IntelliEPI Inc. (Cayman) · TPEX:4971
IntelliEPI Inc. (Cayman) — IntelliEPI — Conference Presentation (November 2016)
21 slides from IntelliEPI Inc. (Cayman)'s conference presentation, November 2016
Slide 1: IntelliEPI 4971
4971 (2 IntelliE€P/ Se 5 fa 2 Ay fn BR DO]
Slide 2: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 成立時間：1999年1月1日 技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室 核心技術： 分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片 即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利) 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓 商業模式： 三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠 (砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片) 2 2
Slide 3: 產品應用領域介紹 GaAs and InP
產品應用領域介紹 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 0.25 µm Base –S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi Emitter 連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智 Collector 慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用 –U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達 –潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於肢體動作辨識 (虛擬實境VR,AR,MR) •磷化銦(InP)磊晶晶片 –K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器) –S公司(HBT):高頻特殊應用, LD dri
Slide 4: 產品應用領域介紹 GaSb 紅外線探測器磊晶晶片
產品應用領域介紹 主要產品： 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視 、保全、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 商業公司:主要應用於夜視、保全 – 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 （FPA） T2SLS epi-structure 4
Slide 5: 三五族半導體產業上中下游介紹
三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 磊晶片 IET, IQE, 全新, (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 聯亞 晶圓製程 穩懋, 宏捷, 華興 光, 光環, 索爾思 聯鈞 半導體封裝 IDM: Skyworks, Avago, Quovo 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • • • • • • • 穿戴裝置 • 平板 • 手機 • 驅動IC • 收發模組 RFID Wi-Fi連結 測試與量測 智慧型能源系統 醫療 太空 / 國防 車用電子 / 防撞雷達 無線基地台 有線電視 / 衛星通訊 磊晶片品質: 決定電子 元
Slide 6: 英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示
英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電 • 手機高頻元 • OC768- • 光纖網路 件 40Gbps 網路 • 圖像識別 應用 • 汽車防撞雷 • OC192- 達 10Gbps 網路 • 國防用途 • GaAs pHEMT • InP HBT • GaAs PIN/APD • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP PIN/APD 器件類別 • InP HEMT • GaAs mHEMT • QWIP • InP HBT • Diode laser (紅色為量產產 • GaSb T2 SLS IR 品) detector 6
Slide 7: 5G手機PA 磊晶材料演進
5G手機PA 磊晶材料演進 4G手機PA GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz 5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz - 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘 - 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙 - 頻率上符合需求之選項 GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構) - InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小， 只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。 英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢 - n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍 - 精準控制磊晶層成分厚度
Slide 8: 集團架構與市場分布
集團架構與市場分布 IET-Cayman Europe: 12%, 2015) China IntelliEPI Japan: Sourcing & North America: 9%, 2015 R&D 77.8%, 2015 IntelliEPI IR* Korea/Taiwan 1% 2015 IntelliEPI/ IntelliEPI/ China Japan Designates office locations 北美歐洲市場佔營收 ~ 90% 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主 公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力 8
Slide 9: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨 MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及 APD有明顯優勢 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發 英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢 9
Slide 10: 季營業額及毛利趨勢圖
季營業額及毛利趨勢圖 營業收入 營業利益 毛利率 $300,000 60.0% 52.9% $250,000 50.0% 45.3% 44.5% $200,000 39.6% 38.3% 40.0% 38.7% 35.8% 36.5% 35.2% 31.3% 34.1% $150,000 31.2% 28.7% 30.0% $100,000 20.0% $50,000 10.0% $0 0.0% Q3-13 Q4-13 Q1-14 Q2-14 Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16 單位: 新台幣仟元 Q3-13 Q4-13
Slide 11: 主要產品別銷貨收入
主要產品別銷貨收入 產品別銷貨收入 年度 2011 2012 2013 2014 2015 2016Q1 2016Q2 2016Q3 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷 化 鎵 (GaAs)磊 晶 片 62.0% 39.7% 35.1% 46.7% 51.8% 53.4% 52.0% 46.9% 磷 化 銦 (InP)磊 晶 片 17.9% 40.2% 39.4% 31.2% 24.8% 33.6% 40.8% 29.3% 銻 化 鎵 (GaSb)及 勞 務 收 入 11.2% 15.6% 22.4% 21.5% 22.8% 12.7% 6.6% 22.5% 其他 9.
