Intelliepi Inc. (cayman) · TPEX:4971
Intelliepi Inc. (cayman) — Investor Presentation (2017)
25 slides from Intelliepi Inc. (cayman)'s investor presentation, 2017
Slide 1: IntelliEPI 4971
4971 (2 IntelliE€P/ Se 5 fa 2 Ay fn BR DO]
Slide 2: 公司簡介-基本資料
公司簡介-基本資料 成立時間：1999年1月1日 技術團隊成員經歷: 德州儀器公司, 太空總署推進實驗室, AT&T貝爾實驗室 核心技術： 分子束磊晶(MBE)技術生產三五族磊晶片 即時監控系統精確控制磊晶層成長(美國專利) 工廠地址：美國德州, Richardson, TX, USA 台灣分公司地址：台北市士林區德行西路33號5樓 商業模式： 三五族半導體MBE磊晶晶片代工製造廠 (砷化鎵ヽ磷化銦ヽ銻化鎵磊晶晶片) 2 2
Slide 3: 三五族半導體產業上中下游介紹
三五族半導體產業上中下游介紹 基板 Sumitomo, AXT (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 磊晶片 IET, IQE, 全新, (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) 聯亞 晶圓製程 穩懋, 宏捷, 華興 光, 光環, 索爾思 聯鈞 半導體封裝 IDM: Skyworks, Avago, Quovo 行動裝置晶片 非行動裝置晶片 光通訊晶片 • • • • • • • • • • 穿戴裝置 • 平板 • 手機 • 驅動IC • 收發模組 RFID Wi-Fi連結 測試與量測 智慧型能源系統 醫療 太空 / 國防 車用電子 / 防撞雷達 無線基地台 有線電視 / 衛星通訊 磊晶片品質: 決定電子 元
Slide 4: 英特磊生產什麼 磊晶片
英特磊生產什麼 磊晶片 MBE長磊晶機台 基板 磊晶片 (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) (砷化鎵, 磷化銦, 銻化鎵) • 不同顏色代表不同化學成分與 不同晶格大小 • 每一層厚度、成份、摻雜濃度 須經磊晶結構設計師模擬計算 • 磊晶片品質: 決定電子元件品 質, 效能, 良率 4
Slide 5: 產品應用領域介紹
產品應用領域介紹 主要產品: •砷化鎵(GaAs)磊晶晶片 0.25 µm Base –S公司和Q公司(pHEMT結構):非行動通訊裝置，有線電視 / 衛星通訊, Wi-Fi Emitter 連結, 無線基地台, 車用電子 / 防撞雷達, 太空 / 國防, RFID, 醫療, 智 Collector 慧型能源系統, 測試與量測, 物聯網產業應用 –U公司(pHEMT結構):汽車防撞雷達 –潛在市場: 面射型雷射(VCSEL)用於肢體動作辨識 (虛擬實境VR,AR,MR) •磷化銦(InP)磊晶晶片 –K公司(HBT):高頻量測儀器元件(示波器) –S公司(HBT):高頻特殊應用, LD dri
Slide 6: 產品應用領域介紹 - 銻化鎵紅外線探測器
產品應用領域介紹 主要產品： 銻化鎵(GaSb)紅外線探測器磊晶晶片 – 政府特殊應用計畫:聚焦平面列陣(FPA)關鍵材料，主要應用於夜視 、保全、國土安全、太空科技等用途 – 垂直整合大尺寸銻化鎵(GaSb)基板材料 – 商業公司:主要應用於夜視、保全 – 新市場機會：銻化銦（InSb)及镉鋅碲（CZT)基板 銻化鎵單晶 美國太空總署紅外線衛 聚焦平面列陣（FPA）紅外 聚焦平面列陣 銻化鎵磊晶片 星攝影於地球表面 線熱影像 （FPA） T2SLS epi-structure 6
Slide 7: 英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示
英特磊: 三五半導體器件産品矩陣列示 射頻與微波 高速電子傳輸 光電 • 手機高頻元 • OC768- • 光纖網路 件 40Gbps 網路 • 圖像識別 應用 • 汽車防撞雷 • OC192- 達 10Gbps 網路 • 國防用途 • GaAs pHEMT • InP HBT • GaAs PIN/APD • GaAs mHEMT • InP HEMT • InP PIN/APD 器件類別 • InP HEMT • GaAs mHEMT • QWIP • InP HBT • Diode laser (紅色為量產產 • GaSb T2 SLS IR 品) detector 7
Slide 8: 5G手機PA 磊晶材料演進
