 與 市場地位 • 第㇐階段客戶(美/日/台/新 各㇐), 已開始接 單完成驗證, 雙方各自再優化製程, 期待回收 率再提升. • 氣態分解溶蝕設備VE(Vapor Etcher): 全自 製第3代機, 設計完成. • 產能 5 k/M -> 15 k/M 擴充, 2020 1Q 完成 • 同質性競爭者: 目前沒有 Insist doing well to any simple thing. 26

  27. Slide 27: 銅磁晶片(C.M.W.)

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 2018 Dec 商品化 首次對外發表 – LED 銅磁晶片(C.M.W.) What is CMW? 電路層 發光層總和 CMW => 承載LED“發光層” 之基底材料 技術特點: 具磁性、超薄、可化學切割、高散熱性 Insist doing well to any simple thing. 27

  28. Slide 28: LED 銅磁晶片 省電/高亮度/高散熱特性

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 LED 銅磁晶片(C.M.W.) 省電/高亮度/高散熱特性 – 產業之冠 Insist doing well to any simple thing. 28

  29. Slide 29: 應用CMW 生產各類型LED, 產出量倍增

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 應用CMW 生產各類型LED, 相同成本, 產出量倍增 Insist doing well to any simple thing. 29

  30. Slide 30: 各色域垂直LED架構都可使用CMW

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 各色域垂直LED架構, 都可使用CMW, 全製程參數BKM都已掌握, 客戶端可進行大規模量產 (下圖為CMW 之實際產品顯微照片) Insist doing well to any simple thing. 30

  31. Slide 31: C.M.W. for the LED UVC production wafer

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 C.M.W. (銅磁晶圓) for the LED UVC production wafer Insist doing well to any simple thing. 31

  32. Slide 32: 與市面材料科學數據比較

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 與目前市面上已知的材料, 科學數據相比較, “完勝” 1 Insist doing well to any simple thing. 32

  33. Slide 33: 科技部重視CMW對uLED台灣產業貢獻

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 科技部非常重視CMW 對 uLED 台灣產業貢獻 CMW 的導磁特性, 可以解決 Mini or uLED 最頭痛的課題 ”巨量轉移“ Insist doing well to any simple thing. 33

  34. Slide 34: CMW潛在需求推演

    03 核心技術-3-導磁膜散熱技術 由於CMW各項特性均為業界之冠，且應用在LED上，無色域限制，同時成本 降低，市場對CMW潛在需求，應可以依全球MOCVD之數量推演期待 • 每部MOCVD, capacity 平 均為 2000 sls(4吋當量) • 2025 滲透率假設為10%, CMW 年需求量估計為1250 萬片. • 晶呈科技2020產量規劃為 240萬片/年 • 由於生產機台均為自行設 計, 在台灣組裝, 擴廠速度可 以非常快速! CMW 元年 Insist doing well to any simple thing. 34

  35. Slide 35: Operation Strategy

    04 未來展望-公司營運策略 Operation Strategy Developing more Adventure but safely working! opportunities via trading.從 大膽嘗試但安全第㇐ 代理商品中, 發掘另類商機 擴大特氣既有項目市占率 Rebirth & CMW創造藍海市場 增加特氣生產及銷售項目 Extend more application and commercial products according owned patterned Establish W/W branches technology.以自有之核心技 extendin

  36. Slide 36: On-Going RD + Manufacture + Branch Establishment Progress, 2019~2023

    04 未來展望-各項專案開展 On-Going RD + Manufacture + Branch Establishment Progress, 2019 ~ 2023 Project Name Start Commercialization Expecting Contribution ReBirth 15k/m new Fab 2019 2020 2020 establishment C.M.W. 200k/m new fab 2018 2019 2020 establishment C.M.W. 50um for Mini LED 2018 2019 2020 C.M.W. 30 um

  37. Slide 37: The end and thanks a lot. Q&A

    The end and thanks a lot. Q&A Insist doing well to any simple thing. 37

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