Slide 12: 營收展望 2016~2018 營收成長動能
營收展望 2016~2018 營收成長動能 SWKS(GaAs) 其他高頻應用產品 (物聯網、車聯網、國防) UMS (GaAs) 汽車防撞雷達 Keysight (InP) 5G 高頻量測產品 光通訊 (InP) PIN/APD for 10G PON, Data Center LD driver, TIA GaSb-IR 進入量產商業化產品 • 2016~2020 5G手機PA 磊晶材料成長關鍵技術 InP HBT可望成為首選材料 MBE成長InP HBT具有絕對優勢 英特磊MBE成長InP HBT具有最佳經驗技術 12
Slide 13: 肢體動作辨識(Gesture Recognition)
肢體動作辨識(Gesture Recognition) 肢體動作辨識是透過各種3D感測器，即時量到物 體表面各個點的XYZ 3 軸座標，由各點座標隨著時 間之改變，判斷肢體動作變化。 3D 感測 XYZ 3 軸座標 • 立體攝影 (Stereoscopic Vision) • 結構光編碼圖形掃描(Structured Light Pattern) 資料來源:Finisar • 飛行時間雷達掃描(Time of Flight, TOF) • 光波雷達Laser (VCSEL, FP), LED • 無線電波雷達 13
Slide 14: 立體攝影
立體攝影 利用兩組攝影機在不同角度拍 攝，兩組影像在兩眼接收後於 腦中重組形成立體影像 資料來源:Wikipedia, StereoLABS 14
Slide 15: 結構光編碼圖形掃描
結構光編碼圖形掃描 • 結構光編碼圖形打在物體 上再由攝影機由側面拍攝 經電腦運算得到Z軸座標完 成3D掃描 • 結構光編碼圖形產生可由 資料來源:Wikipedia • 雷射光干涉 • LED 加上光柵 Osela 資料來源:網路資訊 資料來源:Laser Focus World 15
Slide 16: 飛行時間雷達掃描(TOF)
飛行時間雷達掃描(TOF) 資料來源:Texas Instrument • 調變的光波或無線電波打在物體上每一 個點，經反射到達接收器的每一個對應 像素所花的時間(Time of Flight, TOF)， 換算成距離即為Z軸座標。 • 光波一般可用紅外線面射型雷射 (VCSEL)、邊射型雷射(EEL) 、或LED 資料來源:Laser Focus World 16
Slide 17: 3D 感測技術比較
3D 感測技術比較 資料來源:Texas Instrument • 肢體動作辨識(Gesture Recognition)的應用上，TOF擁有 最多優點 17
Slide 18: Texas Instrument TOF Chip Set
Texas Instrument TOF Chip Set 資料來源:Texas Instrument • 3D TOF Sensor Array: CMOS pixel array, >50MHz, 850~870nm • AFE: Analog Front End • TFC: TOF Controller, synchronize TOF sensor, AFE, illuminator 18
Slide 19: 飛行時間雷達掃描(TOF)-光源比較
飛行時間雷達掃描(TOF)-光源比較 資料來源: Finisar網站 • 光源品質與穩定性 VCSEL>EEL>LED 19
Slide 20: 飛行時間雷達掃描(TOF)-光源比較 VCSEL
飛行時間雷達掃描(TOF)-光源比較 VCSEL • 光形對稱 • 發散角小 • 光學鏡片單純 • 功率傳輸效率高 資料來源: Finisar網站 20
Slide 21: IntelliEPI 4971
(2 intelliEP/ 4971 a AR + Santa ee QRA