IntelliEPI Inc. (Cayman) · TPEX:4971
IntelliEPI Inc. (Cayman) — IntelliEPI — Investor Presentation (May 2019)
31 slides from IntelliEPI Inc. (Cayman)'s investor presentation, May 2019
Slide 1: IntelliEPI 4971
4971 <2 IntelliEP/ Be FF Be P32 AR 1 BAR
Slide 2: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 成立時間：1999年1月1日 技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室 核心技術： 分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片 即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利) 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓 商業模式： 三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠 (砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片) 2
Slide 3: 三五族半導體產業上中下游介紹
三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) IET, Freiberger 磊晶片 IET, IQE, 全新, (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 聯亞 晶圓製程 穩懋, 宏捷, 華興 光, 光環, 索爾思 聯鈞 半導體封裝 IDM: Skyworks, Avago, Qorvo 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • RFID • • • • Wi-Fi • • • • • • 穿平手 測智醫 太車無 有 驅收 戴板機 試慧療 空用線 線 動發 與型 電基 電 IC 裝 模 / 置 量能 國子地連視 組 測源 防 台結 / /
Slide 4: 英特磊生產什麼
英特磊生產什麼 磊晶片 MBE長磊晶機台 基板 磊晶片 (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) • 不同顏色代表不同化學成分與 不同晶格大小 • 每一層厚度、成份、摻雜濃度 須經磊晶結構設計師模擬計算 • 磊晶片品質: 決定電子元件品 質, 效能, 良率 4
Slide 5: 三五半導體器件産品矩陣列示
英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電 手機高頻元 OC768- 光纖網路 件 40Gbps 網路 圖像識別 應用 汽車防撞雷 OC192- 達 10Gbps 網路 國防用途 GaAs pHEMT InP HBT GaAs PIN/APD GaAs mHEMT InP HEMT InP PIN/APD 器件類別 InP HEMT GaAs mHEMT QWIP InP HBT Diode laser (紅色為量產產 GaSb T2 SLS IR 品) detector ． VCSEL 5
Slide 6: 產品應用領域介紹
產品應用領域介紹 • 汽車防撞雷達 pHEMT • 光通訊 PIN,APD,VCSEL • 紅外線感測器 GaSb,InSb,InGaAs,QWIP • 5G 手機PA InP-HBT 6
Slide 7: 汽車防撞雷達原理
汽車防撞雷達原理 汽車防撞雷達將成為安全基本配備 汽車供應鏈切入需３～５年 （若有機會） UMS是汽車大廠主要的汽車雷達晶片供應商 英特磊是UMS唯一砷化鎵磊晶片供應商 資料來源: 網路資訊 7
Slide 8: 汽車防撞雷達原理
汽車防撞雷達原理 UWB (Ultra Wide Band) FMCW (Frequency Modulated • 測距 Continuous Wave) • 較無空間多重反射干擾之 • 測距 問題 • 測速(都普勒效應) • 定位能力較佳 • 系統較為單純 • 需要較複雜的時序控制 • 容易被干擾 資料來源: 網路資訊 8
Slide 9: 光纖傳輸
光纖傳輸 資料來源:Online Science • 光以3x108m/s速度行進 • 傳輸資料速度快 • 不受電磁輻射影響 • 接收端光接收器,如 PIN/APD • 發射端產品為 VCSEL 9
Slide 10: 光纖吸收光譜
光纖吸收光譜 資料來源:POSTS and TELECOM PRESS • 光在光纖中傳輸仍會有損耗，必須考慮各種不同波長的光 在光纖中的吸收 • 波長850nm 在GaAs材料調變範圍: VCSEL，短距離傳輸 • 波長1310nm 在InP材料調變範圍: PIN/APD，長距離傳輸 • 波長1550nm 在InP材料調變範圍: PIN/APD，長距離傳輸 10
Slide 11: PIN–Photo Detector基本原理
PIN –Photo Detector基本原理 PIN光偵檢器 PIN Photo Detector (PIN-PD) • 光子能量被吸收產生電子 – 電洞對 • 光強度越強產生之電子 – 電洞對越多 • 電子被電場驅使移動產生電流 • 電流大小代表光強度大小 • 每一單位光功率產生之電流為: 響應 度Responsivity (單位: 安培/瓦, A/W) 圖片來源:Fiber-Optics.info 11