5G手機PA 磊晶材料演進 4G手機PA GaAs磊晶片HBT結構,< 3~5G Hz 5G手機PA 規格尚未確定，速度較4G快 50~100倍， >20G Hz - 2小時高解析度電影下载約需10秒鐘 - 4G到5G目前仍牽涉許多技術障礙 - 頻率上符合需求之選項 GaAs (pHEMT磊晶結構) 或InP (HBT磊晶結構) - InP HBT性能遠優於GaAs(pHEMT) ，但價格較高因為目前市場需求量較小， 只要市場需求量增加，價格有下降空間以擴大普及率。 英特磊MBE技術 在成長InP(HBT) 有絕對優勢 - n-type摻雜物濃度比MOCVD高10倍 - 精準控制磊晶層成分厚度
Slide 9: 5G Release
(2Intelli€P/ 5G Release 4971 White Paper | 5G in Perspective: A Pragmatic Guide to What's Next ot SKYWORKS’ Dt 256 uL 64 See QamM QAM 2x UL CA 3DL/ZUL CA 2015 2016 2017 | 2018 | 2019 2020 | Figure 11. LTE Advanced Pro = UE Features Growing in Complexity
Slide 10: GaAs HBT/pHEMT and InP HBT
GaAs HBT/pHEMT and InP HBT IE IB IC E 磊晶層 Drain Source B Gate (每層約1um) 磊晶層 C (總厚度約1um) 單晶基板 GaAs substrate 單晶基板 GaAs substrate GaAs HBT GaAs pHEMT • Up to 10 G Hz • Up to 100 G Hz • Suitable for PA • Suitable for SW and LNA E • HBT製程簡單良率高適合做PA B C • pHEMT製程較複雜良率較難控制 單晶基板 InP substrate 不適合做PA • 5G手機P
Slide 11: What about LDMOS, GaN/Si, GaN/SiC?
What about LDMOS, GaN/Si, GaN/SiC ? • LDMOS 適合應用在高功率RF電晶 體, 基地台功率放大器 11
Slide 12: What about LDMOS, GaN/Si, GaN/SiC? (cont.)
What about LDMOS, GaN/Si, GaN/SiC? (cont.) • GaN 元件在基地台功率放大器有其重要性 • GaN元件無法取代LDMOS 所有市場，只有在頻率>3~4GHz時有其優勢 • GaN/Si元件在5G手機PA無法與InP HBT元件競爭，主要因為元件效能較差 • GaN/SiC元件在5G手機PA無法與InP HBT元件競爭，主要因為高品質SiC基板材 料取得不易，市場供應不足，缺乏降低成本之解決方案 12
Slide 13: GaN 應用領域
GaN 應用領域 圖片來源:Future Electronics Homepage 13
Slide 14: GaN 應用領域
GaN 應用領域 • 手機PA: 3~5V 圖片來源:Rohm Homepage • GaN 主要用在高功率場所,如基地台,價格昂貴 • 5G手機PA選用GaN不符性價比要求 14
Slide 15: Edge emitting and surface Emitting Laser
Edge emitting and surface Emitting Laser 15
Slide 16: VCSEL & EEL
(2 Intelli€P/ VCSEL & EEL 4971 A138 VCSEL HK TMALD RESH ANH BA (a) VCSEL (b) Edge-emitter Light output T (circular beam) > ana P-DBR ay Active layer. gain region . —xz ( N-DBR Substrate N-Contact —” ##+K#: Princeton Optronics, Maik POPP
Slide 17: VCSEL
VCSEL • 光圈氧化層用高鋁含量Al(x)Ga(1- x)As材料, X > 0.9, 若長磊晶時有氧 進入晶格將影響可靠度, MBE長磊 晶完全不會有氧進入晶格 • 氧化層氧化深度不易控制, 需用專 用機台良率才能控制 Al2O3 Al2O3 氧化層 氧化前電流流向 氧化後電流流向 17
Slide 18: VCSEL Array for 3D Sensing
