Intelliepi Inc. (cayman) · TPEX:4971
Intelliepi Inc. (cayman) — Investor Presentation (May 2016)
22 slides from Intelliepi Inc. (cayman)'s investor presentation, May 2016
Slide 1: IntelliEPI 4971
4971 (2 IntelliE€P/ Se 5 fa 2 Ay fn BR DO]
Slide 2: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 • 成立時間：1999年1月1日 Facility Photo • 技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室 • 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓 • 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA • 商業模式：三五半導體MBE磊晶晶片代工製造廠 美國德州二廠 • 主要產品： * 砷化鎵（GaAs）磊晶晶片 微波通訊 4G手機開關應用, 高頻電子元件(防撞雷達, 非行動裝置晶片) 光通訊面射型雷射VCSEL, 光接收器(GaAs- PIN) * 磷化銦（InP）磊晶晶片 微波通訊 5G 量測設備, 5G手機P
Slide 3: 三五族半導體產業上中下游介紹
三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 磊晶片 IET, IQE, 全新, (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 聯亞 晶圓製程 穩懋, 宏捷, 華興 光, 光環, 索爾思 聯鈞 半導體封裝 IDM: Skyworks, Avago, Quovo 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • • • • • • • 穿戴裝置 • 平板 • 手機 • 驅動IC • 收發模組 RFID Wi-Fi連結 測試與量測 智慧型能源系統 醫療 太空 / 國防 車用電子 / 防撞雷達 無線基地台 有線電視 / 衛星通訊 磊晶片品質: 決定電子 元
Slide 4: 英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示
英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電 • 手機高頻元 • OC768- • 光纖網路 件 40Gbps 網路 • 圖像識別 應用 • 汽車防撞雷 • OC192- 達 10Gbps 網路 • 國防用途 • GaAs pHEMT • InP HBT • GaAs PIN/APD • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP PIN/APD 器件類別 • InP HEMT • GaAs mHEMT • QWIP • InP HBT • Diode laser (紅色為量產產 • GaSb T2 SLS IR 品) detector 4
Slide 5: MBE 技術未來發展潛力
MBE 技術未來發展潛力 隨著高頻通訊頻率漸高 開始展現技術優勢於民生消費產品 MOCVD 技術 MBE 技術應用起飛 VR 應用（VCSEL雷射） 2001年 2011年 2015年 2016年 2017年 2018年 2020年 『3G行動通訊開始發展』 中國大量佈建光纖 2.5G PON 『4G行動通訊元 年』 汽車防撞雷達應用 中國啟動佈建 10G PON 5G 通訊起飛 5
Slide 6: 產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路
產品應用領域介紹-高頻元件、積體電路 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 0.25 µm Base –S公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi連結, Emitter 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智慧型能 Collector 源系統, 測試與量測 –U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達 •磷化銦(InP)磊晶晶片 –K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器) –S公司(HBT):高頻特殊應用, LD driver –光通訊用光接收器 PIN/APD (10G PON, Data Center) –5
Slide 7: 產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 主要產品： 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視、保全 、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 商業公司:主要應用於夜視、保全 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 （FPA） T2SLS epi-structure 7
Slide 8: 產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池）
產品應用領域介紹-銻化鎵（紅外線探測器、熱光伏電池） 高解析度紅外線攝影 8
Slide 9: 資料中心(Data Center)
資料中心(Data Center) 資料中心提供服務給廣域網路(WAN)與局域網路(LAN), 其架構主要是由連結使用者(U)與伺服器(C)之切換 器(S)與連結伺服器(C)與儲存器(D)之切換器(S)構成, 使使用者得以使用伺服器上之軟體並將結果存取於儲 存器。 資料來源: The FOA Reference Guide To Fiber Optics 9
Slide 10: 資料中心(Data Center)
資料中心(Data Center) • 波長850nm, 多模(Multi Mode, MM) GaAs VCSEL, GaAs PIN • 波長1300nm, 1550nm, 單模(Single Mode, SM) InP LD, InP PD(PIN/APD) 資料來源: The FOA Reference Guide To Fiber Optics 10
Slide 11: 資料中心(Data Center)
資料中心(Data Center) • 多模(MM), GaAs VCSEL, GaAs PIN 需要光纖多, 產生熱較多, 需要大量散熱耗費能源 • 單模(SM), InP LD, InP(PIN/APD) 需要光纖少, 較省能源 • 未來趨勢可能單模較佳 資料來源: The FOA Reference Guide To Fiber Optics 11