Slide 12: APD–Photo Detector基本原理
APD –Photo Detector基本原理 雪崩式光偵檢器 Avlanche Photo Detector (APD) • 光子能量被吸收產生電子 – 電洞對 • APD有電場控制層形成局部高電場使 電子被電場加速撞擊其他價電子產 生連鎖反應製造更多電子 – 電洞對 • 原本一個光子產生一組電子 – 電洞對 連鎖反應後可能產生數10或數100組 電子 – 電洞產生電流放大 • 電流大小代表光強度大小 • 每一單位光功率產生之電流為: 響應度Responsivity (單位: 安培/瓦, A/W) 圖片來源:Fiber-Optics.info 12
Slide 13: VCSEL 應用領域
VCSEL 應用領域 850nm VCSEL 用於短距離傳輸: 資料中心, 4K/8K HDMI 傳輸 - 資料速度、頻寬、可靠度要求高 940nm VCSEL 用於 3D sensing: Face ID, Lidar - 功率、光點同調性要求高 - 磊晶片均勻性影響良率甚鉅 13
Slide 14: MBE 6” VCSEL 晶片 F-P dip mapping
MBE 6” VCSEL 晶片F-P dip mapping • MBE 6” VCSEL 晶片F-P dip mapping 具絕佳均勻性 14
Slide 15: VCSEL 供應鏈
VCSEL 供應鏈 • 英特磊客戶現階段在850nm Data Center應用進度較快 • 940nm 3D sensing於中國大陸手機市場應用進度較緩 • 積極爭取主流客戶代工訂單 資料來源:報章媒體 15
Slide 16: 紅外線偵測器技術
紅外線偵測器技術 Near Infrared (NIR): 0.75 ~ 1 um Short-wave Infrared (SWIR): 1 ~ 2.7 um Mid-wave Infrared (MWIR): 3~5 um Long-wave Infrared (LWIR): 8 ~ 14 um Ultra-long-wave-Infrared (ULWIR): 14 ~ 30 um Mercury Cadmium Telluride (MCT) Detector Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) Indium Gallium Arsen
Slide 17: 可見光/紅外線影像
可見光/紅外線影像 可見光 紅外光 紅外光感測器 紅外光感測器 無冷卻 有冷卻 17
Slide 18: 不同波長紅外線影像
不同波長紅外線影像 短波長紅外光可穿透眼鏡看到眼鏡後方之眼睛細部 圖片來源:GHOPTO exhibition material, CIOE Expo., 2017 18
Slide 19: GaSb 紅外線影像
(2 intelliEP/ 4971 7 PRAT BE A Sh BR A ‘9 _—=IWN
Slide 20: 5G 手機PA
5G 手機PA 資料來源: 國泰證券報告 • 5G射頻模組III-V解決方案 • PA, LNA 效率性能較好 • 元件效能 InP HBT > GaAs mHEMT > GaAs pHEMT 20
Slide 21: 5G手機PA 磊晶材料演進
5G手機PA 磊晶材料演進 4G手機PA GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz 5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz - 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘 - 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙 - 頻率上符合需求之選項 GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構) - InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小， 只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。 英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢 - n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍 - 精準
Slide 22: GaAs HBT/pHEMT and InP HBT
GaAs HBT/pHEMT and InP HBT IE IB IC E Drain Source 磊晶層 Gate (每層約1um) B 磊晶層 C (總厚度約1um) 單晶基板 GaAs substrate 單晶基板 GaAs substrate GaAs HBT GaAs pHEMT • Up to 10 G Hz • Up to 100 G Hz • Suitable for PA • Suitable for SW and LNA 磊晶層 E • HBT製程簡單良率高適合做PA (每層約1um) B C • pHEMT製程較複雜良率較難控制 單晶基板 InP substrate 不
Slide 23: 主要產品別銷貨收入