VCSEL Array for 3D Sensing • 945 nm, 2W VCSEL array, about 500 emitters at 4mW/emitter • 6” wafer can be diced into 14K chips @1.1x1.1mm chip size • 80% MBE yield gives 11.2K chips • MOCVD yield is estimated lower than MBE 18
Slide 19: 集團架構與市場分布
集團架構與市場分布 IET-Cayman Europe: 13%, 2016) China IntelliEPI Japan: Sourcing & North America: 16%, 2016 R&D 67%, 2016 IntelliEPI IR* Korea/Taiwan 2.1% 2016 IntelliEPI/ IntelliEPI/ China Japan Designates office locations 北美歐洲市場佔營收 ~ 80% 日本市場主要來自資料通訊（datacomm）及特殊高頻應用，以磷化銦關鍵元件為主 公司於全球主要市場均有據點，具備全球競爭能力 19
Slide 20: 近年主要產品開發成果
近年主要產品開發成果 InP HBT InP QCL InP HBT(>100GHz) 5G通訊起飛 高頻量測設備 雷射 超高頻量測設備 (28~30GHz) 手機功率放大器(PA) InP APD 5-6” GaSb InP HBT 雪崩式光接收器 銻化鎵基板 2001年 2010年 2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2020年 VCSEL面射型雷射 GaSb 4” InSb 56G InP PIN 850nm, 14G 中長波紅外偵測 銻化銦單晶 高速光接收器 VCSEL面射型雷射 汽車防撞雷達 VCSEL面射型雷射 850nm, 28G (GaAs
Slide 21: 核心競爭優勢-策略與市場定位
核心競爭優勢-策略與市場定位 全世界唯二MBE磊晶代工廠之ㄧ 法國汽車防撞雷達晶片大廠UMS認證通過，為唯一供應商 5G高頻量測儀器市場 2015/Q3 開始供貨 VCSEL 14G/28G 技術成熟，用於3D感測有技術有產能 MBE磊晶片在高速光通迅應用 (10G PON及 Data Center)的 PIN 及 APD有明顯優勢 5G手機PA 磊晶材料成長(InP) 關鍵技術開發 英特磊MBE技術成長InP HBT具絕對優勢 21
Slide 22: 季營業額及毛利趨勢圖
季營業額及毛利趨勢圖 營業收入 營業利益 毛利率 $300,000 50.00% 44.71% 44.50% 45.00% $250,000 39.60% 40.00% 38.70% 38.25% 35.80% 36.50% 34.11% 35.00% $200,000 31.26% 29.16% 31.64% 30.00% 28.72% $150,000 25.00% 20.00% $100,000 15.00% 10.00% $50,000 5.00% $0 0.00% Q3-14 Q4-14 Q1-15 Q2-15 Q3-15 Q4-15 Q1-16 Q2-16 Q3-16 Q4-16
Slide 23: 主要產品別銷貨收入
主要產品別銷貨收入 年度 2013 2014 2015 2016 2017Q1 2017Q2 產品別 比率 比率 比率 比率 比率 比率 砷 化 鎵 (GaAs)磊 晶 片 35.1% 46.7% 51.8% 48.4% 60.3% 56.3% 磷 化 銦 (InP)磊 晶 片 39.4% 31.2% 24.8% 35.0% 29.5% 29.3% 銻 化 鎵 (GaSb)及 勞 務 收 入 22.4% 21.5% 22.8% 15.6% 8.5% 11.8% 其他 3.1% 0.6% 0.6% 1.0% 1.7% 2.6% 合計 100.0% 100.0% 100.0% 100.0% 100
Slide 24: 營收展望
營收展望 2017~2018 營收成長動能 SWKS(GaAs) 其他高頻應用產品 (物聯網、車聯網、國防) UMS (GaAs) 汽車防撞雷達 Keysight (InP) 5G 高頻量測產品 光通訊 (InP) PIN/APD for 10G PON, Data Center LD driver, TIA GaSb-IR 進入量產商業化產品 • 2018~2020 * VCSEL 用於3D感測 * InP HBT可望成為5G手機PA 磊晶首選材料 24
Slide 25: IntelliEPI 4971
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IntelliEPI Inc. (Cayman) — Investor Presentation (2017) on 6ix