Slide 12: Data Center 100G 市場 2016年引爆
Data Center 100G 市場 2016年引爆 100G = 25GX4組收發模組 1500 萬顆 12
Slide 13: 10G PON (EPON, GPON, XG-PON)
10G PON (EPON, GPON, XG-PON) 13
Slide 14: 磷化銦 應用在 10G 以上光收發模組
磷化銦 應用在 10G 以上光收發模組 光通訊收發模組 光通訊收發模組 LD PD (Sumitomo, SPR5200 Series) 接收端PD (PIN, APD) 發射端 LD 一組收發模組最多可搭配3~4顆 磷化銦 元件 14
Slide 15: 2016年 為中國 10G PON應用 市場啟動元年
2016年 為中國 10G PON應用 市場啟動元年 中国联通启动10G PON集采：XG PON1大幅领先10G EPON http://www.c114.net ( 2016/5/10 07:25 ) C114讯 5月10日消息 据来自中国联通的官方消息显示，中国联通已经对2015-2016年10G PON产品启动公开招标。 本次集采分两个标段，分别是10G EPON和XG PON1。 其中，10G EPON OLT集采约3345台，OLT PON口数约40886个，MDU约209.6万线； XG PON1 OLT集采约6962台，OLT PON口数约59891个，MDU约353.8万线。
Slide 16: 5G手機PA 磊晶材料演進
5G手機PA 磊晶材料演進 4G手機PA GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz 5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz - 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘 - 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙 - 頻率上符合需求之選項 GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構) - InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小， 只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。 英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢 - n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍 - 精準控制磊晶層成分厚度
Slide 17: 集團架構與市場分布
集團架構與市場分布 IET-Cayman Europe: 12%, 2015) China IntelliEPI Japan: Sourcing & North America: 9%, 2015 R&D 77.8%, 2015 IntelliEPI IR* Korea/Taiwan 1% 2015 IntelliEPI/ IntelliEPI/ China Japan Designates office locations 北美歐洲市場佔營收 ~ 90% 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主 公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力 17
Slide 18: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨 MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及 APD有明顯優勢 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發 英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢 18
Slide 19: 營業收入、營業利益與毛利率
營業收入 營業利益 毛利率 $250,000 60.0% 52.9% 50.0% $200,000 45.3% 44.5% 39.6% 40.0% 38.7% $150,000 35.2% 35.8% 36.5% 34.1% 31.2% 28.7% 30.0% $100,000 20.0% $50,000 10.0% $0 0.0% Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 單位: 新台幣仟元 Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4
Slide 20: 2016年InP大幅成長
主要產品別銷貨收入 年度 2011 2012 2013 2014 2015 2016 Q1 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷 化 鎵 (GaAs) 磊 晶 片 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 51.8% 53.4% 磷 化 銦 (InP) 磊 晶 片 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 24.8% 33.6% 銻 化 鎵 (GaSb) 及 勞 務 收 入 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 22.8% 12.7% 其他 9.0% 4.5% 3.1% 0.6% 0.6% 0.4% 合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%
Slide 21: 營收展望 2016~2018 營收成長動能
營收展望 2016~2018 營收成長動能 SWKS(GaAs) 其他高頻應用產品 (物聯網、車聯網、國防) UMS (GaAs) 汽車防撞雷達 Keysight (InP) 5G 高頻量測產品 光通訊 (InP) PIN/APD for 10G PON, Data Center LD driver, TIA GaSb-IR 進入量產商業化產品 • 2016~2020 5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術 InP HBT可望成為首選材料 MBE成長InP HBT具有絕對優勢 英特磊MBE成長InP HBT具有最佳經驗技術 21
Slide 22: IntelliEPI 4971
(2 intelliEP/ 4971 a AR + Santa ee QRA
IntelliEPI Inc. (Cayman) — Investor Presentation (May 2016) on 6ix