主要產品別銷貨收入 年度 2014 2015 2016 2017 2018 2019Q1 2825398956 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷化鎵( GaAs)磊晶片 46.7% 51.8% 48.4% 53.9% 55.0% 38.8% 磷化銦( InP)磊晶片 31.2% 24.8% 35.0% 31.5% 25.2% 44.3% 銻化鎵( GaSb)及勞務收 入 21.5% 22.8% 15.6% 13.2% 19.2% 16.8% 其他 0.6% 0.6% 1.0% 1.4% 0.6% 0.1% 合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100.0%
Slide 24: 產品別依主要應用市場
產品別依主要應用市場 年度 2017 2018 2019Q1 應用型態 比率 比率 比率 射頻(物聯網，航太，無線 通訊) 28.0% 21.7% 10.4% 汽車防撞及車用 23.1% 25.4% 20.0% 光纖網路 22.5% 19.0% 27.6% 高速傳輸元件 11.2% 13.6% 22.7% 紅外線偵測 10.7% 13.0% 15.6% 硬體構件 4.5% 7.3% 3.6% 合計 100.0% 100.0% 100.0% 24
Slide 25: 營運策略與計劃
營運策略與計劃 1.砷化鎵：第二季生產重心仍在保持VCSEL磊晶片穩定交貨，並持續與新增客 戶進行產品認證，共同開發高端25G VCSEL各領域的應用，因應物聯網 (IoT)產業鏈逐步擴大，高頻，高速的pHEMT產品需求亦持續增加，本公司 已通過業界大廠認證，將繼續深耕市場。 2.磷化銦：APD磊晶產品客戶持續增加，國内外大廠訂單陸續到位，PIN及HBT 產品訂單同時恢復，第一季度磷化銦產品比例超越砷化鎵，預計今年此趨 勢將延續，本季重點為提高生產效率。此外生物應用雷射晶片已邁入進一 步的開發階段，本公司將努力優化品質，保持技術領先。 3. 銻化鎵：本季將努力爭取政府國防訂單，將參與政府招標案
Slide 26: 客戶產品應用領域介紹
客戶產品應用領域介紹 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 mm 0.25 Base –S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi Emitter 連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智 Collector 慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用 –U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達 –潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於3D感測及光通訊Data Center市場 •磷化銦(InP)磊晶晶片 –K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器) –S公司(HBT):高頻特殊應用, LD d
Slide 27: 產品應用領域介紹
產品應用領域介紹 主要產品： 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視 、保全、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 商業公司:主要應用於夜視、保全 – 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣（FPA） 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 T2SLS epi-structure 27
Slide 28: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ 法國汽車防撞雷達晶片大廠U公司認證通過，為唯一供應商 K公司 5G高頻量測儀器，為唯一供應商 VCSEL 850nm用於Data Center，940nm用於3D感測，客戶數目持續增加中 MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及 APD有明顯優勢 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發 英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢 28
Slide 29: 營收展望
營收展望 2019營收成⾧動能 U公司(GaAs) 汽車防撞雷達 K公司(InP) 5G 高頻量測產品(InP, GaAs) 光通訊 (InP) PIN/APD for 10G PON, Data Center LD driver, TIA GaSb-IR 進入量產商業化產品, 政府合約 • 2019~2020 * VCSEL 用於3D感測及Data Center * InP HBT可望成為5G手機PA 磊晶首選材料 29
Slide 30: 新廠現況
新廠現況 • 建廠時程: –建物許可(10/4/2016) –建廠房與無塵室完成 (11/30/2017) –Ridgemont聯外道路完成(3/1/2018) Ridgemont Drive to IET 3/2/18 –設備安裝許可(TCO) (3/15/2018) –單晶長晶爐安裝完成(4/20/2018) –第一台MBE機台通電測試(5/1/2018) 16 MBEs Room Cleanroom 3/8/2018 30 30
Slide 31: Q&A
| (2 intelli EP/ Pe. nal wal KE AK’ ak Ala 2 Q&A